对比文件名称：2012-12-25_US8339233B_发明授权_US08339233B2 Three dimensional inductor
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A**：《直接公开》<br>包括：包括至少一个电感器的第一层级 | [0027]段：The three dimensional inductor 200 includes a first coil 202 and a second coil 204... The first coil 202 is located at the first plane of the substrate 210 and is disposed in the first metal layer 220. | 对比文件明确公开了一种三维电感器，该电感器包括第一线圈202，其位于基板210的第一平面并布置在第一金属层220中。这里的“第一线圈202”即构成一个电感器，而“第一金属层220”和“第一平面”共同构成了一个层级（第一层级）。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地得出，该三维电感器结构“包括至少一个电感器的第一层级”。特征A被直接公开。 |
| **特征B**：《隐含公开》<br>其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 | [0027]段：The second coil 204... is disposed in the first metal layer 220, the second metal layer 240 and the dielectric layer 230 (for example, is formed from the first metal layer 220 to the second metal layer 240 through the dielectric layer 230, and then back to the first metal layer 220 through the dielectric layer 230).<br>[0029]段：In one embodiment, the three dimensional inductors may be grown between at least two conductive wire layers of the multi-layered substrate. For example, it is grown between the metal layer L2 and L3 (penetrates the dielectric layers M2)... | 对比文件详细描述了三维电感器的线圈结构，特别是第二线圈204，其形成方式是“从第一金属层220穿过介质层230到达第二金属层240，然后再穿过介质层230回到第一金属层220”。这实质上描述了垂直穿过介质层（即基板内的介电层）的导电结构。此外，对比文件在[0029]段明确提到线圈“生长在”多层基板的至少两个导电层之间，并“穿透（penetrates）”介质层。虽然对比文件未明确使用“穿基板通孔（Through-Substrate Via， TSV）电感器”这一术语，但本领域技术人员阅读其说明书后，能够理解其描述的电感器线圈结构是通过在基板（多层介质层）内形成垂直导电通孔（via）并连接不同金属层而构成的，这种结构是穿基板通孔（TSV）电感器的典型实现方式之一。因此，本领域技术人员完全有可能从对比文件的内容中合理推断出“至少一个电感器包括穿基板通孔电感器”。特征B被隐含公开。 |
| **特征C**：《未公开》<br>包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级 | 无相关描述。 | 对比文件全文均围绕三维电感器的结构、制造和应用进行描述，未提及任何“变抗器（varactor）”或可变电容器，也未提及包含变抗器的第二层级。对比文件的技术方案旨在提高电感器的品质因数和自谐振频率，并未涉及将电感器与变抗器耦合以形成特定功能电路（如滤波器或共用器）。因此，特征C未被对比文件公开。 |
| **特征D**：《未公开》<br>所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器 | 无相关描述。 | 对比文件未公开变抗器，更没有公开将电感器与变抗器组合形成“可调谐共用器（tunable diplexer）”。共用器是一种具有特定滤波功能的双工器，其结构与对比文件所公开的单一三维电感器结构完全不同。特征D未被对比文件公开。 |
| **特征E**：《未公开》<br>其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何变抗器，更未提及SOG（Silicon-On-Glass）变抗器。特征E未被对比文件公开。 |
| **特征F**：《未公开》<br>其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 | 无相关描述。 | 对比文件虽然描述了穿过多层介质层的通孔结构来形成电感线圈（见特征B论述），但其基板材料涉及的是PCB、LTCC或IC制造中的多层介电材料（如预浸料、高介电常数覆铜板等，见[0029]段），并未明确提及“玻璃（glass）”基板或“穿玻通孔（Through-Glass Via， TGV）”这一特定技术。目标专利中TGV电感器是其为实现高Q值而采用的具体技术手段。对比文件未公开TGV电感器。特征F未被公开。 |
| **特征G**：《未公开》<br>其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 | 无相关描述。 | 对比文件未公开变抗器，也未公开任何滤波器（无论是低通、高通还是带通）结构。其三维电感器本身是一个独立元件，未与其他元件组合成滤波器电路。特征G未被对比文件公开。 |
| **特征H**：《未公开》<br>其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 | 无相关描述。 | 对比文件未公开任何层级的变抗器，也未公开由多个电感器与变抗器耦合形成的LP滤波器。特征H未被对比文件公开。 |
| **特征I**：《未公开》<br>其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 | 无相关描述。 | 对比文件未公开变抗器，也未公开共用器或滤波器，更未涉及利用变抗器调节陷波频率的功能。特征I未被对比文件公开。 |
| **特征J**：《未公开》<br>其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 | 无相关描述。 | 对比文件公开的电感器是作为一个独立的无源元件，用于提供电感值。说明书未描述该电感器被配置用于控制任何滤波器的截止频率，也未提及该电感器是某个共用器或滤波器的一部分。特征J未被对比文件公开。 |
| **特征K**：《隐含公开》<br>其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 | [0056]段：In one embodiment, the three dimensional inductor is applied to Printed Circuit Board (PCB) manufacturing, Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) manufacturing, **Integrated Circuit manufacturing**, thin film manufacturing, thick film manufacturing and any other embedded inductor manufacturing. | 对比文件在[0056]段明确列举了三维电感器的应用领域，其中包括“集成电路制造（Integrated Circuit manufacturing）”。本领域技术人员熟知，集成电路（IC）可以制造在半导体管芯（die）上。因此，当对比文件公开其三维电感器可应用于集成电路制造时，本领域技术人员能够合理推断出，该三维电感器可以被集成到半导体管芯中，以构成三维集成电路（3DIC）的一部分。特征K被隐含公开。 |
| **特征L**：《未公开》<br>其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 | 无相关描述。 | 对比文件未提及将其三维电感器或包含该电感器的集成电路集成到任何具体类型的终端设备中，如移动电话、计算机等。特征L中列举的具体设备列表未被对比文件公开。 |
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