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对比文件列表
2004-02-19_JP2004055816A_发明专利_JP2004055816A Nitride compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_C_D_E_k_l+++.docx
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2004-09-14_US6791259B_发明授权_US06791259B1 Solid state illumination system containing a light emitting diode, a light scattering material and a luminescent material_+++A_B_C_D_E_o+++.docx
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2005-03-24_JP2005079167A_发明专利_JP2005079167A Light emitting element housing package and light emitting device_+++A_b+++.docx
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2005-04-14_JP3108273U_实用新型_JP3108273U Vertical electrode structure of the white light emitting diode_+++A_B_D_E_F_G_I_K_L_c+++.docx
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2005-04-27_EP1526580A_发明公开_EP1526580A2 Light source and vehicle lamp_+++A_b+++.docx
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2005-07-14_US2005151141A_发明申请_US20050151141A1 Luminescence diode chip_+++A_b+++.docx
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2005-07-21_JP2005197289A_发明专利_JP2005197289A Nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method_+++A_B+++.docx
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2005-08-18_JP2005223082A_发明专利_JP2005223082A Light emitting diode chip_+++A_b+++.docx
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2005-09-06_US6939481B_发明授权_US06939481B2 White light emitting phosphor blends for LED devices_+++A_B+++.docx
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2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device_+++A_B_C_D_E_K_L+++.docx
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2006-01-12_JP2006013426A_发明专利_JP2006013426A Light emitting device and lighting apparatus_+++A_b+++.docx
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2006-01-19_US2006011935A_发明申请_US20060011935A1 Light extraction from a semiconductor light emitting device via chip shaping_+++A_B_C_E_F_G_H_I_L_k+++.docx
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2006-01-19_WO2006006544A_发明申请_WO2006006544A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_b+++.docx
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2006-03-30_WO2006033057A_发明申请_WO2006033057A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_D_E_L+++.docx
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2006-04-06_JP2006093399A_发明专利_JP2006093399A Light-emitting device, its manufacturing method and luminaire_+++A_B+++.docx
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2006-05-04_US2006091411A_发明申请_US20060091411A1 High brightness LED package_+++A_b+++.docx
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2006-05-04_US2006091784A_发明申请_US20060091784A1 LED package with non-bonded optical element_+++A_C_E_F_H_L_O_b_j+++.docx
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2006-05-18_JP2006128700A_发明专利_JP2006128700A Light-emitting device having material adaptive to heat insulation and refractive index_+++A_B+++.docx
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2006-09-07_JP2006236771A_发明专利_JP2006236771A Backlight device and liquid crystal display device_+++A_b+++.docx
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2006-09-07_JP2006237264A_发明专利_JP2006237264A Light emitting device and lighting apparatus_+++A_B_k_l_o+++.docx
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2006-10-05_WO2006103582A_发明申请_WO2006103582A1 WIDE EMITTING LENS FOR LED USEFUL FOR BACKLIGHTING_+++A_B+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093011A1 発光装置_+++A_C_D_E_F_L_b_h_k_o+++.docx
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2011-01-05_EP1503434A_发明公开_EP1503434A2 Semiconductor light emitting devices with improved light extraction efficiency_+++A_B_C_D_E_F_H_L_M_o+++.docx
2026-07-22 17:35
WO2006093011A1_Description_20260712_1454_+++A_C_D_E_H_K_L_b_f+++.docx
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2005-04-27_EP1526580A_发明公开_EP1526580A2 Light source and vehicle lamp_+++A_b+++.docx

对比文件名称:2005-04-27_EP1526580A_发明公开_EP1526580A2 Light source and vehicle lamp

目标专利名称:1275具有成形的波长转换器的发光装置CN101569020B

模型名称:DeepSeek-R1(本次调用模型)

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:发光装置(200,300,400),包括半导体发光器件(220,320,420)(直接公开)对比文件[0075]:“光源被配置为车辆前照灯10,其可以包括光源装置11和投影透镜12。”[0076]:“光源装置11可以包括基座20、LED芯片21、树脂部分22、光学构件23、遮光部分24、荧光物质层25和一对引线端子26和27。”对比文件明确公开了光源装置包括LED芯片21,LED芯片属于半导体发光器件,因此技术特征A被直接公开。
技术特征B:所述半导体发光器件(220,320,420)包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层(221,321,421)(隐含公开)对比文件[0078]:“LED芯片21例如是蓝色LED芯片”。未进一步描述LED芯片内部结构。对比文件公开了LED芯片,本领域公知LED芯片的基本结构包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层。本领域技术人员可以合理推断出LED芯片必然包含该结构,因此技术特征B被隐含公开。
技术特征C:透明陶瓷体(230,330,430)(未公开)对比文件未公开透明陶瓷体。对比文件[0088]公开了荧光物质层25,其由硅树脂材料浸渍荧光物质形成,不属于陶瓷体。对比文件没有揭示任何透明陶瓷体作为波长转换体,其波长转换通过荧光物质层实现,该层不是陶瓷体,因此技术特征C未被公开。
技术特征D:所述透明陶瓷体(230,330,430)包括定位成与所述半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料(未公开)对比文件未公开透明陶瓷体,因此无相关公开。由于对比文件未公开透明陶瓷体,该特征的相关内容未被公开。
技术特征E:所述陶瓷体还具有面朝所述半导体发光器件(220,320,420)的底面(231,331,431)(未公开)对比文件未公开陶瓷体,无底面。无公开。
技术特征F:所述陶瓷体具有与所述底面成斜角(234,334,434)的至少一个侧面(233,333,433)(未公开)对比文件未公开陶瓷体及斜侧面。无公开。
技术特征G:所述斜角(234,334,434)大于95°或者小于85°(未公开)对比文件未公开斜角。无公开。
技术特征H:所述陶瓷体(230,330,430)的至少一个斜侧面(233,333,433)具有反射性涂层(452)(未公开)对比文件[0081]公开了遮光部分24的下表面设有反射表面24a,但该反射表面位于遮光部分上,并非陶瓷体斜侧面。对比文件未公开陶瓷体斜侧面上的反射性涂层,因此技术特征H未被公开。
技术特征I:其中所述斜角(234,334,434)大于100°或者小于80°(未公开)对比文件未公开斜角。无公开。
技术特征J:其中在所述陶瓷体(230,330,430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451)(未公开)对比文件未公开陶瓷体及中间层。无公开。
技术特征K:其中所述陶瓷体(230,330,430)具有设置有微褶皱的顶面(232,332,432)(未公开)对比文件[0119]公开了光学构件23的外表面设有微透镜阵列52作为微结构,但该微结构位于光学构件上,并非陶瓷体顶面。对比文件未公开陶瓷体顶面具有微褶皱,因此技术特征K未被公开。
技术特征L:其中所述陶瓷体(230,330,430)具有提供来包括光学功能的顶面(232,332,432)(未公开)对比文件未公开陶瓷体顶面具有光学功能。无公开。
技术特征M:其中所述陶瓷体(230,330,430)具有提供有反射性涂层(452)的顶面(232,332,432)(未公开)对比文件未公开陶瓷体顶面具有反射涂层。无公开。
技术特征N:其中在所述陶瓷体(230,330,430)和反射性涂层(452)之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451)(未公开)对比文件未公开相关中间层。无公开。
技术特征O:其中在所述底面(231,331,431)和半导体发光器件(220,320,420)之间容纳有折射率低于所述陶瓷体(230,330,430)的折射率的中间层(451)(未公开)对比文件未公开陶瓷体底面及中间层。无公开。

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