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对比文件列表
1997-12-09_US5696471A_发明授权_US5696471A Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors_+++B_a_f_g_j_k_l+++.docx
2026-03-19 23:33
1999-04-23_None_发明专利_JPH11112264A Filter_+++A_C_G_H_I_L_b_d_j+++.docx
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1999-05-14_WO1999023702A_发明申请_WO99023702A1 MONOLITHIC INDUCTOR_+++A_K+++.docx
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1999-08-06_None_发明专利_JPH11215023A High-frequency composite component_+++a_c_d_g_i_l+++.docx
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2000-08-08_US6100776A_发明授权_US6100776A High-frequency composite transmission section with switch, LC filter, and notch filter_+++A_C_D_I_L_j+++.docx
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2001-04-27_JP2001119209A_发明专利_JP2001119209A Laminated filter module_+++A+++.docx
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2001-05-18_JP2001136045A_发明专利_JP2001136045A Layered composite electronic component_+++A_B_c_d_f_g_h_i_j_k_l+++.docx
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2002-02-15_JP2002050774A_发明专利_JP2002050774A Voltage-controlled oscillator_+++a_c_k+++.docx
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2002-04-02_US6366564B_发明授权_US06366564B1 Diplexer duplexer and two-channel mobile communications equipment_+++B_L_a_f_g+++.docx
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2002-06-25_US6411178B_发明授权_US06411178B1 Multi-layer composite electronic component_+++a_b+++.docx
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2002-07-09_US6417754B_发明授权_US06417754B1 Three-dimensional coil inductor_+++A_K_L+++.docx
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2003-07-22_US6597258B_发明授权_US06597258B2 High performance diplexer and method_+++A_L_i+++.docx
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2003-07-22_US6597315B_发明授权_US06597315B2 Antenna_+++a_b_k_l+++.docx
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2003-09-12_JP2003258675A_发明专利_JP2003258675A Communication control method_+++A_L_a_l+++.docx
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2004-04-21_EP1411553A_发明公开_EP1411553A1 ELECTRONIC CIRCUIT COMPONENT_+++a+++.docx
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2004-07-01_US2004124961A_发明申请_US20040124961A1 Printed inductor capable of raising Q value_+++A_B+++.docx
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2004-10-07_JP2004281847A_发明专利_JP2004281847A Multilayer composite electronic component_+++A_L+++.docx
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2005-11-24_JP2005328026A_发明专利_JP2005328026A Thin film device, integrated circuit, electrooptic device, and electronic device_+++L_a+++.docx
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2008-07-17_DE102008003952A_发明专利_DE102008003952A1 Microminiature inverter_+++A_B_k_l+++.docx
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2009-03-03_US7498918B_发明授权_US07498918B2 Inductor structure_+++A_K_b+++.docx
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2009-07-16_JP2009159328A_发明专利_JP2009159328A Multiplexer, triplexer and diplexer_+++A_B_l+++.docx
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2009-07-21_US7564319B_发明授权_US07564319B2 Vertical LC tank device_+++a_c_k+++.docx
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2009-09-08_US7586755B_发明授权_US07586755B2 Electronic circuit component_+++A_b_f_g_j+++.docx
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2009-10-22_WO2009128047A_发明申请_WO2009128047A1 HIGH DENSITY INDUCTOR, HAVING A HIGH QUALITY FACTOR_+++B_L_a_k+++.docx
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2010-09-01_CN101821943A_发明公开_CN101821943A 层叠型电子元器件及其制造方法_+++A_B+++.docx
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2011-04-14_WO2011044392A_发明申请_WO2011044392A1 THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER_+++A_B_K_L+++.docx
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2012-03-27_US8143952B_发明授权_US08143952B2 Three dimensional inductor and transformer_+++A_B_K_L+++.docx
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2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++B_F_L_a_c_k+++.docx
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2012-03-29_WO2012040063A_发明申请_WO2012040063A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER_+++A_B_F_K_L_c_g_h_i_j+++.docx
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2012-05-10_US2012112853A_发明申请_US20120112853A1 TUNABLE FILTER, TUNABLE DUPLEXER AND MOBILE COMMUNICATION TERMINAL USING THE SAME_+++A_C_D_I_J_L+++.docx
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2012-09-05_EP2495159A_发明公开_EP2495159A1 Bicycle brake assembly_+++A_a+++.docx
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2012-11-14_CN101821943B_发明授权_CN101821943B 层叠型电子元器件及其制造方法_+++A_B+++.docx
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2012-11-29_US2012302188A_发明申请_US20120302188A1 TUNABLE MULTI-BAND RECEIVER_+++D_I_K_L_a_c_g_j+++.docx
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2012-12-25_US8339233B_发明授权_US08339233B2 Three dimensional inductor_+++A_b_k+++.docx
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对比文件名称:WO2012144482A1_Description_20260309_2155

目标专利名称:271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B

本次调用模型名称:DeepSeek最新版本模型

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
A. 包括:包括至少一个电感器的第一层级 《隐含公开》“アンテナ装置1は、誘電体、または絶縁体の磁性体、またはこれらの両方を含む素体40と、概ねX方向に巻回軸を有する第1のコイルアンテナ10と、概ねY方向に巻回軸を有し、第1のコイルアンテナ10と電気的に直列に接続された第2のコイルアンテナ20とを備える。”(段落[0095])<br>“素体40は、第1の主面41、第1の主面41に対向する第2の主面42、ならびに第1および第2の主面41,42を連接する4つの側面43からなる直方体の形状を有する。”(段落[0096])<br>“素体40は、絶縁体材料からなる複数の基材層がY方向に積層された構造を有する。各基材層は、たとえば熱可塑性樹脂やガラシセラミック等の誘電体、または、フェライト粉末入り樹脂のような磁性体によって形成される。具体的に図2の場合には、素体40は、第1~第3の基材層50,51,52からなる積層体である。”(段落[0099])目标专利的“第一层级”是三维集成电路中的一个层级,用于形成电感器。对比文件中,素体40是一个由多个基材层(50, 51, 52)在Y方向积层而成的结构(参见图2及段落[0099])。第1线圈天线10的线圈导体16部分形成于这些基材层中或之上(例如导体线12、13、14、15,参见段落[0099])。线圈天线本身作为电感元件。因此,素体40的积层结构可以视为包含了具有电感器(线圈天线)的层级。虽然对比文件未明确使用“第一层级”这一术语,但其描述的积层体结构本质上是由多个层级(基材层)构成,并且其中一个或多个层级中包含了电感元件(线圈导体)。本领域技术人员能够理解,这种积层结构是实现三维集成的常见方式,因此可以合理推断出存在“包括至少一个电感器的第一层级”。该特征被对比文件隐含公开。
B. 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 《隐含公开》“第1のコイルアンテナ10のコイル導体16は、第1の基材層50の表面に形成された複数の導体線12と、第3の基材層52の表面に形成された複数の導体線15と、第1の基材層50を貫通する複数の導体線13と、第2の基材層51を貫通する複数の導体線14とを含む。第1および第2の基材層50,51を貫通する導体線13,14によって、第1の基材層50の表面に形成された導体線12と、第3の基材層52の表面に形成された導体線15とが連結される。”(段落[0099])目标专利的“穿基板通孔电感器”特指通过基板(如硅或玻璃)的垂直通孔形成的电感器,例如TSV或TGV电感器,用于实现高Q值三维集成。对比文件中,第1线圈天线10的线圈导体16包含了贯穿第1基材层50的导体线13和贯穿第2基材层51的导体线14(参见图2及段落[0099])。这些导体线垂直穿过绝缘材料(基材层)以连接不同层上的导体图案,其结构与“穿基板通孔”在功能(垂直互连)和形态上是相似的。虽然对比文件未明确称之为“穿基板通孔电感器”,并且其应用场景是天线而非目标专利的滤波器,但其描述的“贯穿基材层的导体线”构成了线圈天线(即电感器)的一部分。本领域技术人员在阅读对比文件后,能够理解到使用垂直贯穿绝缘基板层的导体来形成电感元件是可行的技术手段。因此,该特征被对比文件隐含公开。
C. 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级, 《未公开》未发现相关描述。目标专利的“变抗器”是一种可变电容器,是构成可调谐共用器的关键元件,用于调节滤波特性。对比文件全文(包括所有实施例)均未提及任何“变抗器”(Varactor)或“可变电容器”。对比文件中涉及的电容器(如段落[0122]、[0129]、[0130]中提到的容量C1、C2等)是用于与线圈天线构成共振回路的固定电容器或寄生电容,其电容值不可调。目标专利中变抗器与电感器耦合形成可调谐滤波器的技术构思在对比文件中完全没有体现。因此,该特征既未被直接公开,也未被隐含公开。
D. 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 《未公开》未发现相关描述。目标专利的“可调谐共用器”是一种具有多个端口(如第一频率端口、第二频率端口、天线端口)和可调谐滤波器的器件,用于频域复用和载波聚集系统。对比文件描述的是“天线装置”,其核心功能是作为无线通信中的辐射/接收元件(例如用于RFID、NFC),通过多个线圈天线的特定布置和磁耦合来改善特定方向的磁通密度和通信距离(参见段落[0091]、[0104]等)。虽然两者都涉及高频电路,但目标专利的“共用器”本质上是滤波器网络,而对比文件的“天线装置”本质上是辐射器/传感器,二者的功能、结构和技术目的均不相同。由于对比文件未公开“变抗器”,因此更不可能公开由电感器和变抗器“合而形成可调谐共用器”这一整体技术方案。该特征未被公开。
E. 其特征在于,所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 《未公开》未发现相关描述。目标专利特别限定了变抗器为高Q值的SOG变抗器。如对特征C的论述,对比文件未公开任何变抗器,因此自然也未曾公开SOG变抗器这一具体类型。该特征未被公开。
F. 其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 《未公开》“各基材層は、たとえば熱可塑性樹脂やガラスセラミック等の誘電体、または、フェライト粉末入り樹脂のような磁性体によって形成される。”(段落[0099])目标专利的“穿玻通孔(TGV)电感器”特指在玻璃基板中形成通孔导体而制成的电感器,强调玻璃作为基板材料。对比文件提到基材层可以由“ガラスセラミック等の誘電体”(玻璃陶瓷等电介质)形成,并且存在贯穿基材层的导体线(特征B的引用内容)。这暗示了有可能使用玻璃陶瓷材料作为基板,并形成贯穿导体。然而,对比文件并未明确将电感器描述为“穿玻通孔(TGV)电感器”,也未强调玻璃基板对于实现高Q值电感器的作用(如目标专利说明书[0044]所述)。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地确定其贯穿导体的基板一定是玻璃或玻璃陶瓷,且形成的电感器就是TGV电感器。因此,该特征未被直接公开。同时,由于对比文件的主要目的是改善天线指向性,而非实现目标专利所述的高Q值滤波器电感,因此从对比文件内容中也无法合理推断出必然使用TGV电感器。该特征未被隐含公开。
G. 其特征在于,所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 《未公开》未发现相关描述。目标专利限定电感器和变抗器形成低通(LP)滤波器,是可调谐共用器的一部分。对比文件未公开变抗器,也未描述任何低通滤波器结构。对比文件中的线圈天线及其连接方式是为了实现磁耦合和特定方向的辐射,而不是为了构成具有特定频率选择特性的低通滤波器。该特征未被公开。
H. 其特征在于,进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器,所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 《未公开》未发现相关描述。该特征进一步限定了第二变抗器与多个第二电感器在另一层级形成LP滤波器。如前述,对比文件未公开任何变抗器,也未公开LP滤波器结构。对比文件中可能包含多个线圈天线(如第1和第2线圈天线),但这些线圈天线是用于天线功能,通过磁耦合改善性能,而不是与变抗器结合形成LP滤波器。该特征未被公开。
I. 其特征在于,所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 《未公开》未发现相关描述。目标专利中变抗器的作用是调节陷波频率,这是实现共用器可调谐的核心。对比文件未公开变抗器,其描述的共振回路中的电容是固定的,用于设定工作频率,而非进行动态调节。该特征未被公开。
J. 其特征在于,所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 《未公开》未发现相关描述。目标专利中电感器与变抗器配合,可控制滤波器的截止频率。对比文件中的线圈天线作为天线元件,其尺寸和布置主要影响辐射方向性和共振频率,而不是用于控制某个滤波器的截止频率。由于对比文件未公开可调谐共用器及其滤波器,因此该功能特征无从谈起。该特征未被公开。
K. 其特征在于,所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 《未公开》未发现相关描述。目标专利要求保护的三维集成电路(3DIC)明确集成到半导体管芯中。对比文件描述的“素体”由绝缘体或磁性体材料(如电介质、铁氧体粉末树脂)的基材层积层而成(段落[0099]),其本质是一个无源元件(天线)的封装体或基板,而非有源半导体管芯。对比文件未提及将所述结构集成到半导体管芯中。该特征未被公开。
L. 其特征在于,所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备:机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 《隐含公开》“この発明はさらに他の局面において、通信端末装置であって、筐体と、筐体内に設けられた給電回路と、筐体内に設けられ、給電回路に接続された上記のアンテナ装置とを備える。”(段落[0086])<br>“図9は、図5のアンテナ装置1Aが搭載された携帯通信端末70の一例を模式的に示す断面図である。”(段落[0110])目标专利将3DIC集成到一系列电子设备中。对比文件明确公开了其天线装置可以应用于“通信端末装置”,并在具体实施例中图示和描述了将其搭载于“携帯通信端末”(移动通信终端)中(参见图9及段落[0110])。移动通信终端(如手机)属于目标专利所列设备列表中的“移动电话”或“通信设备”。因此,尽管对比文件集成的是天线装置而非目标专利的3DIC可调谐共用器,但从“将所述技术方案集成到特定类型设备中”这一上位概念来看,对比文件隐含公开了将技术方案集成到“通信设备”(具体为移动电话)中的特征。

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