**对比文件名称**：2012-03-27_US8143952B_发明授权_US08143952B2 Three dimensional inductor and transformer
**目标专利名称**：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法 CN105191123B
**本次调用的模型名称**：深度分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级《直接公开》 | [0040]段：“FIG. 6 also shows an exploded front view of an exemplary embodiment of an inductor 620 which includes the integration of a plurality of vertical through-silicon vias (TSVs) 622. The inductor 620 is primarily located in the FEOL section 604 of the CMOS technology 600... The TSVs 622 pass through the substrate 608 and couple the RDL section 602 and the M1 layer of the BEOL section 606.” | 对比文件明确公开了一种三维电感器620，其包含垂直的穿硅通孔(TSV) 622，该电感器主要位于CMOS技术600的FEOL部分604中。这表明对比文件公开了一个包含电感器的层级（即包含TSV的FEOL部分）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，该公开内容构成了一个“包括至少一个电感器的第一层级”。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | [0040]段：“...an inductor 620 which includes the integration of a plurality of vertical through-silicon vias (TSVs) 622... The TSVs 622 pass through the substrate 608...” <br> [0041]段：“The inductor 620 includes the integration of a plurality of vertical through-silicon vias (TSVs) 622.” | 对比文件多次明确描述其电感器620包含穿硅通孔(TSV) 622，即垂直穿过基板608的导电孔。TSV是“穿基板通孔”的一种具体实现方式（穿硅通孔）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开的电感器是穿基板通孔电感器。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级， | [0050]-[0057]段（特别是图11及相关描述）描述了三维管芯堆叠技术，其中第二管芯1150堆叠在第一管芯1100之上，并通过微凸块1140电连接。第二管芯1150包含BEOL部分1152，其中可以包含有源器件（如晶体管）。 | 对比文件公开了包含第二层级（第二管芯1150）的三维堆叠结构，并且该第二层级通过互连结构（微凸块1140、RDL 1130、TSV 1120）与第一层级（第一管芯1100）中的电路（可能包含电感器）电耦合。然而，对比文件并未明确公开第二层级中包含“变抗器”（varactor）。尽管第二管芯可能包含有源器件，但变抗器是一种具有特定可变电容功能的器件，对比文件没有描述或暗示第二层级中存在此类元件，更未提及它与第一层级的电感器耦合用于形成特定电路（如共用器）。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征C。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 | 无相关描述。 | 对比文件的核心内容是三维TSV电感器和变压器及其制造方法，全文未提及“共用器”（diplexer）这一器件。共用器是一种具有特定频率选择功能的双工滤波器网络，其结构、功能和工作原理与对比文件所描述的简单电感器、变压器或放大器有本质区别。本领域技术人员无法从对比文件中推导出将电感器与变抗器组合以形成“可调谐共用器”的技术方案。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何类型的“变抗器”（varactor），更没有具体公开“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”这一特定类型的变抗器。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 | [0040]段：“The TSVs 622 pass through the substrate 608...”。全文提及的基板均为硅（silicon）基板。 | 对比文件公开的电感器使用穿硅通孔（TSV），其基板为硅。而技术特征F明确限定为“穿玻通孔(TGV)电感器”，即基板为玻璃。虽然TSV和TGV在广义上都属于穿基板通孔，但两者使用的基板材料不同，工艺和特性也存在差异。对比文件没有公开或暗示使用玻璃基板或TGV。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 | 无相关描述。 | 对比文件未公开“共用器”，因此也不可能公开共用器内部的“低通(LP)滤波器”这一组成部分。此外，对比文件也未描述电感器与变抗器组合形成任何类型的滤波器。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 | 无相关描述。 | 对比文件未公开“共用器”、“LP滤波器”，也未公开“第二变抗器”与“多个第二电感器”的组合结构。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 | 无相关描述。 | 对比文件未公开“变抗器”，也未公开“可调谐共用器”或其中的“滤波器”，更未提及利用变抗器调节陷波频率的功能。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 | 无相关描述。 | 对比文件虽然公开了穿基板通孔（TSV）电感器，但仅描述其用于增加电感值、形成三维结构等，未提及该电感器在“可调谐共用器”的“滤波器”中用于“控制截止频率”的特定功能。该功能是目标专利中特定电路应用的限定。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《直接公开》 | [0040]段：“FIG. 6 also shows... an inductor 620... in the CMOS technology 600...” <br> [0053]段：“Block 104 shows flipping of the first die 1100...” <br> 全文多处使用“die”（管芯）、“chip”（芯片）来描述所集成的电路。 | 对比文件明确描述了三维电感器620集成在CMOS技术600中（见图6），并详细阐述了在半导体管芯（die 1100, die 1150）上制造和堆叠这些三维结构的方法（见图11及相关描述）。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开的三维电感器结构是集成在半导体管芯中的三维集成电路。因此，技术特征K被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》 | [0070]段：“In FIG. 17, remote unit 1720 is shown as a mobile telephone, remote unit 1730 is shown as a portable computer, and remote unit 1750 is shown as a fixed location remote unit in a wireless local loop system. For example, the remote units may be cell phones, hand-held personal communication systems (PCS) units, portable data units such as personal data assistants, or fixed location data units such as meter reading equipment.” | 对比文件明确公开了其包含三维电感器/变压器的技术可以应用于无线通信系统中的各种远程单元，包括移动电话（蜂窝电话）、便携式计算机、固定位置数据单元等。这些设备落入技术特征L所列的设备清单中。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，对比文件公开的三维集成电路可以集成到此类设备中。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
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