**对比文件名称：** 2008-08-14_US2008194963A_发明申请_US20080194963A1 PROBES FOR ULTRASOUND IMAGING SYSTEMS
**目标专利名称：** 1346具有被动热耗散的矩阵超声波探针CN103533896B
**本次调用的模型名称：** 未指定
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括换能器堆<br>**未公开** | [0074] “换能器阵列20可以包括例如第一多个压电元件，当被激励时，所述第一多个压电元件产生超声波频率的声振动。” | 对比文件仅公开了换能器阵列，未公开由换能器元件阵列、ASIC和导热衬块等构成的“换能器堆”这一整体组装单元。目标专利的换能器堆特指包含ASIC和衬块的集成结构，对比文件无此结构，因此未公开。 |
| 技术特征B：所述换能器堆具有联接到用于换能器阵列的专用集成电路ASIC的换能器元件阵列<br>**未公开** | [0075] “第一和第二电路板组件22、24通过相关联的电连接器25和相关联的电缆可通信地耦合到换能器阵列20。” [0079] “发射控制器109、发射脉冲发生器107、发射/接收开关105、接收放大器108、TGC电路114、模数转换器118、接收数据处理器116和收发器122可以安装在第一或第二电路板组件22、24的电路板110上。” | 对比文件中换能器阵列通过柔性电缆连接到电路板上的分立组件（如发射控制器、接收放大器等），而不是直接联接到专用集成电路ASIC。对比文件全文未出现“ASIC”一词，且未公开ASIC与换能器元件的直接联接关系，因此未公开。 |
| 技术特征C：导热框架<br>**未公开** | [0071] “上、下蛤壳30、32、鼻件34和电池面板36可以由相对低成本、抗碎聚合物如ABS-聚碳酸酯共混物形成。” | 对比文件公开的壳体部件（上、下蛤壳、鼻件等）均由聚合物制成，并不具有导热功能，也未公开任何独立于壳体的“导热框架”结构。目标专利的导热框架专用于热传导，对比文件无此结构，因此未公开。 |
| 技术特征D：所述导热框架热联接到所述换能器堆<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件既未公开导热框架，也未公开任何类似部件与换能器堆的热联接关系，因此未公开。 |
| 技术特征E：壳体<br>**《直接公开》** | [0068] “探针14包括壳体18。” | 对比文件明确公开了探针具有壳体18，该壳体用于容纳内部组件，与目标专利的壳体作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述壳体形成探针手柄且包封所述框架的至少一部分<br>**未公开** | [0068] “探针14包括壳体18。” [0070] “壳体18可以包括上蛤壳30、下蛤壳32、鼻件34、电池面板36和声窗38。” | 对比文件的壳体形成探针手柄（从图2可看出），但目标专利的“框架”指导热框架，对比文件无导热框架，因此壳体未包封框架，该特征未公开。 |
| 技术特征G：导热散热器<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件全文未提及任何散热器结构，也未讨论热耗散问题，因此未公开。 |
| 技术特征H：所述导热散热器热联接到所述框架且呈现外表面区域<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器，也无框架与散热器的热联接，因此未公开。 |
| 技术特征I：该外表面区域与所述壳体的内表面区域对准且热联接到所述内表面区域<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器，无壳体与散热器的热对准联接，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中主要热传导路径自所述散热器到所述热联接的壳体中且然后到围绕所述壳体的空气中以防止热点在所述壳体中的形成<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未讨论任何热传导路径或热点防止，因此未公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述换能器堆进一步包括位于所述ASIC与所述框架之间的导热衬块<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无ASIC、无导热框架、无导热衬块，因此未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述换能器元件阵列进一步包括换能器元件的二维矩阵阵列<br>**未公开** | [0074] “换能器阵列20可以包括例如第一多个压电元件，当被激励时，所述第一多个压电元件产生超声波频率的声振动。” | 对比文件仅笼统提及“换能器阵列”，未具体说明阵列的维度（一维或二维），也未涉及3D成像所需的二维矩阵阵列。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出为二维矩阵阵列，因此未公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述ASIC进一步包括波束成形器ASIC<br>**未公开** | [0080] “发射控制器109可以充当发射波束成形器。” [0082] “接收数据处理器116，如果充当接收数据波束成形器，则延迟和求和换能器阵列的数字化回波输出信号。” | 对比文件公开了波束成形功能（发射控制器、接收数据处理器），但明确这些是安装在电路板上的组件，并非“ASIC”。全文未出现“波束成形器ASIC”或“ASIC”，因此未公开。 |
| 技术特征N：所述波束成形器ASIC使来自所述矩阵阵列的传输波束及由所述矩阵阵列的元件接收的回波信号至少部分地波束成形<br>**未公开** | 同M特征引用。 | 尽管对比文件公开了波束成形功能，但由于缺乏ASIC和二维矩阵阵列，该特征整体未公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括提供所述框架与所述散热器之间的热联接的导热垫片或导热腻子<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无框架、无散热器，也无导热垫片/腻子，因此未公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述框架具有侧部凸缘<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无框架，更无侧部凸缘，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述散热器以与所述框架的所述侧部凸缘导热接触的方式紧固<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器、无框架凸缘，因此未公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述散热器用螺钉或螺栓固定到所述框架的所述侧部凸缘<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器、无框架，因此未公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括提供所述散热器与所述壳体之间的热联接的导热垫片或导热腻子<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器，也无导热垫片/腻子，因此未公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，其中所述散热器直接热联接到所述衬块<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器、无衬块，因此未公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括紧固至所述框架的印刷电路板<br>**未公开** | [0075] “第一和第二电路板组件22、24安装在壳体18中。” | 对比文件的印刷电路板安装在壳体中，而非紧固至框架（对比文件无框架），因此未公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述超声换能器阵列探针进一步包括具有金属编织层的探针电缆<br>**未公开** | [0067] “探针14通常通过多导体电缆连接到基座单元。” | 对比文件仅提及电缆，但未描述电缆具有金属编织层，也未公开任何关于电缆屏蔽结构的信息，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述框架进一步热联接到所述电缆的所述金属编织层<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无框架，无金属编织层，更无热联接，因此未公开。 |
| 技术特征X：其特征在于，所述散热器由铝或镁制成<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无散热器，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其特征在于，所述框架由铝或镁制成<br>**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无框架，因此未公开。 |
| 技术特征Z：其特征在于，所述壳体的至少一部分被围绕所述散热器的至少一部分模塑而成以形成单件式单元<br>**未公开** | [0071] “上、下蛤壳30、32、鼻件34和电池面板36……可以使用合适的工艺如常规压铸形成。” | 对比文件公开了壳体由聚合物模塑成型，但未涉及围绕散热器模塑，且无散热器，因此未公开。 |
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### 结论
根据上述特征比对，对比文件仅直接公开了技术特征E（壳体），其他技术特征均未被直接公开或隐含公开。
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