对比文件名称：2009-09-08_US7586755B_发明授权_US07586755B2 Electronic circuit component
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | 说明书第[0078]段：“FIG. 1 is a cross sectional view of an electronic circuit component representing one embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a glass substrate...” | 对比文件明确公开了器件包括基板，且基板为玻璃基板（glass substrate）。本领域技术人员可毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>《隐含公开》 | 说明书第[0095]段：“A sand blast use film resist material...through holes were formed in the glass substrate with micro sand blasting method.”；第[0047]段：“The inductor element of the present invention is not in particular limited, if the same is an inductive circuit element, for example, such as a spiral type formed on a plane, one formed by laminating the spiral type, and a solenoid type can be used.” | 对比文件公开了在玻璃基板中形成通孔（through holes）（见第[0095]段）。同时，对比文件公开了可以形成电感器元件（inductor element）（见第[0047]段）。本领域技术人员为了在基板两侧形成电感路径，能够合理推断出将通孔作为电感器导电通路的一部分，从而构成多通孔电感器结构的一部分。这是一种隐含公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《隐含公开》 | 说明书第[0095]段：“...conductive layers were formed inside the via holes by Cu electrolytic plating.”；第[0096]段：“A Cr film of 50 nm was formed on a glass substrate...and the lower electrode was formed.”；图2、图3、图6等图示了基板上的导电结构与通孔相连。 | 对比文件公开了在通孔内形成导电层（第[0095]段），以及在基板上形成金属电极/导线结构（如第[0096]段的下电极）。图示也明确显示了基板上的导电结构与通孔电连接。本领域技术人员可以合理推断，为了实现一个完整的电感器，需要将多个通孔通过基板表面的导电结构连接起来，从而形成“耦合至通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>《隐含公开》 | 说明书第[0080]段：“A capacitor element 3 formed inside the organic insulator 2 is in a three layer structure constituted by a lower electrode 3a , a dielectric body and an upper electrode 3c.”；第[0095]段公开了通孔内填充导电材料；图2、3、6等图示了电容器与通孔均位于基板上。 | 对比文件公开了包含下电极、介电体和上电极的电容器（第[0080]段），以及填充导电材料的通孔（第[0095]段）。虽然图示中电容器的下电极与通孔在空间上是相邻的，但对比文件并未明确揭示电容器的介电体是“位于所述通孔与所述电容器的极板之间”的特定结构关系。目标专利强调该结构是为了减少电阻，而对比文件未提及此目的或该具体构型。然而，本领域技术人员有可能通过推理，将通孔视为一个导电柱，并将电容器的下电极直接形成在该通孔顶部，从而使介电体位于通孔和上极板之间，以实现电连接。这是一种可能的、但非必然的推断，因此判断为隐含公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>《直接公开》 | 说明书第[0080]段：“A capacitor element 3 formed inside the organic insulator 2 is in a three layer structure constituted by a lower electrode 3a , a dielectric body and an upper electrode 3c.” 结合图1-3可见，电容器各层形成于基板1的上方。 | 对比文件公开的电容器具有下电极（3a）、介电体（3b）和上电极（3c），这些层结构均形成在基板（1）的表面上，并未嵌入基板内部。因此，电容器的极板（无论是上电极还是下电极）均位于基板以外。本领域技术人员可毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>《隐含公开》 | 说明书第[0095]段：“...conductive layers were formed inside the via holes...”；图6、7及相关描述（第[0172]-[0184]段）显示了包含电容器、电感器和通孔互连的LC滤波器电路。 | 对比文件公开了通孔内的导电层用于电连接（第[0095]段），并且在实施例7的LC滤波器电路中（图6、7），电容器和电感器（包含通孔和表面导电结构）通过通孔和布线相互连接。本领域技术人员能够合理推断，在该电路中，电容器可以通过一个通孔耦合至基板另一侧或同侧的一个导电结构（即“第一导电结构”）。这是一种隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《隐含公开》 | 说明书第[0095]段公开了形成通孔；第[0047]段公开了电感器元件。图9、16、18等显示了基板两侧具有多个元件和互连通孔。 | 对比文件公开了可以在基板中形成多个通孔（如第[0095]段及多个实施例）。为了构成一个多匝或多回路的电感器，本领域技术人员容易想到使用多个通孔作为垂直方向的导电通路，这些通孔构成电感器的不同部分。因此，“第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分”可以被合理推断出来，属于隐含公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>《隐含公开》 | 说明书第[0095]段公开了通孔及内部导电层；图9、16、18等实施例显示了基板两侧的电路通过通孔互连，两侧均有导电结构。 | 对比文件公开了基板两侧可以形成导电结构（如金属布线、电极），并通过通孔内的导电材料实现电连接（第[0095]段及图示）。要形成一个完整的、包含基板两侧路径的电感器，本领域技术人员能够合理推断其结构需要包括：位于基板一侧的第一导电结构、穿过基板连接两侧的第二通孔、以及位于基板另一侧并通过该第二通孔与第一导电结构连接的第二导电结构。这共同构成了多通孔电感器。这是一种隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>《隐含公开》 | 说明书第[0080]段：“A capacitor element 3 formed inside the organic insulator 2...”；第[0172]-[0184]段及图5-7描述了包含电感器（4，30）和电容器（3，28）的LC滤波器电路（谐振电路）。 | 对比文件公开了电容器元件形成在有机绝缘体（organic insulator 2）内（第[0080]段），该有机绝缘体即起到层间电介质（ILD）的作用。同时，对比文件在实施例7中明确公开了由电感器和电容器构成的LC滤波器电路（第[0172]-[0184]段，图5-7），即谐振电路。虽然对比文件的电感器未必明确描述为“多通孔电感器”，但根据对特征B、C、G、H的隐含公开判断，本领域技术人员可以推理出该电感器可采用包含通孔的结构。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>《直接公开》 | 说明书第[0078]段：“FIG. 1 is a cross sectional view...1 is a glass substrate...”；第[0095]段：“through holes were formed in the glass substrate...” | 对比文件明确且反复地指出基板是玻璃基板（glass substrate），并在其中形成通孔（through holes）。透玻通孔（TGV）是穿过玻璃基板的通孔的常规表述。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出“基板包括玻璃型基板并且通孔包括透玻通孔”的技术方案。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《直接公开》 | 说明书第[0049]段：“The insulator substrate of the present invention is not in particular limited, if the same does not reduce the efficiency of the respective elements and shows a high insulation property. Further, the glass substrate of the present invention is also not in particular limited...” | 对比文件在发明内容部分概括性地指出，绝缘基板不特别限制，只要不降低元件效率且具有高绝缘性即可。虽然具体实施例主要使用玻璃基板，但该概括性描述公开了基板材料的选择范围。目标专利列举的具体材料（如玻璃、石英、SOI、GaAs、SiC、AlN等）均属于本领域常见的高绝缘性或半导体基板材料，在对比文件的上述公开内容基础上，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地想到这些可选材料。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《直接公开》 | 说明书第[0095]段：“...conductive layers were formed inside the via holes by Cu electrolytic plating.”；第[0053]段：“...a conductive layer of such as Cu can be formed on the walls of the through holes...” | 对比文件明确公开了通孔内形成导电层，具体通过铜（Cu）电解电镀形成（第[0095]段）。此外，第[0053]段也提到可使用Cu等材料在通孔壁上形成导电层。铜（Cu）属于目标专利列举的金属之一。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>《直接公开》 | 说明书第[0038]段：“...for example, oxides of Ta, Mg and Sr are enumerated. Specifically, other than oxides such as Ta2O5...”；第[0080]段：“...the dielectric body 3b by oxide of Ta...” | 对比文件明确列举了电容器介电材料可包括Ta2O5（五氧化二钽）（第[0038]段），并在实施例中使用了氧化钽（oxide of Ta）作为介电体（第[0080]段）。Ta2O5是目标专利列举的材料之一。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>《未公开》 | 对比文件中未提及在通孔内使用聚合物核结构。通孔填充方式为电镀金属（如Cu，见第[0095]段）或使用导电膏（见第[0053]段）。 | 对比文件公开的通孔是金属填充或导电材料填充，没有任何内容涉及或暗示在通孔内存在“聚合物核”。本领域技术人员无法从对比文件中直接或通过合理推理得出该技术特征。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>《未公开》 | 对比文件的图1-3、6等显示电容器和通孔在基板上相邻排列，但电容器的投影区域与通孔的投影区域是分开的，并未显示电容器极板和电介质垂直位于通孔表面之上。 | 目标专利此特征限定了电容器与通孔在垂直方向上的直接堆叠关系，即电容器位于通孔正上方。这是其减少连接电阻的关键结构之一。对比文件中的电容器和通孔在布局上是相邻关系，而非垂直堆叠关系。本领域技术人员无法从对比文件直接得出或合理推断出这种特定的垂直集成结构。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>《未公开》 | 对比文件的图16、18、20等显示了基板两侧均有元件。但电容器通常位于基板的一侧（主面），而另一侧（背面）的导电结构（如电感或布线）通过通孔与正面电路连接。并未描述或图示有一条垂直于基板背面并穿过通孔的轴，同时穿过背面导电结构、通孔以及正面电容器的极板和电介质。 | 该特征限定了电容器、通孔和背面导电结构三者严格垂直对齐的空间关系。对比文件虽然公开了基板两侧有元件并通过通孔连接，但并未要求或公开这种精确的垂直共轴关系。电容器和背面导电结构的位置是各自布局决定的，不一定与通孔严格垂直对齐。本领域技术人员无法从对比文件得出或推断出该特定位置关系。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>《未公开》 | 同特征O、P的分析。对比文件中电容器的极板与通孔在平面图上相邻而非垂直重叠。 | 该特征要求通孔的垂直轴与电容器极板的区域相交，即通孔位于电容器极板的正下方或正上方。对比文件未公开这种结构。本领域技术人员无法从对比文件得出或推断出该特征。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 对比文件完全没有涉及通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该特定尺寸关系。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 对比文件完全没有涉及通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该特定尺寸关系。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 对比文件完全没有涉及通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出该特定尺寸关系。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>《未公开》 | 对比文件公开的电容器为三层结构（下电极、介电体、上电极）或使用有机材料（如聚酰亚胺）作为介电体，但未提及在通孔与电容器主介电体之间还存在额外的“第二电介质”层。 | 目标专利此特征涉及电容器的多层介电质结构。对比文件未公开或暗示这种在通孔与电容器介电体之间的附加电介质层。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>《未公开》 | 对比文件公开的通孔是贯穿基板的（见第[0095]段“through holes were formed in the glass substrate”），未提及“部分地延伸穿过基板”的盲孔或通孔在基板内部结合的结构。也未描述包含三个通孔的电感器具体结构。 | 该特征限定了特定的盲孔结构及通孔在基板内结合的多通孔电感器复杂三维结构。对比文件未公开任何相关内容。本领域技术人员无法从对比文件中直接或通过合理推理得出该技术特征。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>《未公开》 | 同特征O、Q的分析。对比文件中通孔延伸穿过基板，但电容器的极板和电介质并未垂直位于通孔之上。 | 该特征再次强调了电容器与通孔的垂直堆叠关系。如之前分析，对比文件未公开这种结构。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特征。 |
### 公开性结论
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、E、J、K、L、M；隐含公开了技术特征B、C、D、F、G、H、I；未公开技术特征N、O、P、Q、R、S、T、U、V、W。
<<<A>>><<<E>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>>
<<<b>>><<<c>>><<<d>>><<<f>>><<<g>>><<<h>>><<<i>>>