对比文件名称：2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment
目标专利名称：271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《隐含公开》 | 说明书第[0024]段：In FIG. 2, a conductive layer 13 is formed as a shield electrode on a low-dielectric layer 3 ... Resonator electrodes 12a and 12b are formed on this high-dielectric layer 2c ... capacitor electrode 11 ... is disposed ... A high-dielectric layer 2a ... is laminated on the high-dielectric layer 2b. On top of this high-dielectric layer 2a, a conductive layer 8 is formed as a shield electrode. Next, on the high-dielectric layer 2a where the conductive layer 8 is provided, a low-dielectric layer 1d ... is provided. On top of this low-dielectric layer 1d, capacitor electrodes 7a and 7b are formed, ... a low-dielectric layer 1c ... is provided. On top of this low-dielectric layer 1c, a capacitor electrode 6 is formed, ... a low-dielectric layer 1b ... is provided. On top of this low-dielectric layer 1b, inductor electrodes 4 and 5 for forming a first matching circuit are disposed. | 对比文件公开了一种多层结构的双工器，其包括由低介电层（例如1b, 1c, 1d, 3）和高介电层（例如2a, 2b, 2c）堆叠而成的结构。其中，在低介电层1b上设置有电感电极4和5，用于形成匹配电路（即电感器）。这些层（低介电层和高介电层）的堆叠构成了一个三维结构。虽然对比文件未明确使用“第一层级”和“3DIC”的术语，但其描述的通过印刷和层压陶瓷生片然后烧结形成的多层结构，实质上是将不同功能的元件（如电感器、电容器、谐振器）集成在三维空间中，这符合本领域技术人员对三维集成电路（3DIC）的一种常见理解（即多层集成结构）。因此，包含至少一个电感器（由电极4，5形成）的低介电层结构可以合理地被认为是隐含公开了“包括至少一个电感器的第一层级”。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | 说明书第[0015]段：In the low-dielectric layer 16b, a via hole 25 is formed to create an electrical connection between the inductor electrodes 17 and 18. 以及说明书第[0024]段：Via holes 14a and 14b are made in the low-dielectric layer 1b to create conductivity between the conductive layers, and silver paste is filled into the via holes 14a and 14b. | 对比文件明确公开了在低介电层（16b， 1b）中形成通孔（via hole 25， 14a， 14b），并用导电材料（如银浆）填充，以在不同导电层（如电感电极17和18）之间建立电连接。这种“通孔”结构是穿过介质基板（低介电层）的垂直互连，其功能和结构与目标专利中“穿基板通孔（TSV）电感器”的核心特征（即通过穿过基板的导电通孔形成电感）在原理上相同。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，通过设计通孔的图案和连接方式，可以形成具有电感特性的结构，即穿基板通孔电感器。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《未公开》 | 说明书第[0024]段：... a high-dielectric layer 2c ... Resonator electrodes 12a and 12b are formed on this high-dielectric layer 2c, ... a high-dielectric layer 2b ... A capacitor electrode 11 ... for forming a second matching circuit with the capacitor electrode 9 for input/output coupling and load capacitor electrodes 10a and 10b. ... a high-dielectric layer 2a ... | 对比文件公开了在高介电层（2a, 2b, 2c）中形成电容器电极（如9, 10a, 10b, 11）和谐振器电极（12a, 12b）。这些电容器是固定电容器，其电容值由电极面积、介电层厚度和介电常数决定，在电路中提供固定的电容。然而，目标专利中的“变抗器”特指一种可变电容器，其电容值可以通过外部控制（如电压）进行调节。对比文件全文均未提及任何具有可变电容特性的元件，也未公开任何用于调节电容的机制或结构。因此，对比文件没有公开“变抗器”，进而也没有公开“包括至少一个变抗器的第二层级”。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《未公开》 | 说明书第[0018]段：The first capacitor 101, first inductor 102, second capacitor 103, and third capacitor 104 form a π-type three-stage one polar low-pass filter 115. ... The fourth capacitor 106, first quarter wavelength resonator 107, fifth capacitor 108, third inductor 109, second quarter wavelength resonator 110, and sixth capacitor 111 form two-stage one polar band-pass filter 116. | 对比文件公开了由电感器（如102, 105, 109）和固定电容器（如101, 103, 104, 106, 108, 111）等元件形成的低通滤波器和带通滤波器，这些滤波器组合起来构成了一个双工器（diplexer）。然而，目标专利的“可调谐共用器”的关键特征在于“可调谐”，即其滤波特性（如陷波频率、截止频率）可以通过变抗器或可变电感器进行调节。如特征C所述，对比文件未公开变抗器，其所有电容和电感元件都是固定的。因此，对比文件公开的共用器是固定频率的，不具备可调谐功能。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》 | 说明书第[0024]段：... high-dielectric layer 2c, composed of Bi2O3—CaO—Nb2O5 dielectric ceramic material, Bi2O3—CaO—ZnO—CuO—Nb2O5 dielectric ceramic material, or BaO—Nd2O5—TiO2 dielectric ceramic material ... | 对比文件在高介电层中使用的材料是特定的陶瓷介电材料（如Bi2O3-CaO-Nb2O5等），并形成固定电容器电极。而“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”是一种基于半导体工艺（在玻璃基板上形成硅有源层）制作的可变电容元件。对比文件既未公开可变电容元件，也未使用玻璃上覆硅（SOG）这类材料或结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《隐含公开》 | 说明书第[0024]段：... a low-dielectric layer 3 mainly composed of SiO2—Al2O3—MO (M consists of at least one of Ba, Ca, and Sr)−La2O3—B2O3 glass, ... low-dielectric layer 1d mainly composed of SiO2—Al2O3—MO—La2O3—B2O3 glass ... | 对比文件明确记载其低介电层（1a-1d, 3）的主要成分是SiO2-Al2O3-MO-La2O3-B2O3玻璃（glass）。结合特征B的论述，对比文件公开了在这些玻璃介质层中形成通孔（via hole）并填充导电材料以建立垂直互连。本领域技术人员知晓，穿玻通孔（TGV）是穿基板通孔（TSV）技术的一种，特指在玻璃基板中形成通孔。既然对比文件明确基板材料包含玻璃，且公开了在其中制作通孔互连，那么本领域技术人员完全能够合理推断，可以在该玻璃基板中制作TGV结构，并利用其形成电感器。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《隐含公开》 | 说明书第[0018]段：The first capacitor 101, first inductor 102, second capacitor 103, and third capacitor 104 form a π-type three-stage one polar low-pass filter 115. | 对比文件直接且明确地公开了由电感器（第一电感器102）和电容器（第一、第二、第三电容器101, 103, 104）共同形成一个低通（LP）滤波器115。尽管对比文件中的电容器是固定的，而非目标专利要求的变抗器，但“低通滤波器由电感器和电容性元件构成”是其基本电路原理。本领域技术人员在阅读对比文件后，能够毫无障碍地理解“电感器和电容器可以合起来形成LP滤波器”这一技术事实。因此，从电路构成的角度，对比文件隐含公开了“至少一个电感器和至少一个电容性元件形成LP滤波器”的技术方案。鉴于目标专利中变抗器是电容性元件的一种，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》 | 说明书第[0024]段：... a high-dielectric layer 2b ... A capacitor electrode 11 ... for forming a second matching circuit ... 以及第[0025]段：The capacitor electrode 11 for the matching circuit forms the fourth capacitor 106 ... | 该技术特征包含多个限定：1）位于第二层级内的第二变抗器；2）耦合到第一层级中的多个第二电感器；3）合而形成LP滤波器。对比文件在高介电层（可对应“第二层级”）中公开了电容器电极11（形成第四电容器106），其与低介电层（可对应“第一层级”）中的电感器（如第二电感器105）耦合。但是，首先，该电容器是固定电容器，不是“变抗器”。其次，对比文件图4电路显示，LP滤波器115主要由第一电感器102和多个电容器（101,103,104）形成，而第二电感器105和第四电容器106主要被描述为匹配电路，它们与LP滤波器115共同作用，但并未明确记载“第二电感器105和第四电容器106合而形成LP滤波器”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《未公开》 | 未发现相关记载。 | 对比文件未公开任何可变电容（变抗器）或可变电感元件。其滤波器的特性（包括陷波频率）由固定的电感、电容值决定，不可调节。因此，无法实现“调节陷波频率”的功能。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《未公开》 | 说明书第[0018]段：The first capacitor 101, first inductor 102, second capacitor 103, and third capacitor 104 form a π-type three-stage one polar low-pass filter 115. The first band is set to a passband, and an attenuation pole is formed in the second band. | 对比文件公开了电感器是低通滤波器115的组成部分，滤波器的频率特性（包括截止频率）由电感器和电容器的值共同决定。然而，目标专利的特征J强调的是电感器“配置成控制...截止频率”，这通常意味着电感器在设计中扮演着主动或关键角色以设定截止频率。但在对比文件中，截止频率是由所有固定元件共同决定的静态参数，没有“控制”或“调节”的动态含义。更重要的是，该特征与目标专利的可调谐性相关，而对比文件的电感器是固定值的。因此，从功能和目的上看，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》 | 说明书第[0024]段：The diplexer as configured above is made by sintering after printing and laminating using a ceramic green sheet. | 对比文件明确记载其双工器是采用陶瓷生片印刷、层压并烧结而成的多层陶瓷器件。这是一种基于陶瓷低温共烧（LTCC）技术的无源器件制造方法，与目标专利中将3DIC“集成到半导体管芯中”的半导体集成电路制造工艺有本质区别。对比文件全文未提及半导体管芯、硅基工艺或任何有源半导体器件集成。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》 | 说明书第[0001]段：The present invention relates to the field of diplexers, duplexers, and two-channel mobile communications equipment employed in mobile communications, particularly in mobile phones. 以及第[0035]段：In mobile telephone terminals employing two frequency bands, the diplexer of the present invention offers a simple high frequency wave dividing circuit for terminals, allowing terminals to be made smaller and lighter. | 对比文件明确说明其发明涉及移动通信设备中使用的双工器等，特别是移动电话（mobile phones）。并且在多个实施例中反复提及该双工器用于“移动电话终端（mobile telephone terminals）”。“移动电话”或“蜂窝电话”明确包含在目标专利特征L所列举的设备列表中。因此，对比文件直接公开了将其公开的器件（可对应于目标专利中的“三维集成电路”，尽管具体实现不同）应用于移动电话/蜂窝电话这一具体设备。该技术特征被直接公开。 |
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