对比文件名称：2011-04-20_CN101221947B_发明授权_CN101221947B 具有半导体芯片和无源部件的半导体部件及其制造方法
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A**：包括：基板<br>《隐含公开》 | [0005]：“...塑料面板形式的基板...”；<br>[0012]：“...在塑料封装中嵌入半导体芯片和作为无源部件的线圈，在它的塑料封装化合物中...”；<br>[0047]：“...塑料封装化合物5完全覆盖了半导体芯片2的背面41和端面45和46，和线圈芯24的背面42...” | 对比文件公开了“塑料封装化合物5”（见[0012], [0047]）或“复合晶片34”（见[0047]），其作为半导体芯片和无源部件的载体，起到了结构支撑和封装的作用，这与目标专利中“基板”作为器件结构基础和支撑体的作用相同。虽然对比文件的基板材质（塑料封装化合物）与目标专利说明书中列举的玻璃、石英等具体材质不完全相同，但其作为承载其他部件的基底功能是相同的。本领域技术人员可以毫无疑义地认识到该封装体即为一种基板。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>《直接公开》 | [0007]：“...垂直线圈段14和15具有经由塑料封装4的塑料封装化合物5的通路。”；<br>[0050]：“...肓孔35...在已用诸如这些的导电材料填充肓孔35形成垂直线圈段15和16之后...”；<br>[0059]：“...孔36为通过塑料封装化合物5的通路的形式...”；<br>[0060]：“...在用导电材料填充孔形成线圈段14和15之后...” | 对比文件明确公开了在塑料封装化合物5（即基板）中形成孔（盲孔35或通孔36）并填充导电材料，从而构成“垂直线圈段14和15”（见[0050], [0060]）。这些垂直线圈段至少部分地穿过基板延伸，并且与水平线圈段（如下布线结构11和上布线结构10）共同构成线圈（电感器）的一部分（见[0007]）。这完全对应于目标专利中“至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《隐含公开》 | [0007]：“...水平线圈段16由具有端20和21的上互连段18的上布线结构10来形成，而布置在下平面表面29上的水平线圈段17由具有端22和23的下互连段19的下布线结构11形成。”；<br>[0008]：“...垂直线圈段14和15从接近于半导体部件1的较高面的区域中的上布线结构10延伸到接近于半导体部件1的较低面的区域中的下布线结构11...”；<br>图1，图10，图16，图22等示出了水平布线结构连接多个垂直段。 | 对比文件公开了“上布线结构10”和“下布线结构11”（即导电结构），它们位于基板（复合晶片34）的表面上（见[0007]）。这些布线结构连接了多个垂直线圈段（即通孔），例如将垂直线圈段14和15的端部连接起来（见[0008]），从而构成螺旋线圈（即多通孔电感器）的一部分。本领域技术人员可以理解，为了形成完整的线圈匝，必然存在连接相邻两个垂直通孔的导电结构（即水平线圈段），该导电结构位于基板表面并置于这两个通孔之间。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>《未公开》 | 无 | 对比文件全文均未提及任何电容器结构，更未公开一个其电介质位于通孔与极板之间的电容器。对比文件的核心在于制造包含线圈（电感器）的半导体部件，其无源部件（[0001]）明确指电阻器、电容器和线圈，但在具体实施例中仅详细描述了线圈的制造。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>《未公开》 | 无 | 由于对比文件未公开特征D所述的电容器，因此该进一步限定电容器的极板位置的特征也必然未被公开。 |
| **特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了电容器通过所述通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开电容器，因此该连接关系也未被公开。 |
| **特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《未公开》 | [0007]：“...垂直线圈段14和15具有经由塑料封装4的塑料封装化合物5的通路。”；<br>[0050]：“...肓孔35...形成垂直线圈段15和16...” | 对比文件公开了多个垂直线圈段（例如14和15），它们都可以视为通孔。特征G中明确限定了“第二通孔”是“所述多通孔电感器”的组成部分，并特指与特征C中“所述通孔”不同的另一个通孔。虽然对比文件公开了多个通孔（垂直线圈段），但并未在技术方案中明确区分“通孔”和“第二通孔”并描述其耦合关系。特征G是依赖于特征D、E、F等构建的完整电感器-电容器谐振电路方案中的一部分，而对比文件仅公开了独立的电感器结构。因此，该具体限定的“第二通孔”及其作为电感器“第二部分”的角色未被公开。 |
| **特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>《未公开》 | [0007]：“...水平线圈段16...由...上布线结构10来形成...水平线圈段17由...下布线结构11形成。”；<br>[0008]：“...垂直线圈段14和15...使上互连段18的端20和21连接到下互连段19的端22和23。” | 该特征进一步定义了多通孔电感器由通孔、第二通孔、第一导电结构和第二导电结构组成。对比文件确实公开了由多个垂直线圈段（通孔）和上下布线结构（导电结构）组成的线圈。然而，特征H的表述与目标专利的权利要求书上下文紧密相关，它依赖于前序部分限定的“第一导电结构”等概念。在对比文件中，虽然存在“上布线结构10”和“下布线结构11”，但它们并未被定义为“第一导电结构”和“第二导电结构”，且其连接关系（例如“第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构”）的表述在对比文件中没有对应。更重要的是，该特征是作为包含电容器的谐振电路的一部分进行限定的，而对比文件未公开电容器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开电容器，因此也未公开其极板位于ILD层中。同时，对比文件虽然公开了线圈（电感器），但未将其与电容器组合以形成谐振电路。因此，该技术特征未被公开。 |
| **特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>《未公开》 | [0005]：“...塑料面板形式的基板...”；<br>[0012]：“...在它的塑料封装化合物中...” | 对比文件明确公开其基板是“塑料面板”或“塑料封装化合物”（见[0005], [0012]），并非目标专利中具体限定的“玻璃型基板”或“透玻通孔”。虽然目标专利说明书列举了多种基板材料，但对比文件并未公开这些特定类型。因此，该技术特征未被公开。 |
| **特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《未公开》 | [0005]：“...塑料面板形式的基板...”；<br>[0012]：“...在它的塑料封装化合物中...” | 对比文件仅公开了基板为塑料材料（塑料面板/塑料封装化合物）。虽然“塑料基板”属于目标专利列举的选项之一，但特征K是以选择方式列出的一系列具体基板类型。对比文件公开了“塑料”，可以被认为隐含公开了“塑料基板”这一选项。然而，严格来说，特征K是作为对基板材料的进一步限定，其公开与否不影响对前序特征“基板”的已有判断。从对比文件公开的具体内容看，其基板是用于封装目的的塑料化合物，与目标专利中可能用于承载电路的基板（如玻璃、半导体等）在材料性质和应用场景上存在差异。但为了避免遗漏，可以认为对比文件部分公开了“塑料基板”这一具体选项。然而，考虑到特征K是作为整体技术方案的一部分，且对比文件未公开其他基板类型，从整体方案来看，该特征未被对比文件公开。 |
| **特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《未公开》 | [0050]：“...用导电材料填充肓孔35形成垂直线圈段...”；<br>[0060]：“...该导电材料可具有金属或重掺杂的多晶硅。” | 对比文件公开了用“导电材料”或“金属”填充孔以形成垂直线圈段，但未具体公开填充金属的种类是铜、钨、银或金中的至少一种。其提到的“重掺杂的多晶硅”甚至不属于目标专利所列举的金属范围。因此，该具体限定的金属材料特征未被公开。 |
| **特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开电容器，因此也未公开电容器的电介质及其具体材料。该技术特征未被公开。 |
| **特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>《未公开》 | 无 | 对比文件公开了用导电材料填充孔形成垂直线圈段，但未提及通孔内部具有“聚合物核”的金属结构。目标专利的该特征（参见说明书[0044]）涉及一种特定的通孔结构（金属包覆聚合物核），而对比文件未公开任何相关内容。因此，该技术特征未被公开。 |
| **特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了电容器与通孔之间的垂直堆叠位置关系，是目标专利的核心结构之一。由于对比文件未公开电容器，因此这种特定的位置关系也未被公开。 |
| **特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>《未公开》 | 无 | 该特征描述了电容器、通孔和导电结构之间复杂的空间位置关系。由于对比文件未公开电容器，也未明确公开“第一导电结构”与基板第二表面的毗邻关系（虽然下布线结构11位于基板下表面，但未被定义为“第一导电结构”），且未描述所述轴线与电容器部件的相交关系，因此该技术特征未被公开。 |
| **特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>《未公开》 | 无 | 该特征同样限定了通孔与电容器极板之间的垂直位置关系。由于对比文件未公开电容器及其极板，因此该技术特征未被公开。 |
| **特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。由于对比文件未公开电容器，因此该技术特征未被公开。 |
| **特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。由于对比文件未公开电容器，因此该技术特征未被公开。 |
| **特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。由于对比文件未公开电容器，因此该技术特征未被公开。 |
| **特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开电容器，因此该技术特征未被公开。 |
| **特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>《未公开》 | 无 | 该特征描述了通孔在基板内结合以及包含第三通孔的复杂电感器结构。对比文件中的垂直线圈段是独立的孔，未公开它们在基板内部“结合”。此外，也未明确区分和限定“通孔”、“第二通孔”、“第三通孔”及其组成关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>《未公开》 | [0059]：“...孔36为通过塑料封装化合物5的通路的形式...”；<br>[0060]：“...在用导电材料填充孔形成线圈段14和15之后...” | 对比文件公开了“孔36”为“通过塑料封装化合物5的通路”，即延伸穿过基板。然而，该特征后半部分限定了电容器极板和电介质垂直位于通孔上，这是目标专利的核心。由于对比文件未公开电容器，因此该完整的特征组合（通孔穿过基板且电容器位于其上）未被公开。 |
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