**对比文件名称**：2009-08-05_JP4308620B_发明专利_JP4308620B2 Coating plate which is separately manufactured to be Nochaku on the casing of the semiconductor light emitting element
**目标专利名称**：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
**本次调用的模型名称**：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件 - 未公开 | 无 | 对比文件涉及单个半导体发光元件，未公开用于支撑多个发光器件的基底片或类似第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层 - 未公开 | 无 | 对比文件全文未记载任何结合层结构。 |
| 技术特征C：至少两个结合层被布置在第一支撑构件上 - 未公开 | 无 | 对比文件既无结合层也无第一支撑构件。 |
| 技术特征D：第二支撑构件 - 未公开 | 无 | 对比文件未公开导电支撑基板或类似第二支撑构件。 |
| 技术特征E：第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上 - 未公开 | 无 | 对比文件无结合层和第二支撑构件。 |
| 技术特征F：发光结构 - 《直接公开》 | [2] “半導体基体１は、背面コンタクト１１と、前面コンタクト１２と、複数の様々の層から成る多層構造７とを有し、この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビーム（例えば、紫外線、青色又は緑色）を放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” | 对比文件公开了半导体基体1包含多層構造7，该多層構造7具有发光功能，相当于目标专利的发光结构。 |
| 技术特征G：发光结构被布置在第二支撑构件上 - 未公开 | 无 | 对比文件未公开第二支撑构件，发光结构直接安装在端子上。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层 - 《直接公开》 | 图9描述：“…ｎ導電形ＧａＮ層２０、ｎ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２１、更なるｎ導電形ＧａＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２２…” | 对比文件明确公开了n型半导体层，对应目标专利的第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层 - 《直接公开》 | 图9描述：“…ｐ導電形ＧａｘＡｌ１−ｘＮ層又はＧａｘＩｎ１−ｘＮ層２３及びｐ導電形ＧａＮ層２４…” | 对比文件明确公开了p型半导体层，对应目标专利的第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层 - 《直接公开》 | [2] “多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビームを放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する”以及图9中n型层与p型层之间的必然结构。 | 本领域技术人员公知，在n型层与p型层之间必然存在有源层（主动区域）以实现发光，对比文件已隐含公开这一结构，故直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极 - 《直接公开》 | [2] “前面電極コンタクト１２”以及“前面電極コンタクト１２は、ボンディング線ワイヤ１４を用いて第２の電気接続端子３に接続されている。” | 对比文件公开了前面电极12，作为第一电极。 |
| 技术特征L：第一电极被布置在发光结构上 - 《直接公开》 | 同上，前面电极12位于半导体基体1（发光结构）上。 | 对比文件的前面电极12直接接触多層構造7，因此布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接 - 未公开 | 无 | 对比文件仅涉及单个器件，无阵列及金属层连接结构。 |
| 技术特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米 - 未公开 | 无 | 对比文件无结合层，故无该尺寸限定。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构 - 未公开 | 无 | 对比文件无结合层。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上 - 未公开 | 无 | 对比文件无第一支撑构件。 |
| 技术特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同 - 未公开 | 无 | 对比文件无金属层和第二支撑构件。 |
| 技术特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同 - 未公开 | 无 | 对比文件无金属层和结合层。 |
| 技术特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同 - 未公开 | 无 | 对比文件无金属层。 |
| 技术特征T：进一步包括 - 未公开 | 无 | 该特征为引导词，无实质技术内容。 |
| 技术特征U：欧姆层 - 未公开 | 无 | 对比文件未公开欧姆层结构。 |
| 技术特征V：欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间 - 未公开 | 无 | 对比文件无第二支撑构件，且未明确欧姆层。 |
| 技术特征W：进一步包括 - 未公开 | 无 | 同特征T。 |
| 技术特征X：反射层 - 未公开 | 无 | 对比文件未公开反射层。 |
| 技术特征Y：反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间 - 未公开 | 无 | 对比文件无反射层、欧姆层和第二支撑构件。 |
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