对比文件名称：2006-10-12_US2006226434A_发明申请_US20060226434A1 Nitride-based semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件。 | 对比文件涉及氮化物基半导体发光器件，其结构包括导电衬底、多层金属层和多层半导体层，未公开用于支撑多个发光器件的基底片（如PVC、PAT、PPT等材料）。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件中的键合金属层（bonding metal layer）用于连接导电衬底和半导体层，并非用于将器件固定到第一支撑构件的结合层，且未公开多个结合层。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有第一支撑构件，也没有将多个结合层布置在类似基底片上的结构。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | [0042] “在作为导电衬底1的Si衬底上形成图案表面20a” | 对比文件直接公开了导电衬底（Si衬底）作为第二支撑构件，与目标专利的导电支撑基板对应，起支撑和导电作用。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件中，导电衬底位于键合金属层下方，而非上方；且不存在第一支撑构件和多个结合层，因此无法公开第二支撑构件布置在结合层上。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | [0042] “多层半导体层19包括p型氮化物半导体层14、发光层13和n型氮化物半导体层12” | 对比文件直接公开了包括第一导电类型、有源层和第二导电类型的发光结构。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | [0042] “多层金属层49和多层半导体层19形成在导电衬底1的图案表面20a上” | 对比文件直接公开了发光结构通过多层金属层布置在导电衬底（第二支撑构件）上。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | 同上[0042]（n型氮化物半导体层12） | 对比文件公开了n型半导体层（或p型层，取决于定义），属于第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 同上[0042]（p型氮化物半导体层14） | 对比文件公开了p型半导体层，属于第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 同上[0042]（发光层13） | 对比文件公开了有源层位于n型层和p型层之间。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | [0048] “在作为n型氮化物半导体层12的n型GaN层上形成n型焊盘电极作为半导体侧焊盘电极8” | 对比文件公开了在发光结构上形成第一电极（n型电极）。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | 同上[0048] | 直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件在划片后芯片独立，未公开金属层连接相邻导电衬底的结构。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件中多层金属层的主表面面积与发光结构面积相等，未公开结合层边缘小于发光结构边缘。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开结合层具有凹凸结构，仅公开导电衬底上的图案表面。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件没有第一支撑构件，也无凹凸结构形成在其表面上。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件无金属层连接相邻芯片，且键合金属层与导电衬底组成不同。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开。 | 同上。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开。 | 同上。 |
| 技术特征T：进一步包括（过渡特征） | 无具体内容，不单独判断。 | 无。 |
| 技术特征U：欧姆层（直接公开） | [0044] “形成作为欧姆电极3的厚度3nm的Pd层” | 对比文件直接公开了欧姆层（ohmic electrode）。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | [0044] 欧姆电极3形成在p型氮化物半导体层14上，随后形成反射金属层和键合层，最终键合到导电衬底1。 | 对比文件直接公开了欧姆层位于p型层（第二导电类型）和导电衬底（第二支撑构件）之间。 |
| 技术特征W：进一步包括（过渡特征） | 无具体内容，不单独判断。 | 无。 |
| 技术特征X：反射层（直接公开） | [0044] “形成作为反射金属层31的厚度150nm的Ag-Nd层” | 对比文件直接公开了反射层（reflection metal layer）。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（直接公开） | [0044] 反射金属层31形成在欧姆电极3上，之后形成键合层并键合到导电衬底1。 | 对比文件直接公开了反射层位于欧姆层和导电衬底（第二支撑构件）之间。 |
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