**对比文件名称**：2010-03-16_US7678695B_发明授权_US07678695B2 Circuit substrate and method for fabricating the same
**目标专利名称**：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器 CN105009280B
**本次调用的模型名称**：深度求索DeepSeek最新版本模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**判断结果**：**《直接公开》** | 对比文件第[0044]段：“As shown in FIGS. 2A and 2B, through-holes 18 are formed in a 500 μm-thickness **glass substrate 16** at a prescribed pitch.”；<br>第[0069]段：“the circuit substrate according to the present embodiment uses a **silicon substrate 36** in place of the glass substrate”。 | 对比文件明确公开了其电路基板（circuit substrate）包括一个核心基板（core substrate），具体实施例中为玻璃基板（glass substrate）或硅基板（silicon substrate）。这与目标专利中的“基板”特征完全相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件第[0040]段：“through-holes 18 are formed in a 500 μm-thickness glass substrate 16”；<br>第[0041]段：“via electrodes 20 of Pt are buried in the respective through-holes 18”。 | 对比文件确实公开了“至少部分地穿过所述基板延伸”的通孔（through-holes）以及其中的电极（via electrodes）。然而，目标专利的该特征明确限定该通孔是“形成多通孔电感器的一部分”。根据目标专利说明书（如[0034]-[0036]段），多通孔电感器是由多个通孔和导电结构构成的完整电感元件，用于与电容器形成谐振电路。对比文件中的通孔（via electrodes）仅起到在基板上下表面之间进行垂直电连接的作用（如[0007]段所述连接LSI基板与印刷电路板），并未被描述或暗示构成任何电感器，更未提及是“多通孔电感器的一部分”。两者的作用完全不同。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未提及任何电感器结构，也未描述连接两个通孔的基板上的导电结构。 | 该特征描述了多通孔电感器的具体构造。对比文件全文未提及任何“电感器”（inductor），其通孔仅作为互连通道，不存在将多个通孔通过基板上的导电结构耦合以形成电感功能的技术方案。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件第[0043]段：“Electrodes 24... are formed on the back side of the glass substrate 16, connected to the via electrodes 20. A dielectric film 26... is formed on the back sides of the electrodes 24. Electrodes 28... are formed on the under side of the dielectric film 26. Thus, capacitors 30 including the dielectric film 26 sandwiched between the electrodes 24 and the electrodes 28 are formed on the back side of the glass substrate 16.” | 对比文件公开了电容器（30）通过电极（24）连接到通孔电极（20）。然而，目标专利的核心特征在于“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”。在对比文件中，电容器的电介质（26）位于两个独立的电极（24和28）之间，而电极24是形成在基板背面的一层薄膜，并非通孔（via electrode 20）本身。电介质并不直接位于通孔与电容器的任一极板之间。在目标专利中（如[0030]段），通孔本身可以直接作为电容器的一个极板，或者通过第一极板（120）紧密电耦合，电介质（106）直接位于此结构（通孔或其耦合的极板）与另一极板（108）之间。对比文件的结构完全不同，其电容器是独立于通孔结构、形成在基板背面的一层叠层，未公开“电介质位于通孔与极板之间”的构型。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>**判断结果**：**《隐含公开》** | 同上，第[0043]段：电容器（30）形成在“the back side of the glass substrate 16”。电极24和28作为电容器的极板，均位于基板（16）的背面（back side）。 | 根据目标专利说明书（如[0033]段），“在基板以外”被解释为“在基板之上并且并不嵌入其中”。对比文件中，电容器的极板（电极24和28）形成在基板（16）的背面上，并未嵌入基板内部。本领域技术人员根据对比文件的描述，能够合理推断出电容器的极板位于基板的外部表面（即“在基板以外”）。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未提及“第一导电结构”。电容器通过电极24连接至通孔电极20（第[0043]段）。 | 该特征是对特征C中“导电结构”的进一步限定，并明确了电容器通过通孔耦合至该第一导电结构。由于对比文件根本未公开构成电感器的“导电结构”（特征C未被公开），因此该进一步的限定特征也未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未提及“第二通孔”或“多通孔电感器”。 | 该特征是多通孔电感器的组成部分。对比文件仅公开了用于互连的单个通孔阵列，未公开将这些通孔作为部件组合以形成电感器功能，也未提及用于此目的的第二通孔。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未提及任何“第一导电结构”、“第二导电结构”或它们通过第二通孔的耦合关系，也未公开由这些元件组成的多通孔电感器。 | 该特征详细描述了多通孔电感器的完整结构。对比文件完全没有对应或暗示该结构的内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未提及“层间电介质(ILD)层”。也未提及由电感器和电容器构成的“谐振电路”。其电容器被描述为“去耦电容器”（decoupling capacitors，见[0005]段），用于电源去耦，而非与电感器形成谐振。 | 目标专利中，极板位于ILD层中以及构成谐振电路是特定技术方案。对比文件既未公开ILD层的设置，也未公开将电容器与电感器（尤其多通孔电感器）组合成谐振电路。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>**判断结果**：**《直接公开》** | 对比文件第[0040]段：“through-holes 18 are formed in a 500 μm-thickness **glass substrate 16**”。 | 对比文件明确公开了基板是玻璃基板（glass substrate），并且其中形成了通孔（through-holes）。本领域技术人员熟知，穿过玻璃基板的通孔即为透玻通孔（Through Glass Via, TGV）。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>**判断结果**：**《直接公开》** | 对比文件第[0040]段公开了“glass substrate”；第[0069]段公开了“silicon substrate”；第[0098]段还提及基板不限于玻璃或硅，例如“substrates of metal, metal oxide or others can be used”。 | 该特征以非穷举方式列举了多种可能的基板材料。对比文件明确公开了其中的“玻璃基板”，并且本领域技术人员可以从其公开的“玻璃基板”毫无疑义地得出该技术方案。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>**判断结果**：**《隐含公开》** | 对比文件第[0041]段：“Via electrodes 20 of **Pt** are buried in the respective through-holes 18.”；第[0100]段：“A material of the via electrodes 20, etc. is not limited to Pt and can be, e.g., **Au, Cu, Pd** or others.” | 对比文件明确公开了通孔由金属（铂Pt）填充。同时，其说明书指出电极材料不限于Pt，还可为Au、Cu等。虽然未明确列举W和Ag，但Pt、Au、Cu、Pd均属于贵金属或高导电金属，本领域技术人员在阅读该文件后，为获得良好的导电性，完全有可能选择使用Cu、Ag、Au等常见导电金属来填充通孔，这是一种合理的、常规的技术选择。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件第[0043]、[0062]段：“a dielectric film 26 of a 0.2 μm-thickness **BST** (BaxSr1−xTiO3)”。 | 对比文件公开的电容器电介质材料是BST（钛酸锶钡），这是一种高介电常数材料。目标专利列举的材料（如SiO2, Si3N4, Al2O3等）是常见的、介电常数相对较低的电介质材料，用于不同的电容特性和工艺需求。对比文件既未直接公开、也未暗示可能使用目标专利所列举的这些特定材料。两者属于不同的材料选择，本领域技术人员不能从对比文件公开的BST毫无疑义地或合理地推断出使用目标专利列举的材料。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件第[0041]段：“Via electrodes 20 of Pt are **buried** in the respective through-holes 18.”，意味着通孔被金属完全填充。 | 目标专利该特征（对应图3）描述了通孔内具有“金属结构”和“聚合物核”的复合结构，旨在提供支撑并降低成本。对比文件公开的是通孔被金属完全填充（buried），没有任何内容提及或暗示通孔内部存在聚合物核。两者结构完全不同。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件图2B及第[0043]段显示，电容器（30）形成在基板（16）的整个背面，其电极（24）与通孔电极（20）在水平方向连接，但电容器的极板（24,28）和电介质（26）在垂直方向上并不位于通孔（18）的顶表面或“面向电介质的表面”之上。 | 该特征描述了电容器在垂直方向上与通孔对齐的叠层关系，是目标专利实现低电阻、小尺寸的关键（见[0009], [0037]段）。在对比文件中，电容器是形成在基板背面的一个平面层状结构，与正面的通孔在垂直方向上是错开的，不存在“垂直位于...上”的关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件中，电容器（30）毗邻基板（16）的背面（第二表面），而电极垫（22）毗邻基板的正面（第一表面）。不存在“第一导电结构”（特征F、H的一部分）。虽然存在一条从正面电极垫（22）穿过通孔（20）到背面电极（24）的垂直轴线，但该轴线并不与电容器的电介质（26）和上电极（28）相交，因为它们在水平方向是错开的。 | 该特征描述了电容器、通孔和第一导电结构三者在垂直方向上的精确空间位置关系，是多通孔电感器与电容器集成设计的一部分。对比文件缺乏“第一导电结构”，且其电容器结构与通孔不存在所述垂直相交关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件中的通孔垂直于基板表面延伸。但其通孔的垂直轴线向下延伸，连接的是背面的电极24，而电极24只是电容器的一个下极板。电容器的整体（包括电介质26和上极板28）在水平方向上延伸，通孔的垂直轴线并不与“极板”（尤其是上极板28）的区域相交。 | 该特征强调通孔轴线与电容器极板区域相交，同样是垂直集成关系的体现。对比文件中，通孔轴线仅与电容器的一个连接点（下极板24）相连，而非与作为平行板电容器的“极板区域”相交。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。 | 该特征涉及通孔与电容器极板的相对尺寸，是目标专利中优化性能（如降低电阻）的设计维度之一（见[0042]段）。对比文件完全没有提及这方面的任何信息。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。 | 同上，对比文件未提及尺寸关系，该特征未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。 | 同上，对比文件未提及尺寸关系，该特征未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件的电容器仅有一层电介质（26）。 | 该特征描述了在通孔与主电介质之间设置第二电介质的特定结构（对应目标专利图4）。对比文件没有这样的双层电介质结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件未提及“第二通孔”、“第三通孔”或在基板内结合的通孔，也未提及“多通孔电感器”。 | 该特征描述了多通孔电感器的一种复杂内部连接结构（对应目标专利图6）。对比文件完全未涉及此类技术内容。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>**判断结果**：**未被公开** | 对比文件中的通孔（18）延伸穿过基板（16）。但如特征O所述，其电容器的极板和电介质并不垂直位于通孔之上。 | 该特征结合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔上两个子特征。对比文件仅满足前者，但不满足后者。因此，该整体特征未被公开。 |
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