对比文件名称：2009-12-24_JP4388940B_发明专利_JP4388940B2 Light-emitting semiconductor chip
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件。《直接公开》 | 对比文件【2】中记载：“図３に示す実施例では第１及び第２電気接続端子２、３は不透過性の、場合によっては事前に製造された基底ケーシング８内に埋込まれている。” | 对比文件明确公开了基底ケーシング8，这是一种支撑构件，用于支撑半导体芯片，其功能与目标专利的第一支撑构件（基底片）均属于支撑构件，本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了第一支撑构件。 |
| 技术特征B：至少两个结合层。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件仅公开了单个半导体芯片的安装，未揭示至少两个结合层，也不存在多个结合层的技术启示。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开结合层，更未公开至少两个结合层布置在第一支撑构件上。 |
| 技术特征D：第二支撑构件。《直接公开》 | 对比文件图9中公开了“サブストレート１８”，即衬底，并记载“サブストレート１８上に、ＡｌＮ層又はＧａＮ層１９、ｎ導電形ＧａＮ層２０…が被着されている”。 | 对比文件中的衬底18是支撑发光多层结构的基板，相当于第二支撑构件，用于支撑发光结构，本领域技术人员可直接确定。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开结合层，因此不可能公开第二支撑构件布置在结合层上。 |
| 技术特征F：发光结构。《直接公开》 | 对比文件【2】中记载：“半導体基体１は、背面コンタクト１１と、前面コンタクト１２と、複数の様々の層から成る多層構造７とを有し、この多層構造７は、半導体素子の作動中、１つのビームを放射する少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する。” | 对比文件明确公开了包括多层结构的半导体基体，即发光结构，本领域技术人员可直接确定。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上。《直接公开》 | 对比文件图9中示出多层结构形成在衬底18上，且描述“サブストレート１８上に…被着されている”。 | 对比文件直接公开了发光结构（多层结构）布置在衬底（第二支撑构件）上。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层。《直接公开》 | 对比文件图9中公开了“ｐ導電形ＧａＮ層２４”等，且描述“ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上にコンタクト金属化部２７が被着されている”。 | 对比文件明确公开了p型GaN层，即第一导电类型半导体层（p型）。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层。《直接公开》 | 对比文件图9中公开了“ｎ導電形ＧａＮ層２０”等。 | 对比文件明确公开了n型GaN层，即第二导电类型半导体层（n型）。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层。《直接公开》 | 对比文件【2】中记载“多層構造７は、…少なくとも１つのアクティブなゾーンを有する”，且本领域公知有源层位于p型和n型层之间。 | 对比文件公开了活性区（有源层），且根据多层结构，有源层必然位于p型和n型层之间，本领域技术人员可直接确定。 |
| 技术特征K：第一电极。《直接公开》 | 对比文件【2】中记载“前面電極コンタクト１２”以及“コンタクト金属化部２７、２８”。 | 对比文件公开了电极，即第一电极，用于电连接。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上。《直接公开》 | 对比文件【2】中记载“ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上にコンタクト金属化部２７が被着されている”。 | 对比文件直接公开了电极形成在p型GaN层（发光结构的上表面）上，即第一电极布置在发光结构上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件涉及单个发光芯片，未公开任何将两个发光器件连接的结构。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开结合层，更未公开结合层边缘位置。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开结合层，更未公开凹凸结构。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开第一支撑构件表面凹凸结构。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开金属层，更未公开组成相同。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开金属层和结合层。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开金属层。 |
| 技术特征T：进一步包括。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件没有“进一步包括”的表述，也不涉及欧姆层的引入。 |
| 技术特征U：欧姆层。《隐含公开》 | 对比文件【2】中记载“ｐ導電形ＧａＮ層２４主面２５上及びサブストレート１８の主面２６上に、それぞれ、コンタクト金属化部２７、２８が被着されている”。 | 尽管对比文件未明确使用“欧姆层”一词，但本领域技术人员公知，在半导体芯片中，接触金属化通常用于形成欧姆接触，因此可以合理推断出该金属化层具有欧姆接触功能，即相当于欧姆层。因此隐含公开欧姆层。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件中，接触金属化27是形成在p型GaN层上，而第二支撑构件（衬底18）位于发光结构另一侧，因此欧姆层不位于第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。 |
| 技术特征W：进一步包括。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件不涉及反射层的引入。 |
| 技术特征X：反射层。《未公开》 | 对比文件【2】中记载“反射器１７として構成されている”，但该反射器是基底ケーシング的切欠部内壁，并非芯片内的反射层。 | 对比文件没有公开位于芯片内部的反射层，仅公开了封装壳体上的反射器，作用不同，因此未公开反射层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间。《未公开》 | 无相关引用 | 对比文件未公开反射层，更未公开其位置。 |
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