对比文件名称：2013-01-01_TW201300890A_发明专利_TW201300890A 顯示裝置及光障元件
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：AI模型（基于深度学习的专利比对模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译/标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基础层** <br>**《直接公开》** | “透明基板33A與透明基板33B(一對基板)”（見【液晶屏障30的詳細組態】部分） | 对比文件明确公开了一对基板（透明基板33A、33B），相当于本专利的基础层。该基板在对比文件中用于支撑液晶层和间隔物，与本专利中基础层的作用相同（支撑间隔物等基本结构）。 |
| **技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物** <br>**《直接公开》** | “複數個間隔物36，係設置在一對基板之間。”（見【液晶屏障30的詳細組態】部分） | 对比文件公开了多个间隔物36设置在一对基板之间，相当于本专利的复数个间隔物设置在基础层上。间隔物用于控制单元间隙，与本专利的间隔物作用一致。 |
| **技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物** <br>**《未公开》** | “各個塑模成諸如圓筒形狀等圓柱形狀。”（見【液晶屏障30的詳細組態】部分） | 对比文件明确描述间隔物为圆柱形（圆筒形状），未公开任何半球形部分或顶部半球形的结构。本专利的半球形间隔物具有特定的形状以利于配向膜的均匀取向，对比文件的圆柱形间隔物无法直接或隐含公开半球形特征。 |
| **技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分** <br>**《未公开》** | （对比文件未公开半球形部分，无相关内容） | 基于特征C未公开，形状限定不成立。对比文件无弯曲形状的半球形部分描述。 |
| **技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹** <br>**《未公开》** | （对比文件未公开半球形部分，无曲率相关内容） | 对比文件未涉及任何半球形部分的曲率限定。 |
| **技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物** <br>**《未公开》** | （对比文件间隔物为单一圆柱形，无半球形与柱状组合） | 对比文件的间隔物为整体圆柱形，无半球形部分与柱状部分的高度区分，未公开该结构。 |
| **技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小** <br>**《未公开》** | 面积比率： “間隔物36的配置密度(面積密度)分別為0.70%、1.07%、及1.00%”（見【例子的模擬結果】部分）；半球形高度：无相关内容 | 对比文件公开了面积比率（小于20%），但未公开半球形部分的高度范围，且对比文件不存在半球形部分，因此该特征的整体技术方案未公开。 |
| **技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小** <br>**《未公开》** | “在圖10所示之例子中，有效顯示區211(光障區)被分割成複數個單位區域22，及複數個間隔物36被隨機配置在各個單位區域22中，如上述。……間隔物36的配置密度(由配置面積所定義的密度)理想上在單位區域22之間實質上相等(實質上平均)。”（見【間隔物36的例示配置組態】部分） | 对比文件仅提到单位区域内间隔物密度实质相等，未定义标准间距P，未给出标准偏差的具体数值（≤2），也未描述选择10P边长的正方形区域进行统计的方法。因此未直接或隐含公开该量化条件。 |
| **技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示** <br>**《未公开》** | （对比文件未提及间隔正态分布图） | 对比文件仅描述随机配置，但未公开间距分布的具体形式（如正态分布图）。 |
| **技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上** <br>**《未公开》** | （对比文件未提及间隔正态分布图） | 对比文件未公开任何分布图定义。 |
| **技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1** <br>**《未公开》** | （对比文件未提及半高宽、最大高度等分布参数） | 对比文件未公开相关参数。 |
| **技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹** <br>**《未公开》** | （对比文件未公开半球形部分截面轨迹） | 基于特征C未公开，无此特征。 |
| **技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内** <br>**《未公开》** | “直徑(X-Y平面中之圓形的直徑)例如約為5μm至30μm(含兩者)。”（見【液晶屏障30的詳細組態】部分） | 对比文件间隔物直径5-30μm，但该直径对应圆柱形间隔物的截面，并非半球形部分的宽度。本专利的半球形宽度是间隔物顶部弯曲部分的尺寸，与圆柱直径含义不同，且对比文件未公开半球形结构。 |
| **技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分** <br>**《未公开》** | （对比文件间隔物为圆柱形，底部为平面或圆弧？未描述渐缩部分） | 对比文件未公开间隔物底部的渐缩形状。 |
| **技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形** <br>**《未公开》** | “未圖示的對準膜係設置在透明電極層35A及35B的每一個之液晶層34側上的表面上。”（見【液晶屏障30的詳細組態】部分） | 对比文件公开了配向膜（对准膜）设置在透明电极层上，但未明确配向膜是否覆盖间隔物，也未公开配向膜在间隔物上的顶部形状（半球形）。 |
| **技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小** <br>**《未公开》** | （对比文件未公开配向膜顶部半球形及曲率） | 基于特征O未公开，此特征未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹** <br>**《未公开》** | （对比文件未公开配向膜顶部半球形轨迹） | 未公开。 |
| **技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内** <br>**《未公开》** | （对比文件未间隔物上配向膜高度） | 未公开。 |
| **技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内** <br>**《未公开》** | （对比文件未公开配向膜宽度） | 未公开。 |
| **技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时** <br>**《隐含公开》** | “複數個間隔物36係隨機配置在透明基板33A及33B之基板表面中的部分或所有區域中。”（見【間隔物36的例示配置組態】部分） | 对比文件公开了多个间隔物随机配置。随机配置下，本领域技术人员可任意选择其中三个、四个或六个间隔物，这是随机分布固有的可操作性。因此该前提特征被隐含公开。 |
| **技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时** <br>**《隐含公开》** | （参见特征T引用） | 基于随机配置，选择三个不共线的间隔物必然形成三角形，选择四个可形成四边形等。该条件隐含于间隔物随机排布的属性中，本领域技术人员可以合理推断。 |
| **技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物** <br>**《未公开》** | （对比文件未提及此选点条件） | 对比文件未公开在形成的闭合图形内部不能存在其他间隔物这一约束条件。 |
| **技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同** <br>**《直接公开》** | “當提及一間隔物36時，兩或更多種距離存在於間隔物36與其他間隔物36之間(在光障表面中)。”（見【間隔物36的例示配置組態】部分） | 对比文件直接公开了间隔物之间存在两种或更多种距离（间距）。这直接意味着当任意选择间隔物形成三角形（或四边形、六边形）时，其边长（即间距）至少存在不同，因为不存在单一间距。因此该特征被直接公开，且作用都是为了抑制莫尔现象，与本专利一致。 |
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**输出代码**
根据特征比对结果，对比文件直接公开了技术特征A、B、W，隐含公开了技术特征T、U。其他特征未公开。
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