对比文件名称：2006-04-06_JP2006093399A_发明专利_JP2006093399A Light-emitting device, its manufacturing method and luminaire
目标专利名称：1275具有成形的波长转换器的发光装置CN101569020B
模型名称：未指定
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：发光装置，包括半导体发光器件（220，320，420）《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“発光素子13”以及“発光装置は、発光素子13を収納して成る発光装置”。 | 对比文件明确公开了发光装置包含发光素子（即半导体发光器件），该器件用于发光并作为装置的核心部件，与技术特征A的半导体发光器件实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述半导体发光器件（220，320，420）包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层（221，321，421）《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“発光素子13の構造としては、MIS接合やPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。” | 对比文件公开了发光素子可具有PN结等结构，本领域技术人员已知PN结必然包含p型区和n型区，且发光层（有源层）位于两者之间，这与技术特征B中发光层设置在n-型和p-型区之间的描述对应，因此直接公开。 |
| 技术特征C：透明陶瓷体（230，330，430）《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“第２の透光性部材５は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、ガラス等の透光性部材に蛍光体６を含有させて成る”。 | 对比文件中的波长转换构件（第二透光性部材）由树脂或玻璃等非陶瓷材料制成，未提及任何陶瓷体（如钇铝石榴石陶瓷等），本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含地得出使用透明陶瓷体的技术方案，因此未公开。 |
| 技术特征D：所述透明陶瓷体（230，330，430）包括定位成与所述半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“第２の透光性部材５は、蛍光体６を含有させて成り、発光素子３の上方でかつ第１の透光性部材４との間に隙間をあけて配置される”。 | 对比文件虽然公开了第二透光性部材含有荧光体（波长转换材料）并位于发光素子上方形成光接收关系，但该构件不是陶瓷体，因此技术特征D中“透明陶瓷体”及其包含波长转换材料的技术方案未被公开。 |
| 技术特征E：所述陶瓷体还具有面朝所述半导体发光器件（220，320，420）的底面（231，331，431）《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“第２の透光性部材５は、反射部材２の内周面２ａまたは上面に配置される”。 | 对比文件中的第二透光性部材具有面向发光素子的底面，但该构件并非陶瓷体，因此技术特征E中陶瓷体的底面未被公开。 |
| 技术特征F：所述陶瓷体具有与所述底面成斜角（234，334，434）的至少一个侧面（233，333，433）《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“内周面12ａが上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜している”。 | 对比文件描述了反射构件的内周面倾斜，但该内周面属于反射构件而非陶瓷体，陶瓷体本身并未被描述具有斜侧面，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述斜角（234，334，434）大于95°或者小于85°《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“内周面12ａが上側に向かうに伴って外側に広がるように傾斜している”。 | 对比文件未公开任何具体的角度数值，更未提及斜角大于95°或小于85°的数值范围，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述陶瓷体（230，330，430）的至少一个斜侧面（233，333，433）具有反射性涂层（452）《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“内周面２ａは、Ａｌ等の金属が蒸着法やメッキ法により被着されることにより形成される”。 | 对比文件在反射构件的内周面上形成反射涂层，但该涂层并非施加于陶瓷体的斜侧面，陶瓷体本身的侧面未设置反射涂层，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述斜角（234，334，434）大于100°或者小于80°《未公开》 | 对比文件未公开任何斜角数值。 | 对比文件未提及任何关于斜角的具体数值范围，更未公开大于100°或小于80°的限定，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中在所述陶瓷体（230，330，430）和反射性涂层（452）之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层（451）《未公开》 | 对比文件未公开陶瓷体与涂层之间的中间层结构。 | 对比文件未描述任何置于陶瓷体与反射涂层之间的低折射率中间层，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述陶瓷体（230，330，430）具有设置有微褶皱的顶面（232，332，432）《未公开》 | 对比文件未公开顶面微褶皱结构。 | 对比文件未提及陶瓷体顶面经微褶皱处理，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述陶瓷体（230，330，430）具有提供来包括光学功能的顶面（232，332，432）《未公开》 | 对比文件未公开顶面具有光学功能。 | 对比文件未描述陶瓷体顶面被设计用于实现特定光学功能（如透镜等），因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中所述陶瓷体（230，330，430）具有提供有反射性涂层（452）的顶面（232，332，432）《未公开》 | 对比文件未公开陶瓷体顶面具有反射涂层。 | 对比文件未公开在陶瓷体顶面设置反射涂层，因此技术特征M未被公开。 |
| 技术特征N：其中在所述陶瓷体（230，330，430）和反射性涂层（452）之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层（451）《未公开》 | 对比文件未公开顶面涂层与陶瓷体之间的中间层。 | 对比文件未描述在陶瓷体顶面与反射涂层之间设置低折射率中间层，因此技术特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中在所述底面（231，331，431）和半导体发光器件（220，320，420）之间容纳有折射率低于所述陶瓷体（230，330，430）的折射率的中间层（451）《未公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“第１の透光性部材４は、反射部材２の内側に発光素子３を被覆するように形成される”。 | 对比文件公开了发光素子与第二透光性构件之间设有第一透光性构件，但该第一透光性构件并非设置于陶瓷体底面与器件之间（因为陶瓷体不存在），且其折射率关系未指向低于陶瓷体，因此技术特征O未被公开。 |
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