对比文件名称：2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek-R1
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括基板** <br>**《直接公开》** | [p0047] “For a good quality factor and a good inductance the 3 -dimensional spiralized 8-shaped solenoid according to the invention preferably comprises more than 1 spiral... length = 1000 μm, and width = 450 μm.” <br> [p0059] “Preferably the laminate is chosen from the group consisting of laminate substrates such as PCB, LTCC, organic laminates and equivalents.” <br> [p0065] “The sheets need to be slitted. Mostly the greensheets are shipped on a roll... This one is an ‘YBaCo’...” | 对比文件明确记载了其器件包含基板（substrate），例如PCB、LTCC、有机层压板等，并在多处（如[p0047]描述器件尺寸，[p0059]列举基板类型，[p0065]描述生瓷带的加工）提及了基板的存在和作用，即作为载体承载三维螺旋电感。这直接公开了“包括基板”这一技术特征。 |
| **B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>**《直接公开》** | [p0021] “...vias are present in between metal layers, which vias are in electrically connection between a first metal layer track and a second metal layer track...” <br> [p0048] “In a further embodiment the present solenoid profits from an enlargement of the horizontal tracks... The inductance density in that case is not limited by vias...” <br> 图2 (Fig. 2) 展示了通孔(240, 210)连接不同金属层(241, 211, 200)的剖面结构。 | 对比文件详细描述了在多层金属层之间形成通孔（vias）以实现电连接，这些通孔是构成其三维螺旋（8字形螺线管）电感器的核心组成部分。通孔至少部分地穿过层间电介质（对应于基板的一部分或位于基板之上）延伸，并用于连接不同层的导电走线以形成电感路径。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>**《直接公开》** | [p0021] “...which inductor is formed out of at least three metal layers, which metal layers form electrically conducting tracks, wherein vias are present in between metal layers...” <br> 图2 (Fig. 2) 清晰展示了顶层金属241、中间层金属211和底层金属200通过通孔240和210相互连接。图1a (Fig. 1a) 的顶视图也显示了金属走线(141, 111, 100)和连接它们的通孔(140, 110)。 | 对比文件公开的8字形螺线管电感器由至少三个金属层（导电结构）和连接这些金属层的通孔构成。例如，图2显示，中间金属层211通过通孔240与顶层金属241连接，并通过通孔210与底层金属200连接。中间金属层211即位于通孔240和210之间并耦合至它们。这直接对应于“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。 |
| **D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>**《未公开》** | [p0096] 图11 (Fig. 11) 的图注中提到了“5: Buried capacitor”（埋入式电容器）。 | 对比文件仅在附图说明中提及了“埋入式电容器”的存在（图11中元件5），但未在任何文字部分描述该电容器的具体结构、如何形成、以及与通孔的关系。特别是，完全没有公开“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”这一核心结构特征。在目标专利中，该特征是实现电容器直接在通孔顶部形成、减少串联电阻的关键。对比文件未提供任何关于电容器与通孔具有此种位置和结构关系的信息。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 由于对比文件未公开技术特征D中所述的特定电容器结构，因此自然也未能公开该电容器的极板是否“在所述基板以外”。目标专利说明书强调极板在基板以外（例如在基板之上，见[0033]），对比文件对此没有记载。 |
| **F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征限定了电容器通过所述通孔耦合至第一导电结构（即电感器的一部分）。由于对比文件未公开与通孔具有特定位置关系的电容器（特征D），因此也必然未公开电容器与通孔及第一导电结构之间的这种具体耦合关系。 |
| **G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>**《直接公开》** | [p0021] “...vias are present in between metal layers...” <br> [p0096] 图11 (Fig. 11) 中标注了“4: Buried via”（埋入式通孔）、“6: Stacked vias”（堆叠通孔）、“7: Blind via”（盲孔）。 <br> 图2 (Fig. 2) 显示了多个通孔（240, 210）。 | 对比文件公开的电感器包含多个通孔（vias），例如图2中的240和210，它们至少部分地延伸穿过介质层（对应于基板的层叠结构），共同构成三维螺旋电感器的不同部分。说明书[p0021]也明确提到通孔位于金属层之间。因此，“第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分”这一特征被直接公开。 |
| **H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构** <br>**《直接公开》** | 图2 (Fig. 2) 展示了顶层金属241（可视为第二导电结构）通过通孔240（第二通孔）耦合至中间层金属211（可视为第一导电结构）。整个结构包括通孔210（第一通孔）、通孔240（第二通孔）、底层金属200（另一导电结构）、中间层金属211（第一导电结构）和顶层金属241（第二导电结构），它们共同构成电感路径。 | 对比文件的附图（图2）和相应说明清晰地展示了一个由多个金属层（导电结构）和连接它们的通孔构成的完整电感器结构。具体地，中间金属层（第一导电结构）通过一个通孔（第二通孔）与顶层金属（第二导电结构）耦合。整个器件包含所述的通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构。这直接公开了该技术特征。 |
| **I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器** <br>**《未公开》** | [p0021] “In between metal layers an insulation layer, typically a dielectric, such as silicon oxide, low k-dielectric, and high-k dielectric, is present.” <br> [p0096] 图11 (Fig. 11) 标注了“5: Buried capacitor”。 | 对比文件公开了金属层之间存在介电层（绝缘层），但未提及电容器的极板是否位于“层间电介质(ILD)层中”。更重要的是，对比文件虽然同时提到了电感器和电容器，但从未描述或暗示将所述的多通孔电感器和所述的电容器组合形成一个“谐振电路”。目标专利中，该谐振电路（如LC谐振电路）是器件的一个重要功能特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔** <br>**《隐含公开》** | [p0059] “Preferably the laminate is chosen from the group consisting of laminate substrates such as PCB, LTCC, organic laminates and equivalents.” <br> [p0005] “Solenoids have been realized in ICs (such as on Silicon or glass substrate).” | 对比文件明确提到了“玻璃基板”（glass substrate）作为实现螺线管的载体之一。虽然对比文件未使用“透玻通孔（TGV）”这一具体术语，但本领域技术人员公知，在玻璃基板中制作穿过基板的垂直互连通孔即构成透玻通孔。当对比文件公开了在玻璃基板上制作三维螺旋电感器并必然使用通孔进行垂直互连时，本领域技术人员能够毫无疑义地理解，这些通孔即为穿过玻璃基板的通孔，即隐含公开了“透玻通孔”。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>**《直接公开》** | [p0059] “Preferably the laminate is chosen from the group consisting of laminate substrates such as PCB, LTCC, organic laminates and equivalents.” <br> [p0005] “Solenoids have been realized in ICs (such as on Silicon or glass substrate).” <br> [p0065] 表2 (Table 2) 列出了多种层压板材料，包括基于石英/玻璃纤维、PTFE（可视为塑料类）等的基板。 | 对比文件明确列举了可用于其器件的基板类型，包括玻璃基板（glass substrate）、硅基板（Silicon）、有机层压板（其成分包含石英/玻璃纤维、PTFE等，可对应石英基板、塑料基板或罗杰斯层叠的概念）。虽然并未列出目标专利权利要求中的所有具体材料（如SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN），但其公开的基板类型（玻璃、石英纤维增强塑料、有机层压材料）已落入权利要求K所列举的“玻璃基板、石英基板、罗杰斯层叠、或塑料基板”的范围之内。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>**《直接公开》** | [p0021] “Preferably the metal layers comprise an element chosen from the group of copper, aluminum, tungsten, or combinations thereof. Also the vias may be formed of such a metal, or combinations thereof.” <br> [p0059] “...it allows to use metals that have a low melting point such as silver which is better for RF performance than Tungsten...” | 对比文件明确公开了通孔（vias）由金属形成，并具体列举了铜（copper）、钨（tungsten）、银（silver）等金属材料。这直接对应于“金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者”。金（Au）虽未明确列出，但作为本领域常用的高导电金属，在提及银、铜时，本领域技术人员容易联想到金。但即使不考虑金，铜、钨、银已被明确公开。 |
| **M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者** <br>**《直接公开》** | [p0021] “In between metal layers an insulation layer, typically a dielectric, such as silicon oxide, low k-dielectric, and high-k dielectric, is present.” <br> [p0059] “Various types of alumina exist...” （氧化铝即Al2O3） | 对比文件明确记载了金属层之间的绝缘层是介电材料，并举例提到了“二氧化硅”（silicon oxide，即SiO2）和“氧化铝”（alumina，即Al2O3）。这直接落入权利要求M所列举的材料范围内。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 对比文件通篇描述了金属填充的通孔（如[p0021]），但从未提及通孔内部具有“聚合物核”的结构。目标专利中（见图3及[0044]），具有聚合物核的金属结构是一种特定的通孔实施方式，用于提供结构支撑或降低成本。对比文件未公开此特征。 |
| **O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征限定了电容器极板和电介质在垂直方向上位于通孔的表面之上，这是目标专利实现电容器在通孔顶部直接集成的关键位置关系。对比文件未公开任何电容器具有此种相对于通孔的空间位置关系。因此，该特征未被公开。 |
| **P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征描述了电容器、通孔和导电结构之间非常具体的三维空间位置关系（共轴且相交）。对比文件完全没有描述电容器与电感器结构之间存在如此精确的几何位置关系。因此，该特征未被公开。 |
| **Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征同样涉及通孔方向与电容器极板表面的垂直关系及轴向相交。由于对比文件未公开如特征O所述的位于通孔顶部的电容器结构，因此也无法公开通孔与这种电容器极板之间的方向与相交关系。 |
| **R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征比较通孔表面与电容器极板表面的相对大小。对比文件未公开位于通孔顶部的电容器，因此不存在对两者表面大小进行比较的基础。该特征未被公开。 |
| **S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 同上，对比文件未公开位于通孔顶部的电容器，因此无法比较两者表面大小是否相同。该特征未被公开。 |
| **T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 同上，对比文件未公开位于通孔顶部的电容器，因此无法比较两者表面大小。该特征未被公开。 |
| **U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。对比文件未公开如特征D所述的位于通孔与极板之间的电介质，更未公开在通孔与该电介质之间还存在第二电介质。该特征未被公开。 |
| **V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔** <br>**《隐含公开》** | [p0096] 图11 (Fig. 11) 标注了“7: Blind via”（盲孔）和“6: Stacked vias”（堆叠通孔）。 <br> 对比文件描述了在多层结构中制作通孔以实现三维互连。 | 对比文件明确提到了“盲孔”（Blind via，即不贯穿整个基板的通孔）和“堆叠通孔”（Stacked vias）。本领域技术人员能够理解，为了在多层基板内形成复杂的三维电感路径，完全可能使用部分延伸穿过基板的盲孔（对应于“部分地延伸穿过所述基板”），并且通过堆叠或连接，使多个通孔在基板内部实现电连接（“在所述基板内结合”）。同时，构成一个完整的多通孔电感器必然需要多个通孔（包括至少第三通孔）。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上** <br>**《未公开》** | （未找到相关描述） | 该特征综合了通孔贯穿基板以及电容器垂直位于通孔之上两个核心位置关系。对比文件虽然可能公开了延伸穿过基板（或基板叠层）的通孔（但未明确说明是“穿过基板”还是仅在层间介质中），但最关键的是，完全没有公开电容器以“垂直位于通孔上”的方式集成。因此，该特征未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<G>>><<<H>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>>
<<<j>>><<<v>>>