对比文件名称：2005-06-22_CN1630946A_发明公开_CN1630946A 电子电路部件
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：deepseek-ai/DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：包括：基板 《直接公开》 | 说明书实施例1段落：“图1中，1是玻璃基板(日本电气玻璃公司，BLC)，其厚度为0.50mm。” | 对比文件明确公开了“玻璃基板”。该基板在对比文件中作为承载电容、电感、电阻等元件的绝缘性基板，其作用与目标专利中作为器件支撑结构的基板相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。 |
| B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔 《隐含公开》 | 说明书实施例5段落：“然后通过微喷砂法在玻璃基板中形成贯通孔。然后剥离光刻胶膜，用溅射法和玻璃基板表面上和通孔内壁上形成电镀用籽膜Cr：50nm，Cu：500nm。...然后进行Cu电镀形成通孔内部的导通层。” 以及说明书“发明内容”部分：“与上述金属布线电连接的在上述贯通孔内部形成的导体部”。 | 对比文件公开了在玻璃基板中形成的“贯通孔”及其内部的“导体部”，该导体部用于电连接基板两侧的电路（例如图16）。目标专利说明书（如[0034]段）描述了“多通孔电感器”可以包括通孔、导电结构等。虽然对比文件未明确将该“贯通孔”称为电感器的一部分，但本领域技术人员公知，通过基板的导体（如通孔）与基板上的导电结构（如布线）可以共同构成电感结构（如螺线管型或部分环路）。因此，本领域技术人员有可能通过推理，认为对比文件中用于连接两侧电路的贯通孔和导体部可以构成电感器的一部分。 |
| C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构 《隐含公开》 | 说明书实施例7结合图6-7及图11：“30是兼作电感层和上部电极的层”，“34是焊球的外部电极。可由Cu构成的下部电极层27、兼作电感层和上部电极的层30、用来与布线和外部连接的层32由位于各层间的有机绝缘层29和31中的通路孔连接起来。” 说明书“发明内容”部分：“连接上述元件的金属布线”。 | 对比文件公开了连接元件的“金属布线”和“电感层”（如螺旋型电感）。目标专利中“多通孔电感器”的“导电结构”可以是金属布线或金属层。虽然对比文件未明确描述一个导电结构同时耦合到两个通孔并置于它们之间以形成电感器，但根据对比文件图16（实施例9）所示，基板两侧的电路通过贯通孔20内的导体部21连接，两侧均有金属布线（导电结构）。本领域技术人员可以理解，通过设计布线图案和多个通孔的位置，完全可以用这些导电结构和通孔形成电感性的电流路径，即构成电感器。因此，该特征被隐含公开。 |
| D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间 《未公开》 | 说明书实施例1段落：“电容元件3全部是由下部电极3a、介电体材料3b、上部电极3c构成的三层结构。” 电容器结构与通孔的关系参见图1、2、5、6等，电容器（如下部电极3a）通过金属布线与通孔连接，而非电介质直接位于通孔与极板之间。 | 目标专利的核心在于电容器与通孔的集成方式：电容器的**电介质**直接位于**通孔**与电容器的**极板**之间（参见说明书[0030]、[0046]、[0051]段），通孔可以直接作为电容器的一个电极（如图4、5）或通过第一极板电耦合（如图1-3）。对比文件公开的电容器是独立结构，由下部电极、介电体材料、上部电极构成（如电容元件3），其电介质位于两个电极板之间。对比文件中的通孔（贯通孔）是独立的导体部，用于层间电连接，电容器通过金属布线与通孔连接（如图1、2、5、6等）。对比文件完全没有公开或暗示“电容器的电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一特定的垂直堆叠和集成结构。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。 《直接公开》 | 说明书实施例1结合图1：“电容元件3全部是由下部电极3a、介电体材料3b、上部电极3c构成的三层结构。下部电极3a由Cu构成，介电体材料3b由Ta的氧化物构成，上部电极3c由Cu构成。” 这些电极层均形成于玻璃基板1的上方，并未嵌入基板内部。 | 对比文件中的电容器电极（如下部电极3a、上部电极3c）是通过在基板上沉积和图案化金属层形成的，它们位于基板的表面之上，即“在基板以外”。这与目标专利中“电容器的极板在基板以外”（例如图1的第二极板108在基板102之上）的作用和位置相同。因此，该特征被直接公开。 |
| F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。 《隐含公开》 | 说明书实施例5结合图2：展示了包含贯通孔及导体部的结构，电容器（如3，3’）与其它元件通过金属布线连接。说明书实施例9结合图16：展示了基板两侧的电路通过贯通孔20内的导体部21电气连接。 | 对比文件公开了贯通孔内部的导体部用于电连接基板两侧的电路（包括电容器、电感器等）。虽然没有明确命名“第一导电结构”，但对比文件中的金属布线（例如连接电容器的布线）和贯通孔导体部共同实现了电路元件的互连。本领域技术人员可以理解，电容器可以通过贯通孔导体部耦合到基板另一侧的导电结构（布线或电极）。因此，该特征被隐含公开。 |
| G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分 《隐含公开》 | 说明书实施例9结合图16：在玻璃基板1内设置有贯通孔20，其内部填充导体部21，用于连接两侧电路。对比文件多个实施例均涉及在基板中形成贯通孔。 | 对比文件公开了在基板中形成贯通孔（即通孔）以实现电连接。目标专利的“多通孔电感器”需要至少两个通孔。虽然对比文件未明确描述一个电感器由多个通孔构成，但本领域技术人员基于对比文件公开的“在基板中形成贯通孔”这一技术手段，可以合理推断，为了形成更复杂的电路或特定形状的电感（如增加匝数），可以使用多个贯通孔。因此，使用“第二通孔”作为电感器的一部分是隐含公开的。 |
| H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。 《隐含公开》 | 说明书实施例9结合图16：基板两侧均有金属布线和元件（如电容元件3, 13；电感元件4, 14），它们通过贯通孔20内的导体部21电气连接。 | 对比文件公开了基板两侧均有导电结构（金属布线/电极层），并通过贯通孔内的导体部实现电连接。虽然对比文件未明确将这些通孔和导电结构的组合定义为一个“多通孔电感器”，但根据电感器的基本原理，由多个通孔和连接它们的平面导电结构可以形成电感路径（例如，一个通孔-上表面布线-另一个通孔-下表面布线构成环路）。本领域技术人员基于对比文件公开的贯通孔和两侧布线的结构，有可能推理出通过特定布局可以构成包含通孔和导电结构的电感器。因此，该特征被隐含公开。 |
| I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。 《隐含公开》 | 说明书实施例1段落：“在该形成了上部电极、电阻体电极和电感元件的面上旋涂感光性聚酰亚胺HD6000...形成有机绝缘材料。” 以及说明书实施例7段落：“图5所示的把LC滤波电路单芯片化的电子电路部件的例子。” | 1. 对比文件中的“有机绝缘材料”（如感光性聚酰亚胺）覆盖在布线周围，起到绝缘和机械保护作用，其功能类似于目标专利中的“层间电介质(ILD)层”。电容器电极被这些有机绝缘材料包围或位于其下。2. 对比文件实施例7明确公开了将LC滤波电路（即一种谐振电路）单芯片化，该电路必然包含电感（L）和电容（C）元件。结合前述关于通孔和导电结构可构成电感的隐含公开，本领域技术人员可以推理出谐振电路可包含由这些元件构成的电感器和电容器。因此，该特征被隐含公开。 |
| J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。 《直接公开》 | 说明书实施例1段落：“图1中，1是玻璃基板(日本电气玻璃公司，BLC)，其厚度为0.50mm。” 说明书实施例5段落：“通过微喷砂法在玻璃基板中形成贯通孔。” | 对比文件明确将“玻璃基板”作为绝缘性基板，并公开了在其中形成“贯通孔”。该贯通孔穿过玻璃基板，其本质就是“透玻通孔”。两者作用完全相同，都是作为在玻璃基板中实现垂直电连接的结构。因此，该特征被直接公开。 |
| K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板 《直接公开》 | 说明书“背景技术”部分：“作为用来安装电子部件的布线基板，广泛使用在由含有的玻璃纤维的环氧树脂(玻璃环氧基板)或聚酰亚胺树脂等构成的树脂基板...或在由AlN(氮化铝)或SiC(碳化硅)等的陶瓷基板上形成W(钨)布线的基板。” 以及全文均以玻璃基板为例。 | 对比文件明确列举了多种可用的基板材料，包括玻璃基板、AlN、SiC等。虽然具体实施例主要使用玻璃基板，但说明书背景技术部分公开了其他材料（如AlN、SiC）也可用作基板。本领域技术人员可以毫无疑义地得出，玻璃基板是其中一种具体选择。因此，“玻璃基板”这一具体选项被直接公开，其他材料基于对比文件的教导也属于本领域技术人员容易想到的替代材料，可被认为隐含公开。出于严格比对，以直接公开的“玻璃基板”为准。 |
| L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者 《直接公开》 | 说明书实施例5段落：“用溅射法和玻璃基板表面上和通孔内壁上形成电镀用籽膜Cr：50nm，Cu：500nm。...然后进行Cu电镀形成通孔内部的导通层。” | 对比文件明确公开了用铜(Cu)电镀填充通孔内部以形成导体部。铜是目标专利权利要求所列金属之一。因此，该特征被直接公开。 |
| M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者 《直接公开》 | 说明书实施例1段落：“介电体材料3b由Ta的氧化物构成。” 说明书“发明内容”部分：“作为无机材料，...可举出例如Ta、Mg、Sr等的氧化物。具体地，可举出Ta2O5...”。 | 对比文件明确公开了使用“Ta2O5”（五氧化二钽）作为电容器的介电体材料。Ta2O5是目标专利权利要求所列材料之一。因此，该特征被直接公开。 |
| N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。 《未公开》 | 对比文件全文未提及在通孔内使用聚合物核。所有实施例中通孔均用金属（如Cu）填充。 | 目标专利的该特征（对应图3）描述了通孔具有金属结构和聚合物核的复合结构。对比文件仅公开了金属填充的通孔，完全没有提及在通孔内使用聚合物材料作为核。本领域技术人员无法从对比文件中得到或推理出该技术方案。因此，该特征未被公开。 |
| O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。 《未公开》 | 对比文件附图（如1, 2, 5, 6, 16等）显示，电容器（如下部电极3a、介电体3b、上部电极3c）是形成在基板表面上的平面结构，与贯通孔是水平相邻或通过布线连接的关系，不存在电容器极板和电介质垂直堆叠在通孔正上方的结构。 | 该特征是目标专利实现低电阻、小型化的关键结构之一（参见说明书[0037]段）。它要求电容器与通孔在垂直方向上直接对齐并堆叠。对比文件中的电容器和贯通孔是各自独立的元件，通过平面内的金属布线进行连接，不存在“垂直位于...上”的集成关系。因此，该特征既未被直接公开，也无法从对比文件隐含得出。 |
| P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。 《未公开》 | 对比文件附图16展示了一种可能结构：基板两侧都有元件。然而，电容器（如3）和另一侧的导电结构（可能是电感或布线）并未描述为被一条穿过通孔的垂直轴线同时穿过。对比文件未描述这种精确的垂直空间对齐关系。 | 该特征进一步限定了电容器、通孔和另一侧导电结构三者严格的垂直空间关系，是目标专利特定集成架构的体现。对比文件虽然公开了基板两侧有元件并通过通孔连接，但完全没有描述或暗示这种“一条垂直轴同时穿过三者”的特定几何关系。本领域技术人员无法从对比文件中得到或推理出该技术方案。 |
| Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。 《未公开》 | 同特征O、P的分析。对比文件未描述通孔与电容器极板在垂直方向上的对齐和相交关系。 | 该特征与特征O、P类似，强调了通孔与电容器极板在垂直方向上的投影重叠关系。对比文件中的通孔和电容器极板是平面布局关系，不存在这种垂直相交的限定。因此，该特征未被公开。 |
| R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。 《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 该特征涉及通孔与电容器极板的尺寸对比。对比文件完全没有提及通孔表面与电容器极板表面的面积比较。本领域技术人员无法从对比文件中得到或推理出该技术方案。 |
| S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。 《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 同上，该特征未被公开。 |
| T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。 《未公开》 | 对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 同上，该特征未被公开。 |
| U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。 《未公开》 | 对比文件中的电容器通常为单层介电体（如Ta2O5）或由有机绝缘材料兼作介电体（图2，3’b），未描述在通孔与主电介质之间还存在第二电介质层的结构。 | 该特征对应目标专利图4的结构（第二电介质402）。对比文件完全没有公开这种在通孔与电容器主电介质之间设置额外电介质层的方案。因此，该特征未被公开。 |
| V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。 《未公开》 | 对比文件未描述通孔在基板内部结合的结构，也未描述由三个通孔构成电感器。 | 该特征对应目标专利图6的复杂通孔电感结构（盲通孔在基板内结合）。对比文件仅公开了贯穿基板的通孔，未公开“盲通孔在基板内结合”这一特定结构，也未描述由三个通孔构成电感器。因此，该特征未被公开。 |
| W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。 《未公开》 | 同特征O的分析。对比文件中的电容器未垂直位于通孔之上。 | 该特征重申了电容器与通孔的垂直堆叠关系，是目标专利的核心创新点之一。对比文件未公开该结构。因此，该特征未被公开。 |
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