对比文件名称：2016-09-29_US2016282658A_发明申请_US20160282658A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
目标专利名称：1585基板CN110770646B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：包括基础层<br>《直接公开》 | 【0017】“半导体器件包括第一基板、第二基板以及设置在所述第一基板与所述第二基板之间并保持所述第一基板与所述第二基板之间的间隔的多个柱状间隔物。”<br>【0084】“对于基板501，优选使用玻璃基板或石英基板。” | 对比文件明确公开了第一基板（相当于基础层），其作用为承载后续结构和保持间隔，与目标专利中基础层的作用相同。因此技术特征A被直接公开。 |
| **特征B**：和设置在所述基础层上的复数个间隔物<br>《直接公开》 | 【0017】“多个柱状间隔物设置在第一基板与第二基板之间。”<br>【0072】“如图2A所示，柱状间隔物规则地设置。” | 对比文件公开了多个间隔物形成于基板上（通过光刻等工艺），这些间隔物用于维持基板间隔，与目标专利中设置在基础层上的间隔物功能一致。因此技术特征B被直接公开。 |
| **特征C**：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物<br>《未公开》 | 【0022】“每个柱状间隔物在其顶部包括平坦表面。”<br>【0065】“柱状间隔物顶端的曲率半径为2μm或更小。” | 对比文件中的间隔物为柱状，顶部具有平坦表面（flat surface），并非目标专利所述的“半球形部分”（弯曲的穹形形状）。目标专利的半球形部分是指大曲率半径的弯曲部分，而对比文件顶部平坦，仅边缘有小半径倒角，两者形状本质不同。因此技术特征C未被公开。 |
| **特征D**：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分<br>《未公开》 | 无（取决于特征C） | 由于特征C未被公开，该从属特征亦未公开。 |
| **特征E**：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹<br>《未公开》 | 【0065】“柱状间隔物顶端的曲率半径为2μm或更小。” | 对比文件顶端曲率半径≤2μm，对应曲率≥500mm⁻¹，远大于150mm⁻¹，且该弯曲并非半球形部分。因此技术特征E未被公开。 |
| **特征F**：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物<br>《未公开》 | 无 | 对比文件柱状间隔物无半球形部分，不存在“高于半球形部分的高度”的结构。技术特征F未被公开。 |
| **特征G**：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小<br>《未公开》 | 【0019】“每个柱状间隔物的高度H为0.5μm至10μm。”<br>【0020】“每个柱状间隔物的宽度L1为20μm或更小。”<br>【0072】“柱状间隔物以每mm² 10至200个的密度设置。” | 对比文件未公开半球形部分高度（其间隔物无半球形部分）；虽面积比率可通过密度与宽度估算出满足20%以下，但由于半球形部分不公开，该特征整体不成立。因此技术特征G未被公开。 |
| **特征H**：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小<br>《隐含公开》 | 【0072】“柱状间隔物规则地设置（disposed regularly）。”<br>图2A示出规则排列的间隔物。 | 在规则排列中，所有相邻间隔物的间距相等（即标准间距P），选择10P边长的正方形区域，每个区域内的间隔物数量完全相同，标准偏差为0，必然≤2。本领域技术人员从“规则排列”这一公开内容可以毫无疑义地推断出该条件成立。因此技术特征H被隐含公开。 |
| **特征I**：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示<br>《未公开》 | 无 | 对比文件不仅未提及任何分布图，且其规则排列产生的间距为单一值，不构成分布。技术特征I未被公开。 |
| **特征J**：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上<br>《未公开》 | 无 | 对比文件无相关描述。技术特征J未被公开。 |
| **特征K**：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何分布参数。技术特征K未被公开。 |
| **特征L**：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>《未公开》 | 【0022】“每个柱状间隔物在其顶部包括平坦表面。” | 该特征限定于半球形部分的截面轨迹。对比文件间隔物的平坦顶部虽有曲率为0的部分，但属于柱状间隔物的顶部，并非半球形部分。因此技术特征L未被公开。 |
| **特征M**：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内<br>《未公开》 | 【0020】“每个柱状间隔物的宽度L1为20μm或更小。” | 对比文件公开的是柱状间隔物整体宽度，而非半球形部分宽度。因半球形部分未公开，该特征不成立。技术特征M未被公开。 |
| **特征N**：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分<br>《未公开》 | 【0067】“柱状间隔物的下端形成锥形部分（taper portion）。” | 对比文件仅提及底部有锥形，但未描述其截面轨迹为弯曲形状且曲率中心在外部。通常锥形为直线倾斜，不满足弯曲且曲率中心在外的几何特征。技术特征N未被公开。 |
| **特征O**：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形<br>《未公开》 | 【0079】“可以采用这样的步骤：在第一基板1100上形成柱状间隔物1102之后，再形成配向膜1103。”<br>图16A‑16B示出配向膜覆盖间隔物。 | 对比文件虽然公开了配向膜覆盖间隔物，但由于间隔物顶部平坦，覆盖其上的配向膜顶部也为平坦形状，不具有半球形。技术特征O未被公开。 |
| **特征P**：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小<br>《未公开》 | 无（取决于特征O） | 特征O未公开，该从属特征亦未公开。 |
| **特征Q**：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹<br>《未公开》 | 无（取决于特征O） | 特征O未公开，该从属特征亦未公开。 |
| **特征R**：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内<br>《未公开》 | 【0019】柱状间隔物高度H为0.5‑10μm；配向膜厚度通常0.05‑0.2μm | 对比文件未明确配向膜覆盖后的总高度范围，且配向膜顶部形状不符合半球形要求（特征O），故整体特征未公开。 |
| **特征S**：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内<br>《未公开》 | 【0020】柱状间隔物宽度L1≤20μm；配向膜厚度可增加少量宽度 | 同特征R，由于配向膜顶部形状不满足半球形，该特征未公开。 |
| **特征T**：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未涉及通过选择间隔物形成闭合图形的任何教导。技术特征T未被公开。 |
| **特征U**：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时<br>《未公开》 | 无 | 对比文件无相关描述。技术特征U未被公开。 |
| **特征V**：在所述闭合图形中不存在其他间隔物<br>《未公开》 | 无 | 对比文件无相关描述。技术特征V未被公开。 |
| **特征W**：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同<br>《未公开》 | 【0072】“柱状间隔物规则地设置。” | 规则排列中，间隔物形成的正多边形所有边长均相等，任何选择下的边长都相同，不满足“至少一者不同”。因此技术特征W未被公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<h>>>