对比文件名称：2010-05-13_US2010118254A_发明申请_US20100118254A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
目标专利名称：1585基板CN110770646B
模型名称：用户未指定
| 技术特征描述（公开性判断） | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基础层（《直接公开》）** | [0067]“The counter substrate 200 includes, for example, a glass substrate 201”（对置基板200包括例如玻璃基板201）。 | 对比文件明确公开了玻璃基板作为基础层，用于支撑间隔物等，与目标专利的基础层作用相同。因此直接公开。 |
| **技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（《直接公开》）** | [0071]“The columnar spacer 205 is formed on the OC 204 and over the BM 202.”（柱状间隔物205形成在OC 204上且在BM 202上方）。[0067]-[0071]公开了多个柱状间隔物形成在对置基板上。 | 对比文件公开了在对置基板（基础层）上形成多个柱状间隔物，用于保持液晶盒间隙，间隔物的设置与目标专利一致。因此直接公开。 |
| **技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（《隐含公开》）** | [0042]“This columnar spacer has the shape with a gentle curve in which the midsection may become highest.”（该柱状间隔物具有带有柔和曲线的形状，其中中间部分可能最高）。图17示意了凸形弯曲的柱状间隔物。 | 对比文件的柱状间隔物顶部为凸形弯曲形状，无平坦部分。目标专利定义的半球形部分包括弯曲形状（完整半球或近似半球），本领域技术人员有可能将这种凸形弯曲视为半球形部分，因此隐含公开。 |
| **技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（《隐含公开》）** | 同C的引用。 | 基于相同理由，凸形顶部即为弯曲形状部分，可视为半球形部分。隐含公开。 |
| **技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（《未公开》）** | 无。 | 对比文件未涉及曲率数值，本领域技术人员无法确定弯曲形状的截面最大曲率是否≤150mm⁻¹，因此未公开。 |
| **技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（《隐含公开》）** | [0042]及柱状间隔物的整体构造：柱状主体加上顶部凸形弯曲。弯曲部分高度小于柱状主体高度。 | 对比文件的柱状间隔物由柱状主体和顶部凸形（可视为半球形部分）构成，且柱状主体高度大于顶部弯曲部分高度，因此隐含公开。 |
| **技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（《未公开》）** | [0143]间隔物总高约3.5μm；[0135]接触面积约90 ppm。 | 半球形部分高度（若存在）远小于5μm，不满足范围；虽面积比率可能很小，但前半条件不满足且未明确间隔物占据面积比率。因此未公开。 |
| **技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（《未公开》）** | [0011]和[0051]公开了台阶膜与柱状间隔物中心坐标差的标准偏差σ≥3μm。 | 对比文件未公开间隔物的标准间距P及10P正方形中间隔物数量的标准偏差，仅公开了相对位置偏差，与密度均匀性无关。因此未公开。 |
| **技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（《未公开》）** | 无。 | 对比文件未提及间距分布图或正态分布。未公开。 |
| **技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（《未公开》）** | 无。 | 对比文件未公开任何分布图的定义。未公开。 |
| **技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（《未公开》）** | 无。 | 对比文件未公开正态分布图相关参数（半高宽、最大高度等）。未公开。 |
| **技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（《未公开》）** | [0042]“a flat portion does not exist in the tip part of the columnar spacer”（在柱状间隔物的顶部部分不存在平坦部分）。 | 对比文件明确否定存在平坦部分，即曲率为0的轨迹不存在。公开了相反内容，因此未公开。 |
| **技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（《隐含公开》）** | [0129]“the size of the columnar spacer 205a is made 28 μm in diameter”（柱状间隔物205a的尺寸为直径28μm）。 | 若将柱状间隔物顶部视为半球形部分，其宽度（直径）28μm落在2-40μm内。因此隐含公开。 |
| **技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（《未公开》）** | 无。 | 对比文件未描述间隔物底部的渐缩弯曲形状。未公开。 |
| **技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（《隐含公开》）** | [0156]“by printing and baking of an alignment film, the alignment film is formed onto each of the TFT substrate 100 and the counter substrate 200”（通过印刷和烘烤配向膜，配向膜形成在每个TFT基板100和对置基板200上）。 | 配向膜覆盖包含柱状间隔物的基板表面，顺应间隔物形状。由于间隔物顶部为凸形（可视为半球形），配向膜顶部亦呈半球形。因此隐含公开。 |
| **技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（《未公开》）** | 无。 | 对比文件未给出配向膜形状的曲率信息。未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（《未公开》）** | [0042]否定平坦部分存在，故配向膜也无平坦部分。 | 基于相同理由，配向膜顶部无平坦部分（曲率0部分），未公开。 |
| **技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（《隐含公开》）** | [0143]间隔物高度约3.5μm；配向膜常规厚度0.1-1μm。 | 配向膜覆盖后总高度约3.6-4.5μm，在1-50μm范围内，因此隐含公开。 |
| **技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（《隐含公开》）** | [0129]间隔物直径28μm；配向膜覆盖后宽度略增。 | 配向膜宽度约28μm至数十μm，在1-80μm范围内，因此隐含公开。 |
| **技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（《隐含公开》）** | 对比文件公开了多个柱状间隔物的设置。 | 由于存在多个间隔物，本领域技术人员自然可以选择其中的三个、四个或六个进行几何分析，因此隐含公开。 |
| **技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（《隐含公开》）** | 同T。 | 选择三个、四个或六个间隔物分别可形成三角形、四边形或六边形，这是基本几何知识，隐含公开。 |
| **技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（《隐含公开》）** | [0099]公开间隔物可以随机排列。在随机排列中，选择最近邻间隔物时形成的闭合图形内通常无其他间隔物。 | 虽然对比文件未明确，但基于随机排列的可能性，有可能存在闭合图形内无其他间隔物的情形，因此隐含公开。 |
| **技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（《隐含公开》）** | [0099]“arrangement of at least one of a step film and a columnar spacer may be an entirely random arrangement”（台阶膜和柱状间隔物中的至少一者的排列可以是完全随机排列）。 | 随机排列下，任意三个、四个或六个最近邻间隔物形成的闭合图形边长不可能全相等，至少有一边不同。因此隐含公开。 |
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