对比文件名称：2012-04-01_TW201214474A_发明专利_TW201214474A 在一具可程式能力之高電阻基板中之穿導孔電感器或變壓器 THROUGH VIA INDUCTOR OR TRANSFORMER IN A HIGH-RESISTANCE SUBSTRATE WITH PROGRAMMABILITY
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
以下是根据目标专利权利要求划分的技术特征与对比文件进行比对的分析表格。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板**<br>《直接公开》 | 说明书第[0017]段：“電子封裝100具備諸如玻璃或藍寶石之高電阻基板102。” | 对比文件明确公开了电子封装包括高电阻基板，其作用与目标专利中作为器件载体的基板相同。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**<br>《直接公开》 | 说明书第[0017]段：“三維電感器104形成於封裝100中，且包括複數個穿導孔114。” 第[0020]段：“複數個穿導孔114中之每一者在基板102之前側上耦接至前側導電跡線116且在基板102之背側上耦接至背側導電跡線118。” | 对比文件明确公开了穿导孔（即通孔）至少部分地穿过基板延伸（例如从基板的前侧延伸至背侧），并且这些穿导孔是三维电感器（即多通孔电感器）的组成部分。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>《直接公开》 | 说明书第[0017]段：“複數個穿導孔114…在基板102之前側上耦接至前側導電跡線116且在基板102之背側上耦接至背側導電跡線118。” 图3及对应说明展示了多个穿导孔通过前侧和背侧导电迹线连接。 | 对比文件中的电感器由多个穿导孔（通孔）和连接它们的导电结构（如前侧导电迹线116和背侧导电迹线118）组成。这些导电结构位于基板表面，并将不同的穿导孔耦合起来，从而置于通孔之间。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件全文的核心内容是电感器和变压器的结构及其可编程性。对比文件未提及任何电容器结构，更没有公开电容器直接形成在通孔上，并且电容器的电介质位于通孔与电容器极板之间这一核心特征。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外**<br>《未公开》 | 无 | 由于对比文件未公开技术特征D中的电容器，因此该从属特征自然也未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>《直接公开》 | 说明书第[0020]段及图3：“電感器300包括形成於高電阻基板中之複數個穿導孔306。” | 对比文件中的电感器（例如图3的电感器300）明确由多个穿导孔（第二通孔、第三通孔等）组成，这些穿导孔都至少部分地延伸穿过基板，共同构成电感器的不同部分。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构**<br>《直接公开》 | 说明书第[0020]段：“第一穿導孔306係藉由前側導電跡線304而耦接至第二穿導孔306…第三至第九穿導孔306…係藉由複數個背側導電跡線302及前側導電跡線304而彼此耦接以形成單一連續導電路徑。” | 对比文件明确公开了电感器由多个穿导孔（通孔、第二通孔等）和多种导电结构（如前侧导电迹线和背侧导电迹线）通过连接关系构成连续导电路径。这实质上公开了包括通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构的多通孔电感器。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开电容器，也未提及电容器的极板位于ILD层中。虽然对比文件提到了介电材料（如二氧化硅）围绕金属层，但这与目标专利中电容器极板在ILD层中的特定结构不同。此外，对比文件也未明确将电感器与电容器组合描述为“谐振电路”。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔**<br>《直接公开》 | 说明书第[0017]段：“電子封裝100具備諸如玻璃或藍寶石之高電阻基板102。” 第[0023]段：“玻璃穿導孔(TGV)1010、1012”。 | 对比文件明确公开了基板可以是玻璃基板，并且穿导孔是玻璃穿导孔（TGV）。因此，技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>《隐含公开》 | 说明书第[0017]段：“電子封裝100具備諸如玻璃或藍寶石之高電阻基板102。” | 对比文件明确公开了基板为“高电阻基板”，并列举了“玻璃或蓝宝石”作为示例。本领域技术人员知晓，为实现高电阻特性，除玻璃和蓝宝石外，目标专利权利要求中列举的其他材料（如石英、SOI、HRS、GaAs等）也是本领域常见的高电阻或绝缘基板材料。在对比文件已公开“高电阻基板”这一上位概念并给出具体实施例（玻璃、蓝宝石）的基础上，本领域技术人员能够合理推断其他具有类似高电阻特性的基板材料也可以被使用。因此，技术特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“複數個穿導孔114係由諸如銅之導電材料形成”。 图2方法描述中提及“將諸如銅之導電材料沈積於導孔中”。 | 对比文件明确公开了穿导孔由导电材料如铜填充。铜属于权利要求列举的金属之一。因此，技术特征L被直接公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未描述电容器的电介质。虽然对比文件在第[0018]段提到了介电材料如二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)用于层间绝缘，但这是用于隔离金属层或作为基板上的绝缘薄膜，并非作为“位于通孔与电容器极板之间”的电容器的电介质。两者的作用和技术语境不同。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件描述的通孔是金属填充（如铜），未提及通孔内具有包含聚合物核的金属结构。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上**<br>《未公开》 | 无 | 该特征描述了电容器组件与通孔的垂直堆叠关系，是目标专利的核心空间结构特征。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了电容器、通孔和导电结构之间特定的空间位置关系。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔与电容器极板之间的垂直对齐关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，该特征也未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔与电容器极板的相对尺寸关系。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔与电容器极板的相对尺寸关系。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔与电容器极板的相对尺寸关系。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间**<br>《未公开》 | 无 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件描述的电感器中的穿导孔通常是从基板一侧延伸到另一侧或部分延伸，但没有公开多个通孔在基板内部“结合”的结构（例如形成内部连接）。因此，技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上**<br>《未公开》 | 无 | 该特征再次强调了电容器在通孔上的垂直集成。由于对比文件未公开电容器，该特征也未被公开。 |
综上所述，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、G、H、J、L；隐含公开了技术特征K；未公开技术特征D、E、F、I、M、N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W。
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