对比文件名称：1997-12-09_US5696471A_发明授权_US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors
目标专利名称：在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述与公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>**《直接公开》** | [2] FIG. 1 is a perspective view showing a solid spiral inductor device and an inductive coupling filter using the same according to Embodiment 1 of the present invention;... the solid spiral inductor in this embodiment is formed on a two-layered substrate 150... | 对比文件明确公开了其固体螺旋电感器形成在基板（substrate）上，例如“two-layered substrate 150”。本领域技术人员可直接毫无疑义地得出该器件包括基板。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>**《直接公开》** | [2] ...an inductor 134 formed by coupling a linear pattern 108 formed in an area 103 on the first layer 151 to a linear pattern 109 formed in an area 106 on the second layer 152 by means of holes (through-holes) 113 to 116... | 对比文件公开了通过通孔（holes/through-holes， 如113-116）连接不同层上的线性图案以形成电感器（如电感器134）。这些通孔必然至少部分地穿过基板延伸，并构成电感器的一部分。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>**《直接公开》** | [2] ...an inductor 134 formed by coupling a linear pattern 108 formed in an area 103 on the first layer 151 to a linear pattern 109 formed in an area 106 on the second layer 152 by means of holes (through-holes) 113 to 116... | 对比文件中的“linear patterns”（如108， 109）是设置在基板层（first layer 151, second layer 152）上的导电图案。它们通过通孔（如113-116）相互连接，从而形成电感器。这些线性图案即是置于通孔之间并耦合至通孔的、位于基板上的导电结构。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>**《未公开》** | [2] FIG. 2A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the inductive coupling filter according to Embodiment 1... capacitor 132 indicates coupling capacity (Ci1) between one end of the inductor 134 and the input side (power source 131), capacitor 133 indicates a floating capacity (C1) between one end of the inductor 134 and the electrically neutral surface 102... | 对比文件公开了电容器（如132，133），但其作为电路中的等效耦合电容或寄生（浮动）电容存在，并非如目标专利权利要求所限定的、具有特定位置关系的实体结构件。目标专利的“电容器”是具体结构，其电介质直接位于通孔与电容器的极板之间，从而使得电容器直接集成在通孔上（如说明书[0030]-[0031]段所述）。对比文件未公开这种以通孔作为电容器一部分（如极板或直接连接极板）的实体结构。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 由于技术特征D的实体电容器结构未被公开，其极板位于基板以外的位置特征也无从谈起。对比文件中的电容器是电路等效元件，不涉及物理极板在基板内外的位置关系。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了电容器通过所述通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开技术特征D所述的实体电容器结构，因此也就不存在该电容器通过通孔耦合至导电结构的技术方案。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>**《直接公开》** | [2] ...an inductor 135 formed by coupling a linear pattern 108 formed in an area 104 on the first layer 151 to a linear pattern 109 formed in an area 107 on the second layer 152 by means of holes (through-holes) 123 to 126... | 对比文件公开了多个电感器（如134和135），每个电感器都通过多个通孔形成。例如，电感器135由通孔123-126形成，这些通孔至少部分地延伸穿过基板并构成该电感器（即多通孔电感器的第二部分）。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>**《直接公开》** | [2] ...an inductor 134 formed by coupling a linear pattern 108... to a linear pattern 109... by means of holes (through-holes) 113 to 116... | 对比文件中的每个电感器（如134）由位于不同层（第一层151和第二层152）的线性图案（第一导电结构108和第二导电结构109）通过通孔（如113-116）连接而成。这构成了多通孔电感器，其包括通孔、连接不同层导电结构的通孔、以及这些导电结构本身。因此，技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未提及“层间电介质(ILD)层”。此外，虽然其公开了包含电感器和电容器（等效电路）的滤波器电路，但未明确公开如目标专利说明书[0036]段所述的、由所述多通孔电感器和所述（特定结构的）电容器构成的“谐振电路”。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件仅提及“printed circuit board”或“substrate”，未具体公开其基板材料为“玻璃型基板”，也未公开“透玻通孔（TGV）”。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未公开基板的具体材料，更未公开所列出的任何一种特定材料。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件虽然提到“through-holes”，但未公开其填充物是否为金属，更未公开具体的金属材料（如Cu， W， Ag， Au）。因此，技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未公开其实体电容器的电介质材料，更未公开所列出的任何一种特定电介质材料。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件未公开通孔内具有“聚合物核”的金属结构。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了电容器极板和电介质在垂直方向上与通孔表面重叠的位置关系。由于对比文件未公开技术特征D所述的实体电容器结构，因此这种特定的垂直位置关系也无从公开。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了电容器、通孔和导电结构之间非常具体的空间位置关系。对比文件未公开技术特征D所述的实体电容器结构，也未描述电容器与基板表面、通孔轴线及导电结构之间如此具体的位置关系。因此，技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了通孔延伸方向与电容器极板表面垂直，且通孔轴线与极板区域相交。对比文件未公开技术特征D所述的实体电容器结构及其极板，因此这种通孔与极板之间的几何关系未被公开。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。由于对比文件未公开技术特征D所述的实体电容器结构，因此这种尺寸比较关系未被公开。因此，技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 同技术特征R，对比文件未公开技术特征D，因此这种尺寸关系未被公开。因此，技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 同技术特征R，对比文件未公开技术特征D，因此这种尺寸关系未被公开。因此，技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征限定了电容器具有两层电介质。对比文件未公开技术特征D所述的实体电容器结构，更未公开其具有两层电介质。因此，技术特征U未被公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 对比文件公开的通孔（如113-116）被描述为“through-holes”，通常意味着完全穿过基板。未公开“部分地延伸穿过所述基板”的盲孔，也未公开两个通孔在基板内结合的结构，以及包含三个此类通孔的多通孔电感器。因此，技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>**《未公开》** | 无对应内容。 | 该特征结合了通孔完全穿过基板以及电容器部件垂直位于通孔之上的位置关系。虽然对比文件公开了通孔（through-holes）延伸穿过基板，但未公开技术特征D所述的实体电容器结构，因此电容器部件垂直位于通孔之上的技术方案未被公开。因此，技术特征W未被公开。 |
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