对比文件的名称：2011-04-14_WO2011044392A_发明申请_WO2011044392A1 THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER
目标专利的名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级** <br>**《直接公开》** | 说明书[0015]段：“A three-dimensional on-chip inductor using through-silicon vias (TSVs) can be used in integrated circuits and transformers. ... The three-dimensional on-chip inductor includes a plurality of segments of a first metal layer, a plurality of segments of a second metal layer, a first inductor input, a second inductor input, and a plurality of through silicon vias coupling the plurality of segments of the first metal layer and the plurality of segments of the second metal layer.” <br> 说明书[0040]段及图6：“Figure 6 also shows an exploded front view of an exemplary embodiment of an inductor 620 which includes the integration of a plurality of vertical through- silicon vias (TSVs) 622. ... The top of each TSV may be coupled to other TSVs with metal segments 626 in the Ml metal layer and the bottom of each TSV may be coupled to other TSVs with metal segments 624 in the RDL section 602 in a three-dimensional geometry...” | 对比文件明确公开了包含TSV和金属段（如M1层、RDL层）的三维电感器结构。这些TSV和金属段构成了电感器的组成部分，并且位于集成电路的特定层级（如BEOL层、RDL层）中。本领域技术人员能够毫无疑义地确定，该三维电感器结构必然包含在芯片的某个“第一层级”中。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器** <br>**《直接公开》** | 说明书[0015]段：“A three-dimensional on-chip inductor using **through-silicon vias (TSVs)** can be used in integrated circuits and transformers.” <br> 说明书[0040]段及图6：“... an inductor 620 which includes the integration of a plurality of vertical **through-silicon vias (TSVs)** 622.” | 对比文件的核心发明点就是使用穿硅通孔（TSV）来制作三维电感器。TSV是穿基板通孔的一种具体类型，其本质是垂直穿过硅基板的导电孔。因此，对比文件明确且直接地公开了电感器包括穿基板通孔（TSV）这一特征。 |
| **技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 无直接对应内容。对比文件主要描述电感器和变压器，未提及变抗器（varactor）。 | 对比文件全文均未提及“变抗器”（varactor）或任何具有可变电容功能的元件。对比文件讨论的电容效应（如[0008]段提到的寄生电容）是电感器设计中的负面因素，而非用于电路功能的有源可变电容元件。变抗器在目标专利中的作用是与电感器配合形成可调谐滤波器，以调节陷波频率。对比文件完全没有涉及这一概念或元件。因此，技术特征C既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 无直接对应内容。 | 如前述，对比文件未公开变抗器。此外，对比文件也未公开“可调谐共用器”（tunable diplexer）这一器件。对比文件中的三维电感器被用于构建变压器（图13）和射频放大器（图15），其功能是信号耦合、阻抗变换或放大，与用于频带分离和滤波的可调谐共用器在结构、组成和功能上均不相同。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 无直接对应内容。 | 对比文件未提及任何类型的变抗器，更未具体提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”。该特征未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 说明书多处提及“through-silicon vias (TSVs)”，即穿硅通孔。例如[0015], [0040]段。 | 对比文件明确且一致地使用“穿硅通孔”（TSV）。目标专利明确区分了“穿玻通孔”（TGV）和“穿硅通孔”（TSV），并指出TGV能提供更高的Q值。TSV和TGV是穿过不同材料基板（硅 vs. 玻璃）的互连结构，材料和工艺不同。对比文件未提及玻璃基板或穿玻通孔。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 无直接对应内容。 | 对比文件未公开变抗器，也未公开由电感器和变抗器构成的任何滤波器结构，更没有提及“低通(LP)滤波器”。对比文件中的电感器用于构成电感元件或变压器的组成部分，而非特定类型的滤波器。因此，技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 无直接对应内容。 | 该特征涉及更复杂的结构，包括第二变抗器、多个第二电感器以及它们形成的LP滤波器。对比文件既未公开变抗器，也未公开此类由多个电感和变抗器构成的滤波器网络，更未公开其在共用器中的应用。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 无直接对应内容。 | 该特征描述了变抗器的功能——调节滤波器的陷波频率。由于对比文件根本未公开变抗器，自然也谈不上公开其用于调节陷波频率的功能。目标专利中变抗器的可调性是实现共用器可适配不同载波频段的关键。对比文件未涉及此功能。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。** <br>**《未直接公开也未隐含公开》** | 对比文件公开了TSV电感器用于提供电感值，例如[0040]段：“The TSVs 622 increase the total length of the inductor 620 which increases the inductance value”。未提及控制滤波器截止频率的功能。 | 对比文件描述了TSV电感器用于增加电感值、提高电感密度和实现对称结构（[0043]段），其目的是优化电感器本身的性能或用于变压器、放大器。目标专利中电感器在滤波器中的作用是与其他元件（如变抗器）协同工作以定义通带和陷波特性，包括控制截止频率。对比文件未将电感器描述为用于控制滤波器截止频率的组件，也未公开其在此类滤波器电路中的具体功能配置。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。** <br>**《直接公开》** | 说明书标题及全文：“THREE DIMENSIONAL INDUCTOR AND TRANSFORMER”。说明书[0015]段：“A three-dimensional **on-chip** inductor...”。图6、7、9、10等均显示电感器集成在芯片（CMOS技术）中。 | 对比文件的主题就是在芯片（on-chip）上实现三维电感器和变压器。其描述的TSV、BEOL金属层、RDL层等都是半导体制造工艺中的组成部分，明确集成了半导体管芯中。因此，技术特征K被直接公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。** <br>**《直接公开》** | 说明书[0070]段及图17：“In Figure 17, remote unit 1720 is shown as a **mobile telephone**, remote unit 1730 is shown as a **portable computer**, and remote unit 1750 is shown as a **fixed location remote unit** in a wireless local loop system. For example, the remote units may be **cell phones, hand-held personal communication systems (PCS) units, portable data units such as personal data assistants, or fixed location data units such as meter reading equipment**.” | 对比文件明确列举了其三维电感器/变压器可应用于移动电话、便携式计算机、固定位置数据单元等多种设备，这些设备与目标专利权利要求中列举的设备类别（如移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、固定位置数据单元、个人数字助理(PDA)等）高度重合。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件的三维集成电路可以集成到这些设备中。因此，技术特征L被直接公开。 |
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