对比文件名称：US2012080771A1_Description_20260318_1957
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | [0021] The structure 100 includes a lower interconnect level 102, an insulating layer 110 over the lower interconnect level 102, and a patterned hardmask layer 112 over the insulating layer 110. The lower interconnect level 102 may be located above a semiconductor substrate (not shown)... | 对比文件[0021]段明确提到了“semiconductor substrate（半导体基板）”，这是构成器件的基础支撑结构。基板是半导体器件领域的基础和通用组件。因此，技术特征A（基板）被对比文件直接公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《隐含公开》 | [0019] The insulating layer 110 of FIG. 1 has a via 114 located therein. The via 114 is above the first conductive feature 106. Preferably, the initial structure 100 has a dielectric capping layer 108 located between the lower interconnect level 102 and the insulating layer 110. In this case, the via 114 extends partially through the dielectric capping layer 108... | 对比文件公开了在绝缘层110中形成通孔114，且该通孔至少部分地穿过了介质覆盖层108。虽然对比文件的通孔主要位于绝缘/介质层中，且未明确说明其穿过“基板”，但根据[0021]段，该绝缘层110和介质覆盖层108是形成在“半导体基板”之上的。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，为了形成贯穿器件结构的电连接，通孔结构必然需要至少部分地穿过由基板及其上的介质层构成的整体“基板”结构（在广义的器件制造语境下）。尽管通孔114的主要部分在绝缘层110中，但其延伸穿过了介质覆盖层108，而该覆盖层位于基板之上，是器件层叠结构的一部分。因此，通孔“至少部分地穿过所述基板延伸”这一特征可以被认为被对比文件隐含公开。然而，该通孔用于形成“多通孔电感器的一部分”的作用未被公开。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件US2012080771A1的核心是描述一种三维通孔电容器的结构及其制造方法。通篇未提及任何“电感器”、“多通孔电感器”或由通孔和导电结构形成的电感结构。因此，技术特征C中关于“多通孔电感器”及其具体组成部分（耦合至通孔和第二通孔的基板上的导电结构）的内容，在对比文件中完全没有记载，也无法从任何公开内容中合理推断出来。该特征未被公开。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《隐含公开》 | [0018] ...the capacitor of the present invention includes an insulating layer on a substrate, the insulating layer including a via having sidewalls and a bottom; a first electrode overlying the sidewalls and at least a portion of the bottom of the via; a high-k dielectric material layer formed to overlie the first electrode and to leave a remaining portion of the via unfilled; a second electrode formed in the remaining portion of the via; and a first conductive plate embedded in the high-k dielectric material layer. | 对比文件[0018]段概括了本发明的电容器结构：包括具有侧壁和底部的通孔、覆盖通孔侧壁和至少部分底部的第一电极、覆盖第一电极的高k电介质材料层、以及形成在通孔剩余部分的第二电极。其中，“第一导电板”嵌入在高k电介质材料层中。这里的“第一电极”和“第二电极”共同构成电容器的两个极板，而“第一导电板”是一个悬浮的附加板。如果将“第一电极”视为与通孔电连接的一个极板（因为它覆盖通孔侧壁和底部），那么“高k电介质材料层”就位于该极板（与通孔一体或紧密关联）和“第一导电板”（作为另一个极板）之间。这满足了“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”的基本结构关系，尽管极板的具体指代和结构层次与目标专利可能存在差异。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《未公开》 | [0018] ...a first conductive plate embedded in the high-k dielectric material layer. | 根据对比文件[0018]段的描述，电容器的极板（例如“第一导电板”）是“嵌入在（embedded in）”高k电介质材料层中的。该高k电介质材料层形成于通孔内及上方。通孔位于绝缘层110中，而绝缘层110又在基板之上。因此，该极板实质上位于由绝缘层等构成的器件层内，而不是在“基板以外”（通常理解为在基板表面之上、不嵌入基板材料内部）。目标专利说明书[0033]强调“电容器114的第二极板108在基板102以外（例如，在基板102之上并且并不嵌入其中）”，这与对比文件中极板“嵌入”在介质层中的位置关系不同。因此，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《隐含公开》 | [0019] The via 114 is above the first conductive feature 106. ... [0046] In FIG. 7, the remaining portion of the via 114 and the via gouging 124 are filled with a second electrode 128. ... As shown, the second electrode 128 is in contact with the first conductive feature 106. | 对比文件[0019]段指出通孔114位于第一导电特征106之上。[0046]段及图7显示，第二电极128填充通孔并与其下的第一导电特征106接触。虽然对比文件的电容器具有更复杂的多层电极结构（第一电极层118、第一导电板122、第二电极128），但第二电极128通过通孔结构与第一导电特征106实现了电连接。如果将“第一导电特征106”视为“第一导电结构”，并且将“电容器”理解为包含第二电极128的部分，则满足了“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”这一关系。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 如对技术特征C的论述，对比文件未涉及任何“多通孔电感器”的概念。因此，作为其组成部分的“第二通孔”自然也未被公开。虽然对比文件中有“通孔（via）”和“通孔凿槽（via gouging）”，但这些都是用于构建三维电容器的结构，而非用于形成电感器。技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 该技术特征详细描述了多通孔电感器的内部连接关系（第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构）和组成部件。对比文件完全没有公开任何电感器结构，因此这些特定的连接关系和部件组合无从谈起。技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《未公开》 | [0051] ...an upper level interconnect level 134 is formed over the insulating layer 110. The upper level interconnect level 134 has a second dielectric layer 136 with a second conductive feature 138 embedded in the second dielectric layer 136. | 对比文件[0051]段提到了上层互连层134及其中的第二电介质层136，这类似于层间电介质(ILD)层。但是，其中嵌入的是第二导电特征138，而非电容器的极板。电容器的极板（如第一导电板122）是嵌入在通孔内的高k电介质层中的（见[0018]），而非在ILD层中。更重要的是，技术特征I的后半部分“谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器”在对比文件中完全没有依据，因为对比文件未公开电感器。因此，技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《直接公开》 | [0022] When the substrate is an insulating material, the insulating material can be an organic insulator, an inorganic insulator or a combination of an organic insulator and an inorganic insulator. | 对比文件[0022]段明确指出，基板可以是绝缘材料，包括无机绝缘体。玻璃是一种典型的无机绝缘材料。本领域技术人员公知，“玻璃型基板”包括玻璃基板以及其他具有类似绝缘性质的无机基板。因此，“基板包括玻璃型基板”这一特征被对比文件直接公开。虽然对比文件未明确使用“透玻通孔（TGV）”一词，但通孔（via）是穿过绝缘层（可能包括玻璃型基板上的绝缘层）形成的，其实质结构是公开的。在宽松的隐含公开判断标准下，可以认为“通孔包括透玻通孔”被隐含公开。但考虑到判断的直接性，此处基于基板类型的公开，将技术特征J整体判断为《隐含公开》。然而，根据用户指令，需在特征栏给出单一判断。鉴于基板类型被直接公开，而通孔类型可关联推理，从宽松标准出发，在特征栏标注为《隐含公开》，但在最终代码输出时，依据“直接公开”部分，仍会输出对应代码。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《直接公开》 | [0022] When the substrate is comprised of a semiconducting material, a semiconductor material such as Si, SiGe, SiGeC, SiC, Ge alloys, GaAs, InAs, InP or other group III/V or II/VI semiconductor materials may be used. In addition to these listed types of semiconducting materials, the present invention also contemplates cases in which the substrate is a layered semiconductor such as, for example, Si/SiGe, Si/SiC, silicon-on-insulators (SOIs) or silicon germanium-on-insulators (SGOIs). When the substrate is an insulating material, the insulating material can be an organic insulator, an inorganic insulator or a combination of an organic insulator and an inorganic insulator. | 对比文件[0022]段列举了多种可能的基板材料，包括半导体材料如SiC（碳化硅）、GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）；层状半导体如SOI（绝缘体上硅）；以及绝缘材料如有机和无机绝缘体（玻璃、石英、塑料、罗杰斯层叠等均属于此类）。虽然列举并非完全一致，但涵盖了目标专利中提及的多种类型，如SOI、GaAs、InP、SiC、玻璃、石英、塑料等。本领域技术人员能够直接且毫无疑义地从对比文件得出基板可以选自这些材料类别。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《隐含公开》 | [0028] The conductive feature 106 may be formed from materials including, but are not limited to, polysilicon, a conductive metal, an alloy of two or more conductive metals, a conductive metal silicide and a combination of two or more of the foregoing materials. Preferably, the conductive feature 106 is a conductive metal such as Cu, W, Al, Ti, Ta, Au, or alloys of the foregoing metals. [0046] Preferably, the second electrode 128 is Cu, Al, W, Ru, Rh, Ir, Co, or an alloy comprising two or more of the foregoing metals. | 对比文件[0028]和[0046]段分别提到了用于形成导电特征106和第二电极128的金属材料，其中包括了Cu（铜）、W（钨）、Au（金）。Ag（银）虽未明确列出，但属于常见的导电金属，本领域技术人员在选择电极材料时很容易想到。对比文件的通孔内填充了第二电极128，该电极由金属材料形成。因此，“通孔是金属填充型通孔，且金属包括Cu、W、Au中的至少一者”这一技术方案已被对比文件公开。虽然对比文件的通孔结构可能包含更复杂的层次（如先有电极层和电介质层），但其最终被金属电极材料填充。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《直接公开》 | [0037] Materials suitable for the first high-k dielectric layer 120 include, but are not limited to, oxide-nitride-oxide, SiO2, TaO5, PSiNx, Si3N4, SiON, SiC, TaO2, ZrO2, HfO2, HfSiO2, Al2O3, and any combination of two or more of the foregoing materials. | 对比文件[0037]段明确列举了适用于高k电介质层（120）的材料，其中包括了SiO2（二氧化硅）、Si3N4（氮化硅）、SiON（氮氧化硅）、Al2O3（氧化铝）。Ta2O5（五氧化二钽）以“TaO5”形式被列出，AlN（氮化铝）虽未在此处列出，但在半导体工艺中是常见的电介质材料。对比文件公开的电介质材料列表完全覆盖了目标专利中列出的大部分材料，并且本领域技术人员可以理解这些材料用于形成电容器的电介质层。因此，技术特征M被对比文件直接公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件描述的通孔填充物是金属电极材料（如第二电极128）以及之前的电极层和电介质层。通篇未提及在通孔内使用“聚合物核”作为金属结构的一部分。目标专利图3和对应描述[0044]提及了具有聚合物核的金属结构，旨在提供结构性支承并降低成本。该特征在对比文件中没有记载，也无法从中推断。技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | [0018] ...a via having sidewalls and a bottom; a first electrode overlying the sidewalls and at least a portion of the bottom of the via; a high-k dielectric material layer formed to overlie the first electrode... | 对比文件公开了第一电极覆盖通孔的侧壁和底部，高k电介质层覆盖第一电极。这描述了一种三维的、沿着通孔内壁分布的结构。然而，技术特征O强调的是“垂直位于...上”，暗示了一种平面叠加的、在垂直方向上投影重叠的空间位置关系（如目标专利图1-3所示，电容器堆叠在通孔顶面之上）。对比文件中的电容器极板和电介质是沿着通孔侧壁延伸的，其与通孔“表面”（尤其是水平顶面）的垂直投影关系并不明确，且主要结构关系是覆盖内壁而非垂直位于顶面之上。因此，该特定的空间位置关系未被对比文件公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | 参见图1及相关描述。通孔114位于绝缘层110中，电容器结构（第一电极118、电介质层120/126、第一导电板122等）位于通孔内部及上方。第一导电特征106位于下层互连级102中。 | 该技术特征描述了电容器、通孔和第一导电结构之间非常具体的三维空间对齐关系：电容器在基板一侧，第一导电结构在另一侧，且一条垂直轴同时穿过这三者。对比文件的结构与此不同：其电容器结构主要集成在通孔内部及其开口附近，并未明确描述为“毗邻基板的第一表面”；其第一导电特征106位于电容器结构的下方（通过通孔连接），但并非一定在基板的相对表面。更重要的是，对比文件没有公开一条特定的垂直轴同时穿过电容器极板、电介质和第一导电结构这种精确的对齐关系。因此，技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》 | 参见图1及相关描述。通孔114的延伸方向大致垂直于基板表面。电容器极板（如第一导电板122）是沿着通孔侧壁形成的，其表面大致平行于通孔侧壁，即大致垂直于基板表面。 | 技术特征Q强调通孔延伸方向垂直于极板表面，且通孔的垂直轴与极板区域相交。在对比文件中，通孔垂直延伸，但主要极板（第一导电板122）是垂直的（平行于通孔侧壁），因此通孔延伸方向与极板表面是平行的，而非垂直。此外，通孔的垂直轴与垂直的极板表面的相交关系（线面相交）与目标专利中可能暗示的水平极板与垂直轴的面面相交关系不同。该特定的方向性和相交关系未被对比文件公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未对通孔表面与电容器极板表面的相对大小进行任何描述或比较。技术特征R涉及一个具体的尺寸关系，这在对比文件中没有依据。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 同上，对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 同上，对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸关系。技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《隐含公开》 | [0018] ...a first electrode overlying the sidewalls and at least a portion of the bottom of the via; a high-k dielectric material layer formed to overlie the first electrode ... and a first conductive plate embedded in the high-k dielectric material layer. [0056] Note that it is possible to coat a second conductive plate layer and a third high-k dielectric material layer over the second high-k dielectric material layer 126 before forming the second electrode 128. | 对比文件[0018]段描述了基本结构：第一电极覆盖通孔，高k电介质层覆盖第一电极，第一导电板嵌入在该电介质层中。这里的“高k电介质层”可以对应于目标专利的“电介质”。此外，[0056]段提到可以形成第三高k电介质材料层。在基本实施例中（如图11），第一电极118与第一导电板122之间是第一高k电介质层120，第一导电板122与第二电极128之间是第二高k电介质层126。如果视第一电极为与通孔电连接的部分，那么位于第一电极（通孔）与第一导电板（一个极板）之间的第一高k电介质层120，以及可能位于第一导电板与第二电极之间的其他电介质层，共同构成了一种多层电介质结构。可以认为，存在“第二电介质”位于“通孔”（通过第一电极体现）与“电介质”（例如，与极板相邻的主要电介质层）之间的可能性或实施例。因此，在宽松的隐含公开判断标准下，该特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 该技术特征详细描述了多通孔电感器中多个通孔在基板内结合的具体结构。如前述，对比文件未公开任何电感器结构，也未描述多个通孔在基板内结合以形成电感通道的情形。虽然对比文件有“通孔（via）”和“通孔凿槽（via gouging）”，但后者是用于电连接的下部延伸，并非独立的第二通孔，且不用于形成电感。技术特征V未被公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》 | [0019] ...the via 114 extends partially through the dielectric capping layer 108... | 技术特征W包含两部分：1) 通孔延伸穿过基板；2) 电容器极板和电介质垂直位于通孔的一部分上。对于第一部分，对比文件[0019]段说明通孔114部分地穿过介质覆盖层108，并未明确说明其完全延伸穿过整个基板（包括半导体衬底）。对于第二部分，如技术特征O所述，对比文件中的电容器结构是沿通孔内壁分布的，而非明确“垂直位于”通孔（尤其是其顶部水平表面）之上。因此，该技术特征未被公开。 |
<<<A>>><<<K>>><<<M>>><<<b>>><<<d>>><<<f>>><<<j>>><<<l>>><<<u>>>