**对比文件名称**：2006-02-23_JP2006051517A_发明专利_JP2006051517A Laser beam machining method
**目标专利名称**：1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板 CN106687249B
**模型名称**：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：其中激光束的形状为椭圆形状《直接公开》** | 对比文件第[2]段记载：“パルスレーザー光線は集光スポットが楕円形に形成され”（脉冲激光束的聚光点形成为椭圆形）。 | 对比文件明确公开了激光束的聚光点为椭圆形，即光束形状为椭圆形状，因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征B：所述椭圆形状的长轴与切割方向平行《直接公开》** | 对比文件第[2]段记载：“該楕円形の集光スポットにおける長軸を該分割予定ラインに沿って位置付け”（将椭圆聚光点的长轴沿着预定分割线定位）。 | 对比文件公开了椭圆光斑的长轴与分割预定线（切割线）平行，即长轴与切割方向平行，因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C：其中，所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率《直接公开》** | 对比文件第[2]段中加工条件示例：“スポットｓの大きさ ：Ｈ２０μｍ×Ｌ４０μｍ”（光斑大小：H20μm×L40μm），该示例对应长轴40μm、短轴20μm，即长轴:短轴=2:1=1:0.5。 | 对比文件具体公开了长轴40μm、短轴20μm的椭圆光斑，其长宽比为2:1（即1:0.5），该比值落入目标专利权利要求限定的1:0.6至1:0.4范围内（0.5介于0.4与0.6之间），因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D：其中，所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度《直接公开》** | 对比文件第[2]段中加工条件示例记载：“加工送り速度：４００ｍｍ／秒”（加工进给速度：400mm/s）。 | 对比文件公开了400mm/s的加工速度，该速度值在100mm/s至1000mm/s范围内，因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E：其中，所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件第[2]段中加工条件示例记载：“平均出力：２Ｗ”、“繰り返し周波数：３０ｋＨｚ”（平均输出：2W，重复频率：30kHz），计算脉冲能量约0.067mJ。未公开其他脉冲能量值。 | 对比文件未公开5mJ至7mJ的脉冲能量范围，其示例计算值远低于该范围；对比文件也未提供任何暗示使本领域技术人员能够合理推断出该范围，因此本技术特征既未直接公开也未隐含公开。 |
| **技术特征F：其中，所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件涉及半导体晶圆的激光加工，全文未涉及偏光板的组成，未提及环烯烃薄膜。 | 对比文件的技术领域和加工对象完全不同，未公开或暗示偏光板中包含基于环烯烃的薄膜，因此本技术特征未被公开。 |
| **技术特征G：所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件涉及半导体晶圆的分割，晶圆无拉伸方向概念，未提及偏光板拉伸方向。 | 对比文件没有公开偏光板的拉伸方向，也没有公开切割方向与拉伸方向的关系，因此本技术特征未被公开。 |
| **技术特征H：在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件未涉及偏光板切割表面的锥度测量，无锥度尺寸数据。 | 对比文件没有公开任何与偏光板切割表面锥度尺寸相关的技术内容，因此本技术特征未被公开。 |
| **技术特征I：其中，所述激光为CO2激光或UV激光《直接公开》** | 对比文件第[2]段中加工条件示例记载：“レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー 波長 ：３５５ｎｍ”（激光光源：YVO4激光或YAG激光，波长：355nm）。355nm属于UV激光波段。 | 对比文件公开了使用波长为355nm的UV激光（YVO4或YAG激光），由于本技术特征是“CO2激光或UV激光”的择一形式，对比文件公开了其中一种（UV激光），因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征J：其中，所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长《直接公开》** | 同上，对比文件公开了波长355nm。 | 355nm落入300nm至400nm范围内，因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征K：其中，所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件未使用CO2激光，其所用激光波长为355nm（UV波段）。 | 对比文件没有公开CO2激光及其振荡波长，因此本技术特征未被公开。 |
| **技术特征L：其中，使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行《直接公开》** | 对比文件第[2]段中加工条件示例记载：“加工重ね回数：８回”（加工重叠次数：8次）；说明书描述采用多次激光照射形成激光加工沟。 | 对比文件公开了通过多次激光照射（即多重切割系统）执行切割，由于本技术特征是“单一切割系统或多重切割系统”的择一形式，对比文件公开了其中一种（多重切割系统），因此本技术特征被直接公开。 |
| **技术特征M：其中，所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件未涉及基于环烯烃的薄膜，无厚度公开。 | 对比文件没有公开基于环烯烃的薄膜及其厚度，因此本技术特征未被公开。 |
| **技术特征N：其中，所述偏光板具有50微米至250微米的厚度《无直接公开，无隐含公开》** | 对比文件未涉及偏光板，无厚度公开。 | 对比文件没有公开偏光板及其厚度，因此本技术特征未被公开。 |
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