对比文件名称：2003-05-27_US6569604B_发明授权_US06569604B1 Blind via formation in a photoimageable dielectric material
目标专利名称：具有无源器件的低剖型封装 CN106030782B
本次调用模型名称：深度分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板** 《直接公开》 | 说明书第1部分：“The present invention relates to a blind via structure, and associated laser ablation methods of formation, that includes a blind via within a photoimageable dielectric (PID) layer on a **substrate**...”；图1-10中均示出了基板10、80、120、210。 | 对比文件多次明确提及并图示了“substrate”（基板），这是其技术方案的基础构件。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征，其作为支撑光敏介电层（PID）的底层结构，与目标专利中作为封装主体和结构支撑的“基板”作用相同。 |
| **B：在所述基板的第一表面中的第一凹陷** 《隐含公开》 | 说明书第1部分：“A blind via is characterized by an open end and a closed end (‘blind end’)。”；图4、5、6示出了在PID层12/34/82中形成的盲孔46, 48, 49, 90。这些盲孔均具有开放端和封闭的盲端，形成了凹陷结构。 | 对比文件公开了在介电层（PID层）中形成“blind via”（盲孔）。盲孔的定义即为一端开放、一端封闭的孔，其开放端必然位于基板（通过其上的PID层）的表面，从而在结构上构成了基板（具体是基板上的介电层）第一表面中的“凹陷”。虽然对比文件未明确使用“凹陷”一词，但盲孔的结构特征（开放端、封闭端、深度）完全对应于“凹陷”的实质结构。本领域技术人员能够合理推断，为了容纳互连（如焊球），必然需要在基板（或其表面层）上形成此类凹陷结构。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **C：多个第一穿基板通孔，所述第一穿基板通孔延伸穿过所述基板的非凹陷部分** 《直接公开》 | 说明书第3部分，图9：“...a **plated through hole 130** with a plated metal 132...”；图9示出了穿过基板120的通孔130。 | 对比文件图9明确示出了“plated through hole”（镀覆通孔）130，该通孔贯穿基板120。该通孔位于基板中，其形成区域与盲孔（凹陷）区域是分开的，即延伸穿过的是基板的“非凹陷部分”。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“延伸穿过基板的穿基板通孔”。虽然对比文件主要关注盲孔，但其电路结构中必然包含用于垂直互连的穿基板通孔，图9即为明证。 |
| **D：所述多个第一穿基板通孔中的每一者在所述第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端** 《隐含公开》 | 说明书第3部分，图9：示出了盲孔（凹陷）150与镀覆通孔130通过金属化层140进行电连接。为了建立这种电连接，通孔130的一端必然位于基板120的相应表面（与盲孔150所在表面相对或相邻），并处于与盲孔150电学上“毗邻”的区域。 | 目标专利中“在第一表面中毗邻所述第一凹陷的区域中具有第一端”限定了穿基板通孔在第一表面的出口位置与凹陷的位置关系，旨在实现电连接。对比文件图9公开了盲孔（可视为凹陷）150通过金属化层140与镀覆通孔130电连接。这种电连接关系必然要求通孔130的端部（第一端）位于基板表面的某个位置，并通过金属化层140延伸到盲孔150区域。因此，通孔130的端部必然位于“毗邻”盲孔150的区域内，以实现电路导通。本领域技术人员根据电路连接的需要，能够合理推断出通孔端部与凹陷（盲孔）之间的这种位置关系。 |
| **E：其中所述多个第一穿基板通孔中的一个通孔通过所述基板的相对第二表面上的导体与所述多个第一穿基板通孔中的另一通孔耦合以形成嵌入式电感器** 《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文均未提及或暗示任何关于“电感器”的内容，更没有公开通过位于基板相对第二表面上的导体将两个穿基板通孔耦合在一起以形成“嵌入式电感器”的技术方案。该技术特征是目标专利的核心发明点之一，用于在保持基板厚度的同时获得所需的电感值。对比文件仅涉及盲孔的形成和结构，其通孔（如130）用于一般的垂直电互连，而非专门配置成电感器绕组。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件的内容中合理推断得出。 |
| **F：所述器件的第一互连，所述第一互连被包括在所述第一凹陷内并且被耦合至所述第一凹陷** 《直接公开》 | 说明书第3部分，图9：“The blind via 150 is electrically coupled to an electronic assembly 162, such as a chip, by a **C4 solder ball 160**.”；图9明确显示了焊球160位于盲孔150内。 | 对比文件图9明确示出了“C4 solder ball”（焊球）160被容纳在盲孔150内，并且通过盲孔内的金属镀层152与之电耦合。这直接公开了“互连（焊球）被包括在凹陷（盲孔）内并且被耦合至所述凹陷”的技术特征。其作用是在盲孔内形成电连接点，与目标专利中凹陷内容纳互连以实现电连接和降低高度的作用一致。 |
| **G：以及在所述基板的第一表面上的重分布层，其中所述重分布层被配置成将所述第一互连电耦合至所述多个第一穿基板通孔之一。** 《隐含公开》 | 说明书第3部分，图9：示出了金属化层（metallization layer）140、142，以及BGA焊盘156。金属化层140将盲孔150（其内有焊球160）与镀覆通孔130连接起来。 | 目标专利的“重分布层”实质上是位于基板表面、用于实现电路互连和重新布线的导电图案层。对比文件图9公开了位于基板120表面的“metallization layer”（金属化层）140和142，以及BGA焊盘156。金属化层140明确地将容纳有焊球160的盲孔150与穿基板通孔130电连接起来。这实现了将互连（焊球）电耦合至穿基板通孔的功能。虽然对比文件未使用“重分布层（RDL）”这一特定术语，但其金属化层所起的电路互连和重新布线作用与本领域技术人员所理解的重分布层实质相同。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **H：其特征在于，进一步包括：电容器，所述电容器毗邻所述基板的对向的第二表面，其中第二穿基板通孔电耦合至所述电容器。** 《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件全文均未提及或暗示任何关于“电容器”的内容，更没有公开电容器毗邻基板第二表面并通过穿基板通孔电耦合的技术特征。该特征是目标专利的另一发明点，用于集成无源器件。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
| **I：其特征在于，所述嵌入式电感器包括至少两个所述多个第一穿基板通孔。** 《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定。由于特征E（形成嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此对其具体构成（包括至少两个穿基板通孔）的限定自然也未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述嵌入式电感器包括多个嵌入式电感器。** 《未公开》 | 无相关内容。 | 该特征是对特征E中“嵌入式电感器”的进一步限定（数量为多个）。由于特征E（形成嵌入式电感器）本身未被对比文件公开，因此对其数量的限定自然也未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** 《隐含公开》 | 说明书未明确限定基板材料为“玻璃”。说明书第1部分提及“dielectric substrate”（介电基板），图9中基板120可能为电路板。说明书第3部分公开了“C4 solder ball 160”和“BGA solder ball 170”。 | 对于基板材料，对比文件未明确公开“玻璃基板”，其基板可以是多种介电材料。对于互连，对比文件明确公开了焊球（C4 solder ball, BGA solder ball）。本领域技术人员知晓，在封装领域，玻璃、有机材料、半导体等都是常见的基板材料选择。虽然对比文件未特指玻璃，但其公开的“基板”概念包含了玻璃作为一种可能的实施方式。结合其明确公开的“焊球”作为互连，本领域技术人员能够合理推断出“基板包括玻璃基板，并且其中所述第一互连包括焊球”是该技术方案的一种可能的、常规的选择。因此，该组合特征被隐含公开。 |
| **L：其特征在于，所述基板包括半导体基板，并且其中所述第一互连包括金属柱。** 《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及“半导体基板”作为基板材料，也未提及“金属柱”作为互连。该组合特征是目标专利中一个具体的实施例。对比文件既未直接公开，也无法从其内容中合理推断出该特定组合。 |
| **M：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** 《隐含公开》 | 说明书未明确限定基板材料为“有机基板”，但PID（光敏介电）层本身通常是有机材料，且基板可以是电路板（通常为有机材料层压板）。说明书第3部分公开了“C4 solder ball 160”和“BGA solder ball 170”。 | 对于基板材料，对比文件虽然未明确使用“有机基板”一词，但其技术背景涉及PCB（印刷电路板）制造，PID层常用于有机电路板，且其描述的“substrate”在电子封装领域常规包括有机基板（如FR-4）。对于互连，其明确公开了焊球。本领域技术人员能够合理推断，在有机基板上使用焊球作为互连是封装领域的常规技术手段。因此，该组合特征被对比文件隐含公开。 |
| **N：其特征在于，所述基板包括有机基板，并且其中所述第一互连包括焊球。** （注：权利要求中M和N特征文字描述完全相同，应为笔误。此处按相同特征处理，判断结果同M） | 同特征M。 | 同特征M。该特征被对比文件隐含公开。 |
| **O：其特征在于，进一步包括：在所述基板的第一表面中的第二凹陷** 《直接公开》 | 说明书图4、6示出了多个盲孔，例如第一盲孔46和第二盲孔48/49。 | 对比文件图4、6等明确示出了在同一个PID层（可对应于基板的第一表面区域）中存在多个盲孔（如46和48/49）。每个盲孔均构成一个凹陷。因此，“第二凹陷”这一特征已被对比文件直接公开。 |
| **P：以及所述器件的第二互连，所述第二互连被包括在所述第二凹陷内并且被耦合至所述第二凹陷，其中所述第二互连包括仅具有关于将所述器件紧固到电路板的机械功能的焊球。** 《未公开》 | 对比文件图9公开了盲孔154内的BGA焊球170用于电连接至电子载体172（电路卡）。说明书未提及任何仅用于机械紧固而无电功能的焊球。 | 目标专利该特征明确限定了第二互连（焊球）**仅**具有机械紧固功能，不用于电连接。对比文件公开的所有焊球（如C4焊球160、BGA焊球170）均明确用于电连接电子组件或载体。对比文件既未描述也未暗示存在一种仅用于机械紧固的焊球。该特征是目标专利中一个特定的、有目的的设置。因此，该技术特征未被对比文件公开。 |
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