对比文件名称：2005-09-15_JP2005252293A_发明专利_JP2005252293A Semiconductor light emitting element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：GPT-4o
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未记载第一支撑构件。 | 对比文件涉及单个发光元件，没有描述用于支撑结合层的基底片，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未记载结合层。 | 对比文件没有描述任何结合层，更不用说至少两个结合层。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未记载。 | 无结合层和第一支撑构件，故未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | 对比文件记载：“例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、…多層構造７が被着されている。”（参见图9及对应说明） | 对比文件中的衬底18（如SiC）是导电支撑构件，支撑多层结构，相当于目标专利中的第二支撑构件（导电支撑基板），功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有结合层，故未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 对比文件记载：“半導体基体１は、半導体多層構造７を有し、この半導体多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビームを放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。”（参见说明书第2段） | 对比文件中的半导体基体1及其多层结构7相当于发光结构，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | 对比文件记载：“例えばＳｉＣから成るサブストレート１８上に、…多層構造７が被着されている。”（参见图9及对应说明） | 发光结构（多层结构7）被布置在衬底18（第二支撑构件）上，直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件记载：“ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２２”（参见图9及对应说明） | 对比文件明确公开了n型半导体层，即第一导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 对比文件记载：“ｐ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４”（参见图9及对应说明） | 对比文件明确公开了p型半导体层，即第二导电类型半导体层，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 对比文件记载：“半導体多層構造７は、…少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。”（参见说明书第2段），且多层结构通常包括有源层。 | 对比文件中的“アクティブなゾーン”即为有源层，位于n型和p型层之间，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 对比文件记载：“前面コンタクト１２”和“背面コンタクト１１”（参见图1及对应说明） | 对比文件公开了电极，即第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 对比文件记载：“前面コンタクト１２”位于半导体基体1上（参见图1及对应说明） | 前面电极直接布置在发光结构（半导体基体）上，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件仅涉及单个发光元件，没有阵列和金属层连接，故未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有结合层，故未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有结合层，故未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有第一支撑构件和凹凸结构，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有金属层，故未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有金属层和结合层，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有金属层，故未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未记载。 | 该特征为引导词，无实质内容，未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有描述欧姆层，虽然可能隐含欧姆接触，但未明确公开作为独立层，故不视为公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有欧姆层，故未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件未记载。 | 同特征T，未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件虽然有反射器（如切口9的反射器17），但那是壳体上的反射面，不是布置在欧姆层和第二支撑构件之间的反射层，故未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未记载。 | 对比文件没有反射层，故未公开。 |
<<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>>