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对比文件列表
2004-02-19_JP2004055816A_发明专利_JP2004055816A Nitride compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method_+++A_B+++.docx
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2004-07-29_US2004145308A_发明申请_US20040145308A1 Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body_+++A_C_D_E_k_l+++.docx
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2004-09-14_US6791259B_发明授权_US06791259B1 Solid state illumination system containing a light emitting diode, a light scattering material and a luminescent material_+++A_B_C_D_E_o+++.docx
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2005-03-24_JP2005079167A_发明专利_JP2005079167A Light emitting element housing package and light emitting device_+++A_b+++.docx
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2005-04-14_JP3108273U_实用新型_JP3108273U Vertical electrode structure of the white light emitting diode_+++A_B_D_E_F_G_I_K_L_c+++.docx
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2005-04-27_EP1526580A_发明公开_EP1526580A2 Light source and vehicle lamp_+++A_b+++.docx
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2005-07-14_US2005151141A_发明申请_US20050151141A1 Luminescence diode chip_+++A_b+++.docx
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2005-07-21_JP2005197289A_发明专利_JP2005197289A Nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method_+++A_B+++.docx
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2005-08-18_JP2005223082A_发明专利_JP2005223082A Light emitting diode chip_+++A_b+++.docx
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2005-09-06_US6939481B_发明授权_US06939481B2 White light emitting phosphor blends for LED devices_+++A_B+++.docx
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2006-01-05_JP2006005367A_发明专利_JP2006005367A Luminescent ceramic for light emitting device_+++A_B_C_D_E_K_L+++.docx
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2006-01-12_JP2006013426A_发明专利_JP2006013426A Light emitting device and lighting apparatus_+++A_b+++.docx
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2006-01-19_US2006011935A_发明申请_US20060011935A1 Light extraction from a semiconductor light emitting device via chip shaping_+++A_B_C_E_F_G_H_I_L_k+++.docx
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2006-01-19_WO2006006544A_发明申请_WO2006006544A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_b+++.docx
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2006-03-30_WO2006033057A_发明申请_WO2006033057A1 LIGHT-EMITTING DEVICE_+++A_B_C_D_E_L+++.docx
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2006-04-06_JP2006093399A_发明专利_JP2006093399A Light-emitting device, its manufacturing method and luminaire_+++A_B+++.docx
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2006-05-04_US2006091411A_发明申请_US20060091411A1 High brightness LED package_+++A_b+++.docx
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2006-05-04_US2006091784A_发明申请_US20060091784A1 LED package with non-bonded optical element_+++A_C_E_F_H_L_O_b_j+++.docx
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2006-05-18_JP2006128700A_发明专利_JP2006128700A Light-emitting device having material adaptive to heat insulation and refractive index_+++A_B+++.docx
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2006-09-07_JP2006236771A_发明专利_JP2006236771A Backlight device and liquid crystal display device_+++A_b+++.docx
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2006-09-07_JP2006237264A_发明专利_JP2006237264A Light emitting device and lighting apparatus_+++A_B_k_l_o+++.docx
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2006-10-05_WO2006103582A_发明申请_WO2006103582A1 WIDE EMITTING LENS FOR LED USEFUL FOR BACKLIGHTING_+++A_B+++.docx
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2008-08-07_None_发明专利_JPWO2006093011A1 発光装置_+++A_C_D_E_F_L_b_h_k_o+++.docx
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2011-01-05_EP1503434A_发明公开_EP1503434A2 Semiconductor light emitting devices with improved light extraction efficiency_+++A_B_C_D_E_F_H_L_M_o+++.docx
2026-07-22 17:35
WO2006093011A1_Description_20260712_1454_+++A_C_D_E_H_K_L_b_f+++.docx
2026-07-22 17:35
2006-10-05_WO2006103582A_发明申请_WO2006103582A1 WIDE EMITTING LENS FOR LED USEFUL FOR BACKLIGHTING_+++A_B+++.docx

对比文件名称:2006-10-05_WO2006103582A_发明申请_WO2006103582A1 WIDE EMITTING LENS FOR LED USEFUL FOR BACKLIGHTING

目标专利名称:1275具有成形的波长转换器的发光装置CN101569020B

本次调用的模型名称:大型语言模型(本模型)

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括半导体发光器件(220,320,420) 《直接公开》对比文件[0011]段:“一个或多个LED芯片安装在支撑结构上。”对比文件明确公开了半导体发光器件(LED芯片),其作用与目标专利中的半导体发光器件相同,均用于产生光。本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该特征被公开。
技术特征B:所述半导体发光器件包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层(221,321,421) 《直接公开》对比文件[0040]段:“p型层、发光有源层、n型层”对比文件描述了LED芯片的层结构,包括p型层、有源发光层和n型层,有源层位于p型和n型之间。该特征与目标专利特征B实质相同,作用相同,因此直接公开。
技术特征C:透明陶瓷体(230,330,430) 《未公开》对比文件[0011]段:“支撑结构可以是陶瓷基底、硅基底或其他类型的支撑结构。”对比文件仅提及陶瓷基底作为支撑结构,而非透明陶瓷体作为波长转换器。目标专利的透明陶瓷体是包含波长转换材料的光学元件,而对比文件中的陶瓷基底是机械支撑,作用不同,因此未公开。
技术特征D:所述透明陶瓷体包括定位成与所述半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料 《未公开》对比文件[0056]段:“磷光体粉末可以与液态硅胶混合,从而嵌入透镜中。”对比文件公开了磷光体(波长转换材料)嵌入在硅胶透镜中,但透镜材料是硅胶,不是陶瓷体。目标专利要求的是透明陶瓷体包含波长转换材料,材料不同且陶瓷体具有特定优势,因此未公开。
技术特征E:所述陶瓷体还具有面朝所述半导体发光器件的底面(231,331,431) 《未公开》对比文件[0052]段:“模制透镜封装了LED芯片”对比文件中的透镜具有底面(与LED接触),但该透镜不是陶瓷体。由于特征C和D未公开,特征E依赖于陶瓷体,故未公开。
技术特征F:所述陶瓷体具有与所述底面成斜角(234,334,434)的至少一个侧面(233,333,433) 《未公开》对比文件[0058]段:“图12是LED、基座和模制侧发射透镜的截面图。”对比文件公开了侧发射透镜,可能具有斜侧面,但该透镜不是陶瓷体,且未公开侧面与底面成特定斜角,因此未公开。
技术特征G:所述斜角大于95°或者小于85° 《未公开》对比文件未提及具体角度。对比文件没有任何关于侧面斜角范围的内容,因此未公开。
技术特征H:所述陶瓷体的至少一个斜侧面具有反射性涂层(452) 《未公开》对比文件[0077]段:“图32示出了模制透镜22,其侧面溅射有金属151,以反射LED 10发射的光。”对比文件公开了透镜侧面具有反射涂层,但透镜不是陶瓷体,且该特征依赖于陶瓷体,故未公开。
技术特征I:所述斜角大于100°或者小于80° 《未公开》对比文件未提及具体角度。未公开。
技术特征J:在所述陶瓷体和反射性涂层之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451) 《未公开》对比文件未提及。对比文件没有公开陶瓷体与反射涂层之间的中间层。
技术特征K:所述陶瓷体具有设置有微褶皱的顶面(232,332,432) 《未公开》对比文件[0066]段:“图19示出了外层表面具有衍射光栅或二元台阶图案的透镜。”对比文件公开了透镜表面的微结构,但透镜不是陶瓷体,且该特征依赖于陶瓷体。
技术特征L:所述陶瓷体具有提供来包括光学功能的顶面(232,332,432) 《未公开》对比文件[0068]段:“图21示出了在透镜外表面形成菲涅耳透镜图案。”对比文件公开了透镜表面的光学功能结构,但透镜不是陶瓷体。
技术特征M:所述陶瓷体具有提供有反射性涂层的顶面(232,332,432) 《未公开》对比文件[0077]段:“金属也可以溅射在透镜22的顶部以产生侧发射图案。”对比文件公开了透镜顶部反射涂层,但透镜不是陶瓷体。
技术特征N:在所述陶瓷体和反射性涂层之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451) 《未公开》对比文件未提及。未公开。
技术特征O:在所述底面和半导体发光器件之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层(451) 《未公开》对比文件[0087]段:“空气间隙204(或其他低折射率材料间隙)形成内部折射界面。”对比文件公开了空气间隙位于第一透镜和次级透镜之间,并非位于陶瓷体底面和半导体器件之间,且该特征依赖于陶瓷体,故未公开。

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