**对比文件名称：** 2013-04-22_KR1020130039383A_发明公开_KR1020130039383A 액정표시장치용 스페이서 제조방법
**目标专利名称：** 1585基板CN110770646B
**本次调用的模型名称：** DeepSeek-R1
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基础层（直接公开） | 【0018】：“본 발명의 제1 실시예에 따른 스페이서가 구비된 액정표시장치는 상부기판(10) 또는 하부기판(20), 스페이서(101) 및 중공부(102)을 포함하여 구성된다。”（根据本发明第一实施例的具备间隔物的液晶显示装置包括上基板(10)或下基板(20)、间隔物(101)和中空部(102)。） | 对比文件明确公开了作为基板的上基板或下基板，其功能等同于目标专利中的基础层（承载间隔物的基底）。本领域技术人员能毫无疑义地确定该基板即为间隔物设置的基础，故直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（直接公开） | 【0026】-【0027】：在基板上形成具有图案的假想层，然后在假想层上涂覆树脂并固化形成间隔物。【0024】进一步描述形成间隔物的整体流程，液晶显示装置中必然设置多个间隔物以维持均匀的盒间隙。 | 对比文件完整描述了在基板上制造间隔物的工艺，并明确最终产品为包含多个间隔物的液晶显示装置。本领域技术人员可直接得出“复数个间隔物设置在基础层上”这一技术特征，故直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（未公开） | 【0022】：“스페이서(101)와 상부기판 또는 하부기판에 접하는 경계 부분을 곡면형태로 형성됨”（间隔物与上基板或下基板接触的边界部分形成为曲面形状）。 | 对比文件仅指出间隔物与基板的接触边界为曲面，未明确该曲面为顶部半球形部分，更未定义间隔物整体为半球形间隔物。其曲面可能位于底部或侧面，且形状未限定为半球形。本领域技术人员无法唯一推导出顶部具有半球形部分，故不公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（未公开） | 同上【0022】仅提及“곡면형태”（曲面形状）。 | 对比文件未设立“半球形部分”这一概念，其曲面的位置和形态与目标专利的半球形部分不同，且不具备半球形部分的完整定义，故不公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（未公开） | 对比文件全文未出现任何关于曲率数值或范围的记载。 | 目标专利对曲率有特定数值限定，对比文件未涉及该参数，本领域技术人员无法从对比文件中获知或合理推断此曲率范围，故不公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（未公开） | 【0004】提及“기둥모양의 지주형 스페이서”（柱状支撑间隔物）作为背景技术，但本发明的间隔物（101）并未被明确描述为柱状与半球形的组合结构。 | 对比文件的间隔物为具有中空部和贯通部的整体结构，未区分柱状部分和半球形部分，也未要求半球形部分的高度低于整体高度。因此不公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（未公开） | 【0023】：“상기 스페이서(101)의 높이는 2 내지 5㎛인 것이 바람직하고”（所述间隔物(101)的高度优选为2至5μm）。面积比率无记载。 | 对比文件给出的间隔物高度范围(2-5μm)与目标专利的半球形部分高度范围(5-20μm)完全不同且无重叠。面积比率未提及，故不公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（未公开） | 对比文件全文无标准间距、正方形区域、标准偏差等任何相关描述。 | 该特征涉及间隔物的排列规则性和密度均匀性，对比文件仅关注单个间隔物形状和制造方法，未涉及整体排列的统计参数，故不公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（未公开） | 对比文件无任何关于间距分布或统计图的记载。 | 完全未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（未公开） | 同上，无记载。 | 完全未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（未公开） | 同上，无记载。 | 完全未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 对比文件未提及轨迹中有无曲率为0的直线部分。 | 完全未公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（未公开） | 【0023】给出了间隔物的截面面积(100-800μm²)，但未指定宽度，也未限定半球形部分的宽度范围。 | 截面面积无法直接对应半球形部分宽度，且目标专利的宽度范围是特定参数，对比文件未公开，故不公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（未公开） | 【0022】提到边界为曲面（곡면형태），但未描述曲率中心的位置或渐缩结构。 | 对比文件仅简单提及曲面，未定义曲率中心在外部，也未描述底部渐缩形状，故不公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（未公开） | 【0006】：“상기 상부기판과 상기 하부기판의 마주보는 면에는 각각 배향막이 형성”（上基板和下基板的相对面上各自形成取向膜）。未提及取向膜覆盖间隔物及其顶部形状。 | 对比文件中的取向膜仅形成在基板表面，未形成在间隔物上；更没有配向膜顶部具有半球形的特征。故不公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（未公开） | 对比文件未涉及配向膜，更无曲率参数。 | 完全未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 同上，未涉及。 | 完全未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（未公开） | 同上，未涉及。 | 完全未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（未公开） | 同上，未涉及。 | 完全未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（未公开） | 对比文件未公开任何关于间隔物选择或图形形成的内容。 | 完全未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（未公开） | 同上，未公开。 | 完全未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（未公开） | 同上，未公开。 | 完全未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（未公开） | 同上，未公开。 | 完全未公开。 |
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**公开性代码（仅插入直接被公开的特征代码）**
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