对比文件名称：2011-01-05_EP1503434A_发明公开_EP1503434A2 Semiconductor light emitting devices with improved light extraction efficiency
目标专利名称：1275具有成形的波长转换器的发光装置CN101569020B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **A**: 发光装置包括半导体发光器件（220，320，420）<br>**《直接公开》** | [0010]：“发光体4包括但不限于发光二极管和激光二极管。”<br>[0013]进一步详细描述了半导体层结构，明确其为发光器件。 | 对比文件明确公开了“发光体4”作为半导体发光器件，该器件是发光装置的核心部件，因此技术特征A被直接公开。 |
| **B**: 所述半导体发光器件包括设置在n-型区和p-型区之间的发光层（221，321，421）<br>**《直接公开》** | [0013]：“发光体4包括n型导电性的第一半导体层8（n层）和p型导电性的第二半导体层10（p层）。半导体层8和10与有源区12电耦合。” 有源区12即为发光层。 | 对比文件明确公开了半导体发光器件具有n-型层、p-型层以及位于它们之间的有源区（发光层），因此技术特征B被直接公开。 |
| **C**: 透明陶瓷体（230，330，430）<br>**《直接公开》** | [0036]：“透明光学元件2可以由例如SiC、氧化铝（蓝宝石）、金刚石、立方氧化锆、氮氧化铝（AlON）、多晶氧化铝（透明氧化铝）、尖晶石等材料形成。” 这些材料均为透明陶瓷材料。 | 对比文件公开的透明光学元件可以由多种透明陶瓷材料制成，即相当于“透明陶瓷体”，因此技术特征C被直接公开。 |
| **D**: 所述透明陶瓷体包括定位成与所述半导体发光器件成光接收关系的波长转换材料<br>**《直接公开》** | [0039]：“光学元件2在一种实现方式中包括发光材料，该发光材料将有源区12发射的光的波长转换为其他波长。” 光学元件2通过键合与发光体4固定连接，形成光接收关系。 | 对比文件公开了光学元件（可视为陶瓷体）包含将光进行波长转换的发光材料，并且该光学元件与发光器件直接键合，处于光接收关系，因此技术特征D被直接公开。 |
| **E**: 所述陶瓷体还具有面朝所述半导体发光器件（220，320，420）的底面（231，331，431）<br>**《直接公开》** | [0017]：“透明光学元件2的表面22”以及[0020]等描述该表面22与发光体4的顶面18接触并键合。 | 对比文件的光学元件2具有一个表面（表面22），该表面面向并键合到发光器件，相当于陶瓷体的底面，因此技术特征E被直接公开。 |
| **F**: 所述陶瓷体具有与所述底面成斜角（234，334，434）的至少一个侧面（233，333，433）<br>**《直接公开》** | [0065]：“表面24可以具有任何被设计来集中光的形状，例如锥形或斜面形状。” 锥形或斜面形状的侧面与底面成一定角度。 | 对比文件公开了光学元件（陶瓷体）可以具有锥形或斜面形状，这些形状的侧面与底面形成斜角，因此技术特征F被直接公开。 |
| **G**: 所述斜角（234，334，434）大于95°或者小于85°<br>**《未公开》** | 对比文件中没有提及侧面与底面之间的具体角度数值或范围。 | 对比文件未公开任何关于斜角的具体角度范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得到“大于95°或者小于85°”的限定，因此技术特征G未被公开。 |
| **H**: 所述陶瓷体（230，330，430）的至少一个斜侧面（233，333，433）具有反射性涂层（452）<br>**《直接公开》** | [0062]：“在光学元件2的表面24的大部分上形成镜面层40”<br>[0065]：“光学集中器侧面可选地形成有镜面层40”。 | 对比文件公开了在光学元件（陶瓷体）的侧面（包括斜侧面）上可以形成反射镜层（即反射性涂层），因此技术特征H被直接公开。 |
| **I**: 其中所述斜角（234，334，434）大于100°或者小于80°<br>**《未公开》** | 对比文件中没有提及该具体角度范围。 | 与特征G类似，对比文件未公开任何斜角数值，更未公开大于100°或小于80°的范围，因此技术特征I未被公开。 |
| **J**: 其中在所述陶瓷体（230，330，430）和反射性涂层（452）之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层（451）<br>**《未公开》** | 对比文件未提及在光学元件和反射涂层之间设置低折射率中间层。 | 对比文件没有公开或暗示在陶瓷体与反射涂层之间存在低折射率中间层，本领域技术人员不能从对比文件中合理推断出该特征，因此技术特征J未被公开。 |
| **K**: 其中所述陶瓷体（230，330，430）具有设置有微褶皱的顶面（232，332，432）<br>**《未公开》** | 对比文件未提及顶面微褶皱结构。 | 对比文件未公开或暗示陶瓷体顶面具有微褶皱，因此技术特征K未被公开。 |
| **L**: 其中所述陶瓷体（230，330，430）具有提供来包括光学功能的顶面（232，332，432）<br>**《直接公开》** | [0038]：“光学元件2是菲涅耳透镜，形成在平坦表面或曲面上。”<br>[0064]：“光学元件2可以蚀刻有菲涅耳图案。” | 对比文件公开了光学元件（陶瓷体）的顶面可以具有菲涅耳透镜等光学功能结构，因此技术特征L被直接公开。 |
| **M**: 其中所述陶瓷体（230，330，430）具有提供有反射性涂层（452）的顶面（232，332，432）<br>**《直接公开》** | [0062]：“在光学元件2的表面24的大部分上形成镜面层40，留出较小的孔径41。” 表面24包括顶面区域。 | 对比文件公开了在光学元件（陶瓷体）的顶面可以形成反射镜层（反射性涂层），因此技术特征M被直接公开。 |
| **N**: 其中在所述陶瓷体（230，330，430）和反射性涂层（452）之间容纳有折射率低于所述陶瓷体的折射率的中间层（451）<br>**《未公开》** | 对比文件未提及在顶面反射涂层和陶瓷体之间设置低折射率中间层。 | 与特征J类似，对比文件未公开或暗示该中间层，因此技术特征N未被公开。 |
| **O**: 其中在所述底面（231，331，431）和半导体发光器件（220，320，420）之间容纳有折射率低于所述陶瓷体（230，330，430）的折射率的中间层（451）<br>**《隐含公开》** | [0031]：“透明键合层6由低折射率键合材料形成，即折射率小于约1.5的键合材料……如果键合层6足够薄。” 而[0036]中光学元件材料折射率通常大于1.5（如蓝宝石1.8）。 | 对比文件公开了在光学元件（陶瓷体）和发光器件之间可以存在透明键合层，并且该键合层可以是低折射率材料（如MgF₂，折射率约1.4），其折射率低于光学元件（陶瓷体）的折射率，因此本领域技术人员可以合理推断出该低折射率中间层存在于底面和器件之间，技术特征O被隐含公开。 |
### 公开性代码汇总
根据上述判断，在回答结尾插入对应的代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<H>>><<<L>>><<<M>>><<<o>>>