对比文件名称：2005-11-24_JP2005328026A_发明专利_JP2005328026A Thin film device, integrated circuit, electrooptic device, and electronic device
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级** <br>**《隐含公开》** | [2] “薄膜トランジスタ等の薄膜素子（回路素子）を含む薄膜素子層（回路層）を積層して構成される薄膜デバイス（いわゆる３次元デバイス）...” <br>[2] “図１に示す薄膜デバイス１は、ガラス基板又は樹脂基板などの絶縁性の基板１１上に、一又は複数の薄膜トランジスタを含む薄膜素子層１３、１５を積層してなるものである。” <br>[2] “薄膜素子層１３は、複数の薄膜トランジスタ２０を含み...” <br>[2] “薄膜素子層１５は、一又は複数の薄膜トランジスタ３０を含み...” | 目标专利的“电感器”是其可调谐共用器中的无源元件。对比文件公开了一种三维（3D）堆叠的薄膜器件，其包括多个薄膜元件层（13、15），每个层中包含一个或多个薄膜晶体管（20、30）等电路元件。虽然对比文件明确列举的是作为有源元件的晶体管，但本领域技术人员公知，集成电路中除了有源元件（如晶体管），也必然包含由互连结构等构成的无源元件（如电感、电容、电阻）以实现完整的电路功能。在对比文件所描述的薄膜元件层（回路层）中，为了实现特定的电路功能（例如，构成对比文件附图6所示的显示驱动电路），其层内和层间的互连结构完全有可能被配置成具有电感特性的结构，即形成电感器。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的“包含电路元件的多层堆叠结构”中，合理地推断出其堆叠的层中可以包含电感器。虽然对比文件未明确说明电感器，但基于对三维集成电路的通常理解，电感器作为基本无源元件是可以隐含存在于其电路层中的。因此，该特征被对比文件**隐含公开**。 |
| **技术特征B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“穿基板通孔（TSV）电感器”或类似结构。 | 目标专利的“穿基板通孔电感器”是一种特殊的、利用垂直穿过基板的导电通孔（如穿玻通孔TGV）形成的电感器，这是其实现高Q值、节省面积的关键结构。对比文件虽然提到了在玻璃或树脂基板（11）上堆叠薄膜元件层（13, 15），并描述了层间通过导电端子（41-44）和导电性接着材（14）进行电连接（见[2]段落），但通篇未提及利用穿过基板本身的通孔来形成电感元件。对比文件中的互连是层间的水平连接或垂直的端子连接，而非形成电感功能的穿基板通孔结构。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“穿基板通孔电感器”这一具体技术特征。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“变抗器（Varactor）”或任何可变电容元件。 | 目标专利的“变抗器”是实现共用器频率可调谐的关键元件。对比文件公开的薄膜器件中，其薄膜元件层（13, 15）包含的元件明确为薄膜晶体管（20，30）（见[2]段落），或广义上的薄膜二极管、电阻等（见[2]段落）。这些元件虽然可以实现电路功能，但对比文件从未提及任何具有可变电容特性的元件，例如变抗器。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出存在“变抗器”这一元件。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“共用器（Diplexer）”、“可调谐”、“滤波器”或任何用于频率复用/分离的电路结构。 | 目标专利中，电感器和变抗器的组合是为了形成特定结构的“可调谐共用器”，这是一个具有特定滤波功能（高通、低通、陷波）的射频器件。对比文件所描述的三维堆叠薄膜器件，其应用背景是通用集成电路或显示驱动电路（如附图6的电气光学装置），目的是提高集成度和解决发热问题（见[2]段落）。对比文件完全没有涉及射频共用器、滤波器或其可调谐性的任何内容。电感器和变抗器的简单存在并不必然构成一个“可调谐共用器”。本领域技术人员无法从对比文件公开的通用三维集成电路结构中，推理出其必然或能够构成一个可调谐共用器。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”或任何SOG结构的元件。 | SOG变抗器是目标专利中一种具体的高Q值可变电容实现方式。对比文件完全未涉及变抗器，更未提及SOG这种特定材料结构的变抗器。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。** <br>**《未公开》** | 对比文件提到了基板可以是玻璃基板（“ガラス基板”，见[2]段落），但未提及在玻璃基板中形成穿通孔并利用该通孔构成电感器。 | 目标专利的“穿玻通孔(TGV)电感器”是穿基板通孔电感器的一种具体实现形式。对比文件虽然公开了使用玻璃基板（11），但其作用仅是作为承载薄膜元件层（13,15）的绝缘性支撑基板（见[2]段落）。对比文件完全没有描述或暗示在玻璃基板中制作垂直通孔并利用这些通孔来形成具有电感特性的元件。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“低通(LP)滤波器”或任何类型的滤波器。 | 形成LP滤波器是目标专利中可调谐共用器内部的一个具体电路功能划分。如对特征D的论述，对比文件完全没有涉及任何滤波器电路，更不用说具体的低通滤波器。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“第二变抗器”、“多个第二电感器”以及它们组合形成“LP滤波器”。 | 该特征进一步限定了可调谐共用器中LP滤波器的具体构成，涉及多个层级中特定元件的耦合关系。对比文件完全没有公开变抗器、电感器以特定方式耦合形成滤波器的内容。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“调节陷波频率”、“滤波器陷波”或任何元件的频率调谐功能。 | 利用变抗器调节陷波频率是目标专利实现共用器可调谐性的具体技术效果。对比文件中的薄膜晶体管等元件用于电路开关或驱动，其发明目的是解决发热问题以实现稳定动作（见[2]段落），而非进行频率调谐。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“控制截止频率”或电感器在滤波器中的此类作用。 | 利用穿基板通孔电感器控制截止频率是目标专利中电感器在该特定滤波电路中所起的作用。对比文件未公开穿基板通孔电感器，也未公开任何滤波器及其频率特性控制。因此，该特征**未被公开**。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。** <br>**《隐含公开》** | [2] “第３の態様の本発明は、上記した発明にかかる薄膜デバイスを備える集積回路である。 ここで「集積回路」とは、一定の機能を奏するように薄膜デバイス及び関連する配線等が集積され配線された回路をいう。” | 目标专利的“三维集成电路集成到半导体管芯中”是指其3DIC结构可以作为一个整体被封装或集成到芯片中。对比文件明确公开了其薄膜器件（三维堆叠结构）可以用于构成“集積回路”（集成电路）。本领域技术人员能够理解，这里所述的“集積回路”通常就是指集成在半导体芯片（管芯）上的电路。因此，对比文件隐含公开了其三维堆叠结构可以集成到半导体管芯/芯片中。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。** <br>**《直接公开》** | [2] “第５の態様の本発明は、上記した発明にかかる薄膜デバイスを備える電子機器である。 ... 例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。” <br>[2] 图7(A)-(D)具体显示了包含该薄膜器件的电气光学装置的手机、摄像机、电视、可卷曲电视等应用实例。 | 目标专利列举了一系列可集成其3DIC的电子设备。对比文件在其第5方面及具体实施例中，明确公开了其薄膜器件（三维堆叠结构）可以用于构成“電子機器”（电子设备），并列举了包括“携帯電話”（移动电话/蜂窝电话）、“パーソナルコンピュータ”（个人计算机，涵盖便携式和台式计算机）、“PDA”、“テレビジョン”（电视机）、“ビデオカメラ”（摄像机，属于视频播放/录制设备）等在内的多种设备。这些设备与目标专利权利要求中列举的设备类别（如移动电话、计算机、电视机、视频播放器等）直接对应。因此，该特征被对比文件**直接公开**。 |
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