返回项目页面
对比文件列表
1997-05-27_US5632083A_发明授权_US5632083A Lead frame fabricating method and lead frame fabricating apparatus_+++A_B_D_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2000-02-29_JP2000061677A_发明专利_JP2000061677A Method and device for laser beam cutting_+++A_B_I_K+++.docx
2026-07-03 01:17
2000-06-20_JP2000167681A_发明专利_JP2000167681A Laser cutting substrate, liquid crystal display panel and manufacture of the panel_+++A_B_I_K_l+++.docx
2026-07-03 01:17
2001-02-27_JP2001056455A_发明专利_JP2001056455A Liquid crystal display device panel_+++A_B_I_K_l+++.docx
2026-07-03 01:17
2001-03-23_JP2001077506A_发明专利_JP2001077506A Board for laser cutting and liquid crystal display unit panel constituted of the board for laser cutting_+++A_B_I_K+++.docx
2026-07-03 01:17
2001-10-02_US6297869B_发明授权_US06297869B1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B_I_K_l+++.docx
2026-07-03 01:17
2003-06-17_US6580489B_发明授权_US06580489B2 Liquid crystal display panel and a substrate capable of being cut by a laser light_+++a_b_i_k+++.docx
2026-07-03 01:17
2003-11-13_US2003209528A_发明申请_US20030209528A1 Laser cutting apparatus and method_+++A_B_D_I_K_l+++.docx
2026-07-03 01:17
2004-04-06_US6717101B_发明授权_US06717101B2 Method and apparatus for laser ablation of a target material_+++A_B_E_I_J_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2004-11-23_US6822725B_发明授权_US06822725B2 Liquid crystal display substrates integrated by sealant formed inside cutting lines_+++A_B_I_K_l+++.docx
2026-07-03 01:17
2005-04-28_US2005088610A_发明申请_US20050088610A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2006-02-15_CN1733415A_发明公开_CN1733415A 激光加工方法_+++A_B_I_J_L_d+++.docx
2026-07-03 01:17
2006-02-16_US2006035411A_发明申请_US20060035411A1 Laser processing method_+++A_B_D_I_J_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2006-02-23_JP2006051517A_发明专利_JP2006051517A Laser beam machining method_+++A_B_C_D_I_J_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2006-05-11_US2006098155A_发明申请_US20060098155A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B_I_K_l+++.docx
2026-07-03 01:17
2006-10-04_KR100576084B_发明授权_KR100576084B1 액정표시기 패널 및 이의 제조 방법_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2006-10-26_JP2006289388A_发明专利_JP2006289388A Apparatus for laser beam machining_+++A_B_I_J+++.docx
2026-07-03 01:17
2007-05-23_CN1966198A_发明公开_CN1966198A 激光加工装置_+++A_B_D_I_J_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2010-06-16_CN1966198B_发明授权_CN1966198B 激光加工装置_+++A_B_D_I_J_c+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-01-05_US2012000894A_发明申请_US20120000894A1 PRECISION LASER SCORING_+++A_B_D_I_K_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-04-19_WO2012050045A_发明申请_WO2012050045A1 レーザ切断装置及びレーザ切断方法_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-05-10_JP2012086230A_发明专利_JP2012086230A Laser cutting device and laser cutting method_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-09-13_JP2012521339A_发明专利_JP2012521339A Precision laser scoring_+++A_B_D_I_K_L_f+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-09-19_CN102686354A_发明公开_CN102686354A 精密激光刻痕_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-06-26_CN103180085A_发明公开_CN103180085A 激光切割装置和激光切割方法_+++A_B_k+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-08-21_EP2628564A_发明公开_EP2628564A1 LASER CUTTING DEVICE AND LASER CUTTING METHOD_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-09-13_JP2012521339A_发明专利_JP2012521339A Precision laser scoring_+++A_B_D_I_K_L_f+++.docx

对比文件名称:2012-09-13_JP2012521339A_发明专利_JP2012521339A Precision laser scoring

目标专利名称:1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B

本次调用的模型名称:深度推理AI模型(GPT-4 及其他先进架构)

以下是对比文件公开性判断的特征比对表格:

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A:** 其中激光束的形状为椭圆形状<br>《直接公开》**段落[0060](第IV节):** "図2は、本発明の特定の実施形態において使用可能な、長さL(LB)および幅W(LB)を有する細長い楕円形ビームを概略的に示したものである。"<br>(中文翻译:图2示意性地示出了可用于本发明特定实施方式的具有长度L(LB)和宽度W(LB)的细长椭圆形射束。)对比文件明确将其激光束的形状描述为“细长椭圆形状”(細長い楕円形ビーム),即直接公开了激光束为“椭圆形状”这一技术特征。该特征在对比文件中用于提供细长的照射区域以实现精确划线,但其形状属性与目标专利中定义的“椭圆形状”本质相同。
**技术特征B:** 所述椭圆形状的长轴与切割方向平行<br>《直接公开》**段落[0012]:** "レーザビームを、シートの表面上の露出領域内の罫書き線に沿って、L(LB)に本質的に平行な方向に移動させるステップ"<br>(中文翻译:使激光束沿片材表面暴露区域内划线线的、本质上平行于L(LB)的方向移动的步骤。)<br>**段落[0010]:** "罫書き線が、露出領域内にありかつL(LB)に本質的に平行である"<br>(中文翻译:划线线位于暴露区域内且本质上平行于L(LB)。)对比文件明确公开了椭圆射束的长轴方向(长度方向L(LB))与划线线(即切割方向)是平行关系,并且射束是沿着平行于长轴的方向移动进行切割。这与目标专利中“椭圆形状的长轴与切割方向平行”的技术方案完全相同,属于直接公开。
**技术特征C:** 其中,所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率<br>《未公开》**段落[0014]:** "アスペクト比は少なくとも30であり、特定の他の実施形態では少なくとも40、特定の他の実施形態では少なくとも50...最大で400"<br>(中文翻译:纵横比至少为30,其他特定实施方式中至少为40...最大为400。)<br>**段落[0060]:** 对比文件中的长轴长度L(LB)通常为60-300mm,宽度W(LB)为0.5-3mm,纵横比L/W通常大于30。对比文件明确教导椭圆射束的纵横比(长轴/短轴)至少为30,甚至可达400。而目标专利特征C限定的长轴对短轴比率为1:0.6至1:0.4(即长轴/短轴比率约1.67至2.5)。两者在数值范围上截然不同且无任何交集。对比文件所追求的是通过极大的纵横比实现超窄宽度的划线,与目标专利通过极小的纵横比(近乎圆形)来减少热损伤的技术构思完全相反。本领域技术人员无法从对比文件合理的得出特征C的比率范围。
**技术特征D:** 其中,所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度<br>《直接公开》**段落[0013]:** "ステップ(II−1)でのレーザビームの移動速度は、少なくとも300mm/秒である...少なくとも750mm/秒である。"<br>(中文翻译:步骤(II-1)中激光束的移动速度为至少300毫米/秒...至少750毫米/秒。)<br>**段落[0065]:** "罫書き速度が少なくとも300mm/秒...1000mm/秒、特定の実施形態では1200mm/秒の速さの罫書き速度が既に達成されている。"<br>(中文翻译:划线速度至少为300毫米/秒...已经实现了高达1000毫米/秒、特定实施方式中1200毫米/秒的划线速度。)对比文件直接明确公开了至少300毫米/秒、750毫米/秒以及1000毫米/秒等切割速度。这些具体数值均完全落入目标专利权利要求限定的“100毫米/秒至1,000毫米/秒”的数值区间内。本领域技术人员根据对比文件的明确记载,可以直接确定该技术特征。
**技术特征E:** 其中,所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量<br>《未公开》**全文未提及。** <br>对比文件主要是基于连续波(CW)CO2激光的热应力划线技术。段落[0073]提到的是使用“レーザパルス”(激光脉冲)来产生初始切口,但未公开主切割光束的脉冲能量,也未公开任何具体的能量数值(如mJ级别)。对比文件的技术方案侧重于通过连续激光加热和急冷产生的热应力来引导裂纹扩展,其核心参数是激光输出功率和功率密度,而非脉冲能量。目标专利涉及的偏光板激光切割中强调的“5mJ至7mJ的脉冲能量”这一特定技术手段,在对比文件中完全没有被提及或暗示。
**技术特征F:** 其中,所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜<br>《隐含公开》**段落[0069]:** "有機ポリマーシートおよびフィルム、金属シートおよびフィルム、異なる組成および/または性質を有する材料からなる複数のシートを含むラミネート材料など、他のシート材料の精密切断に、本発明のプロセスおよび装置を必要な変更を加えて適合させることができる。"<br>(中文翻译:通过必要的修改,可以将本发明的工艺和设备适配应用于其他片材的精密切削,例如有机聚合物片材和膜、金属片材和膜,以及包含由不同组成和/或性质的材料构成的多个片材的层压材料。)虽然对比文件主要针对无机玻璃,但其明确公开了其发明构思可以经过适应性改动应用于有机聚合物薄膜以及多层复合片材(层压材料)。偏光板正是典型的多层复合片材,而基于环烯烃的薄膜(COP)是本领域公知的具有特定光学功能的有机薄膜。结合本领域的普通技术知识,本领域技术人员有理由合理推断该对比文件的技术方案也能应用于切割包含COP薄膜的偏光板。依据宽松的隐含公开标准,认定隐含公开。
**技术特征G:** 所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向<br>《未公开》**全文未提及。** <br>对比文件所述的切割对象为无机玻璃,其不具有类似偏光片(PVA膜)的拉伸方向和各向异性特性,因此完全不存在关于相对于拉伸方向设定切割方向的技术教导或暗示。目标专利特征G是针对偏光板这一特定产品的拉伸取向属性进行的优化切割方向限定。对比文件的技术方案中,切割对象、技术问题和解决路径均不涉及此类方向性要求。本领域技术人员无法从纯各向同性玻璃的切割技术中推理出针对拉伸取向薄膜的特定切割方向。
**技术特征H:** 在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸<br>《未公开》**段落[0072](第IX节):** "罫書きエッジが...全体のうねりは、最大で50μm、特定の実施形態では最大で40μmである。"<br>(中文翻译:划线边缘的整体波度最大为50μm,特定实施方式中最大为40μm。)对比文件衡量切割质量的标准是玻璃边缘的“整体波度(うねり)”(即边缘线的直线度偏差,最大50μm),这与目标专利中限定的偏光板切割面上热影响区或变形区的“锥度(taper)”尺寸(80-120μm)是完全不同的物理概念和缺陷指标。对比文件没有公开也无法隐含公开该特定结构中特定缺陷的具体数值范围。
**技术特征I:** 其中,所述激光为CO2激光或UV激光<br>《直接公开》**段落[0011]:** "本発明の第1の態様によるプロセスの第1の実施形態において、ステップ(I)で提供されるレーザビームは、約10.6μmの波長で動作するCO 2レーザなどの、IRレーザビームである。"<br>(中文翻译:在本发明第一方面的第一实施方式中,步骤(I)提供的激光束是IR激光束,例如在大约10.6μm波长下工作的CO2激光器。)对比文件明确教导其主要使用的激光类型为CO2激光。由于目标专利的权利要求表述的是“CO2激光或UV激光”这一选择性的技术特征,只要对比文件公开了其中一种(即CO2激光),就构成了对该特征的直接公开。
**技术特征J:** 其中,所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长<br>《未公开》**全文未提及。** <br>对比文件全程仅讨论CO2红外激光(波长10.6μm),完全没有提及任何关于紫外激光(UV Laser)的内容及其波长参数。该特征涉及的具体激光种类(UV激光)及具体波长范围(300-400nm)完全属于对比文件未涉及的技术领域,没有直接或隐含公开。
**技术特征K:** 其中,所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长<br>《直接公开》**段落[0011]:** "約10.6μmの波長で動作するCO 2レーザ"<br>(中文翻译:在大约10.6μm波长下工作的CO2激光器。)对比文件明确记载CO2激光的波长为“约10.6μm”。该数值完全落入目标专利权利要求限定的“9.0微米至10.9微米”的范围内。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征L:** 其中,使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行<br>《直接公开》**段落[0073](第VI节):** "割れ目の形成の成功には、多くの実施形態において単一経路のレーザの露出で十分であるが、特定の実施形態では、より深い割れ目を得るため...複数経路のレーザの露出を同じ罫書き線に沿って実行することが望ましい。"<br>(中文翻译:在许多实施方式中,单一路径的激光暴露足以成功形成裂纹,但在特定实施方式中,为了获得更深的裂纹...优选地沿着同一条划线线执行多路径激光暴露。)对比文件明确记载了可以采用“单一路径”(单次切割)和“多路径”(多次切割)的激光暴露方式。这与目标专利限定的“单一切割系统或多重切割系统”在技术概念上完全一致,属于对该特征的直接公开。
**技术特征M:** 其中,所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度<br>《未公开》**全文未提及。** <br>对比文件虽然提及可适应于有机聚合物薄膜,但没有任何地方提及这类薄膜(更不用说具体环烯烃薄膜)的具体厚度范围。针对特定材料(环烯烃)的特定厚度范围(10-80μm)这一严格限定的技术特征,对比文件中没有任何直接或间接的教导。本领域技术人员无法从对比文件的技术内容中合理推断出这一具体数值。
**技术特征N:** 其中,所述偏光板具有50微米至250微米的厚度<br>《未公开》**全文未提及。** <br>对比文件主要处理的玻璃基板厚度为0.5mm至2mm(即500μm至2000μm)[见段落[0070]与[0071]],与偏光板的厚度范围完全不同。对比文件涉及的片材厚度(玻璃)远大于目标专利权利要求中的偏光板厚度(50-250μm),且技术背景和产品对象完全不同,不存在直接或隐含公开该特定厚度范围的可能性。

---

**公开代码汇总:**

《直接公开》特征代码:

<<<A>>> <<<B>>> <<<D>>> <<<I>>> <<<K>>> <<<L>>>

《隐含公开》特征代码:

<<<f>>>

Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE