对比文件的名称：2014-12-04_US2014354930A_发明申请_US20140354930A1 LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE和目标专利的名称：1585基板CN110770646B以及本次调用的模型名称。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层（直接公开） | [0009]：“彩色滤光片基板110包括绝缘基板102。”此外，有源矩阵基板120也包括绝缘基板101。 | 对比文件明确公开了液晶显示装置中的基板包含绝缘基板（玻璃等），该绝缘基板相当于目标专利的基础层，用于支撑其他层。本领域技术人员可直接确定该特征已被公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物（直接公开） | [0009]：“副间隔物105和主间隔物（未示出）形成在BM 104上。”BM 104形成在绝缘基板102上。 | 对比文件清楚公开在基础层（绝缘基板）上通过BM层形成有多个间隔物（包括副间隔物和主间隔物），即复数个间隔物设置于基础层上。因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物（直接公开） | [0061]：“副间隔物5形成圆形突出的形状（rounded projecting shape）。”[0075]及图7(c)显示圆柱形且远端球形。 | 对比文件描述的“圆形突出的形状”以及图中远端为球形的间隔物，其顶部包含弯曲部分，该弯曲部分实质等同于目标专利中的半球形部分。因此直接公开了每个间隔物在顶部具有半球形部分。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分（直接公开） | [0061]：同上，“圆形突出的形状”包含弯曲形状。[0075]提及多种形状均具有弯曲的远端。 | 对比文件公开的间隔物形状明确包含弯曲部分，该弯曲部分即目标专利所指的半球形部分，是间隔物的一部分。特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹（未公开） | 对比文件全文未涉及间隔物弯曲部分的曲率数值。 | 目标专利明确限定了半球形部分截面轨迹的最大曲率≤150mm⁻¹。对比文件仅描述了间隔物为圆形突出，但未公开任何具体曲率值或范围，本领域技术人员无法直接或合理推断出该数值限制。因此未公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物（隐含公开） | [0075]：“如图7(c)所示的圆柱形形状（cylindrical shape）”，并且“每个副间隔物5的远端是球形的（spherically rounded）”。 | 对比文件明确给出了圆柱形间隔物（柱状部分）加上球形顶部（半球形部分）的示例，本领域技术人员可合理推知该柱状部分的高度高于半球形部分，从而形成柱状间隔物。虽然未明确标注各部分高度数值，但该形状结构隐含公开了特征F。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小（未公开） | [0131]：“每个副间隔物形成为底部直径12μm，高度2.5μm。”未提及面积比率。 | 对比文件实施例1中副间隔物高度为2.5μm，远小于5μm，且未公开间隔物占据面积比率。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出高度5-20μm及面积比率≤20%的限定。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小（未公开） | 对比文件未公开标准间距P、正方形区域选择及标准偏差的计算。 | 目标专利限定了间隔物排列的均匀性通过标准偏差衡量。对比文件仅给出了副间隔物间距为30μm（[0131]），但未涉及标准间距P、区域选择及标准偏差等概念，本领域技术人员无法从中获得该特征。因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示（未公开） | 对比文件未公开间隔正态分布图。 | 目标专利要求用间隔正态分布图表征间距分布。对比文件未提及任何关于正态分布或分布图的内容。因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上（未公开） | 对比文件未公开间隔正态分布图。 | 该特征是对间隔正态分布图的进一步定义，对比文件未公开分布图，故未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1（未公开） | 对比文件未公开间隔正态分布图。 | 目标专利限定了分布图参数（半高宽、最大高度），对比文件未涉及，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（直接公开） | [0075]：“副间隔物5可以包括平坦部分。具体地，例如，副间隔物5的横截面视图可以具有如图8(a)所示的梯形形状。” | 对比文件明确公开了间隔物可具有平坦部分（梯形形状的顶部），该平坦部分在截面中为直线，其曲率为0mm⁻¹。特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内（直接公开） | [0131]：“每个副间隔物形成为具有底部直径12μm。” | 对比文件实施例1的副间隔物底部直径为12μm，该尺寸落在2μm至40μm的范围内，且对于无柱状部分的间隔物，底部直径即对应半球形部分的宽度。因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分（未公开） | 对比文件未描述间隔物底部具有渐缩部分及曲率中心在截面外部的形状。 | 目标专利限定了间隔物底部特定形状特征。对比文件中间隔物通常为直壁或简单凸起，未提及渐缩部分或相应的曲率特征。因此未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形（隐含公开） | [0065]：“应当注意，尽管水平光配向膜7可以设置在副间隔物5上（如图4所示），但通常不在副间隔物5上形成或仅微量形成。”图4示意了配向膜覆盖副间隔物。 | 对比文件直接公开了配向膜可以形成在基础层和间隔物上（图4及说明）。由于间隔物本身顶部具有半球形形状，当配向膜形成在其上时，必然遵循其轮廓，使得配向膜的顶部也呈现半球形。本领域技术人员可合理推知该结果。因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小（未公开） | 对比文件未公开配向膜的任何曲率数值。 | 目标专利限定了配向膜顶部半球形的最大曲率，对比文件未涉及配向膜的曲率，本领域技术人员无法推断出该数值。因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹（未公开） | 对比文件未公开配向膜顶部包含平坦部分（曲率为0）。 | 对比文件未提及配向膜形状具有平坦部分，即便间隔物可有平坦部分，但配向膜在间隔物上的形状是否包含平坦部分也未公开。因此未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内（未公开） | [0077]：配向膜厚度约为1000-1500Å（0.1-0.15μm）。 | 对比文件公开的配向膜厚度远小于1μm，未达到1μm至50μm的范围。本领域技术人员无法从中得到该高度范围。因此未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内（未公开） | 对比文件未公开配向膜在间隔物上的宽度。 | 对比文件未记载配向膜在间隔物上的宽度，本领域技术人员无法获得该特征。因此未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时（未公开） | 对比文件未公开该选择条件。 | 目标专利涉及通过选择特定数量间隔物形成闭合图形时的排列特征，对比文件未提供任何关于选择间隔物形成多边形的教导。因此未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时（未公开） | 对比文件未公开闭合图形的条件。 | 同上，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物（未公开） | 对比文件未公开闭合图形内部无间隔物的条件。 | 目标专利要求闭合图形内无其他间隔物。对比文件未提及该要求。因此未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同（未公开） | 对比文件未公开边长不同的要求。 | 目标专利限定了形成的闭合图形的边长不完全相同，对比文件未涉及该排列规则。因此未公开。 |
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