对比文件名称：2005-01-13_JP2005012188A_发明专利_JP2005012188A Manufacturing method for semiconductor device
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：资深专利代理师（AI）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（直接公开） | 第1实施例图1(g)：在Au镀层7的背面粘贴具有粘性的高分子材料薄膜（sheet 11）；第5实施例图5(b)：在Au镀层7上贴合Si基板19。 | 对比文件中的sheet 11或Si基板19作为支撑构件，用于在制造过程中支撑器件，防止分离后散落，与目标专利的第一支撑构件（基底片）作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何结合层。在对比文件中，Au层直接与支撑构件接触，没有中间结合层。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 无 | 由于没有结合层，该特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | 第1实施例图1(c)：形成厚度为30μm的Au镀层7，该Au镀层作为n型GaN层的保持材料。 | 对比文件的Au镀层7是厚金属层，用于支撑和导电，与目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板）作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 无 | 由于没有结合层，该特征未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 第1实施例图1(a)：在蓝宝石基板1上形成n型GaN层2、活性层3、p型GaN层4。 | 对比文件公开了包括n型层、活性层、p型层的发光结构，与目标专利的发光结构相同，因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 第1实施例图1(c)：在p型GaN层4上形成下地膜6，然后在其上形成Au镀层7。 | 对比文件的发光结构通过下地膜等形成在Au层上，与目标专利的发光结构布置在第二支撑构件上实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 第1实施例图1(a)：n型GaN层2。 | 对比文件公开了n型GaN层，相当于第一导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 第1实施例图1(a)：p型GaN层4。 | 对比文件公开了p型GaN层，相当于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 第1实施例图1(a)：活性层3（InGaN）。 | 对比文件公开了活性层，位于n型层和p型层之间，相当于有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 第1实施例图1(f)：在n型GaN层2上形成n型电极9（Ti/Au）。 | 对比文件公开了n型电极，相当于第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 第1实施例图1(f)：n型电极9形成在n型GaN层2上。 | 对比文件的n型电极直接形成在n型GaN层（发光结构）上，与目标专利相同，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（隐含公开） | 第1实施例图1(c)：Au镀层7是连续形成的，覆盖整个晶圆。图1(h)：通过湿法蚀刻选择性地去除Au层，使芯片分离。 | 对比文件中，在分离前，Au层是连续的，连接所有芯片的Au层（第二支撑构件），这意味着相邻器件的第二支撑构件通过连续的Au层连接。虽然目标专利的金属层是单独形成的，但对比文件的连续Au层起到了连接作用，本领域技术人员可以认识到这种连接关系，因此该特征隐含公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层，也未公开任何关于结合层边缘相对位置的内容。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层，也未公开凹凸结构。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层，也未公开凹凸结构。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（隐含公开） | 第1实施例图1(c)和图1(h)：Au镀层7是第二支撑构件，也是连续金属层。 | 对比文件中，连续Au层既作为第二支撑构件，又作为连接相邻器件的金属层，其组成完全相同，因此本领域技术人员可以确定金属层与第二支撑构件组成相同，该特征隐含公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件没有结合层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 无 | 对比文件没有公开金属层包含发光结构材料，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 无 | 该特征仅为过渡词语，无实质技术内容，不适用。 |
| 技术特征U：欧姆层（直接公开） | 第1实施例图1(b)：通过EB蒸镀，在p型GaN层4上形成p型接触电极5（Ni/Au）。 | 对比文件的p型接触电极作为欧姆层，用于降低接触电阻，与目标专利的欧姆层作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | 第1实施例图1(b)-(c)：p型接触电极5形成在p型GaN层4上，然后在其上形成下地膜6和Au镀层7。 | 对比文件的p型接触电极（欧姆层）位于p型GaN层（第二导电类型半导体层）和Au镀层（第二支撑构件）之间，与目标专利相同，因此直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 无 | 该特征仅为过渡词语，无实质技术内容，不适用。 |
| 技术特征X：反射层（隐含公开） | 第3实施例图3(c)：在p型层4a上形成介电DBR反射镜12，用于反射波长405nm的光，反射率99.5%以上。 | 对比文件公开了介电DBR反射镜作为反射层，虽然材料不同，但功能是反射光，与目标专利的反射层类似，因此该特征隐含公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 第3实施例图3(c)-(e)：介电DBR反射镜12形成在p型层4a上，然后在其上形成下地膜6和Au镀层7；但p型层4a上还有p型电极5，反射镜与p型电极并列。 | 对比文件中，反射镜直接形成在p型层上，中间没有欧姆层，且反射镜区域与欧姆层区域不重叠，因此反射层并非位于欧姆层和第二支撑构件之间，该特征未被公开。 |
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