对比文件名称：2001-01-01_TW417181B_发明专利_TW417181B 曝光裝置及方法
目标专利名称：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
模型名称：gpt-4-turbo / 本次调用的模型名称为 GPT-4 Turbo
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：1)在基板上形成第一光敏材料层 **[直接公开]** | “平板在其表面具有一光感材料層”（说明书第1页，第一段） | 对比文件明确公开了在基板（平板）上形成光敏材料层，且该层用作图案转移的感光层。目标专利的步骤1）同样是形成第一光敏材料层，且基板均泛指支撑体。因此，本领域技术人员可直接地、毫无疑义地确定该技术特征已被对比文件公开。 |
| **技术特征B**：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层 **[隐含公开]** | “光罩設有複數個平行的直線樣式”“樣式由光經過一設置在平板鄰近的光罩照射至平板上而轉換至平板上”（说明书第1页）以及“光罩與平板間維持一小間隙(0.05mm和0.5mm之間)”（第一实施例，第3段），但未明确接触；光罩通常为透明基材（如玻璃）制成。 | 对比文件公开了使用刻有线形图案的光罩（广义上可称为光掩模）通过曝光将图案转移到光敏层上，形成第一图案层。虽然对比文件保持微小间隙而非直接接触，但在本领域中接触与接近为常规选择，本领域技术人员可合理推断接触也是可能的实施方式。同时，光罩通常具有透明基板，因此“透明”性质可被推理得出。故该特征部分公开，依据极宽松的隐含公开标准，可认为是隐含公开。 |
| **技术特征C**：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层 **[直接公开]** | “在光感層上的直線樣式104被轉換後，平板101E被旋轉90度，其更形成另一光感層”（第二实施例，第34段） | 对比文件清楚公开了在已经形成第一图案层的光敏层基础上，再形成另一光感层，即第二光敏材料层。此与目标专利的步骤3）完全对应，因此直接公开。 |
| **技术特征D**：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层 **[隐含公开]** | “由曝光轉換一與第一直線樣式正交的第二直線樣式至第二光感層上”（第二实施例，第34段）以及之前关于光罩的同样描述。 | 对比文件明确进行了第二次曝光，采用正交的直线样式，从而形成交叉的网格图案。关于接触和透明性的推理同技术特征B。因此，本领域技术人员能从对比文件合理推断出该步骤的存在，属于隐含公开。 |
| **技术特征E**：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分 **[隐含公开]** | “利用想要材料由顯影、蝕刻或薄膜形成而形成一薄層”（第二实施例后，说明可包含蚀刻步骤） | 对比文件提到对形成图案的基板可进行蚀刻加工。虽然未明确蚀刻的对象就是基板本身，但本领域技术人员根据公知常识可以知道，显影后暴露的区域通常通过蚀刻去除，且基板本身或基板上的材料均可被蚀刻。结合对比文件整体方法，蚀刻步骤是工艺中常用环节，因此有可能从对比文件中推理得到该特征，故隐含公开。 |
| **技术特征F**：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模 **[未公开]** | 对比文件未提及母模概念，也未涉及去除光敏层后形成凸出网格图案的母模。对比文件最终产品是平板本身（如等离子显示器面板）。 | 目标专利的步骤6）核心是制造具有凸出网格图案的母模，而对比文件完全未涉及母模的制造，其工艺目的与目标专利不同。去除光敏层是常规操作，但制造母模的整体方案未被公开或暗示，因此未公开。 |
| **技术特征G**：7)在所述母模上形成透明树脂层 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开母模，亦未公开在母模上形成透明树脂层的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征H**：8)从所述母模上去除所述透明树脂层 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 同上，未公开。 |
| **技术特征I**：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤 **[未公开]** | 对比文件未提及基板上预先设有导电层，也未记载蚀刻导电层形成导电网格。 | 目标专利的该特征明确限定基板包含导电层，并蚀刻导电层形成导电网格。对比文件的基板是玻璃平板，未公开存在导电层，也未公开导电网格图案的制造。因此未公开。 |
| **技术特征J**：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开与导电网格相关的后续蚀刻步骤，因此未公开。 |
| **技术特征K**：去除所述导电网格图案 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开去除导电网格图案的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征L**：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层 **[隐含公开]** | “轉換光罩的直線樣式至平板上複數次” “在平行或不同於光罩的直線樣式的方向上轉換光罩的直線樣式至平板上複數次”（第二实施例后） | 对比文件虽未明确三次操作，但多次（复数次）曝光的概念已被给出，可能包括三次或更多。本领域技术人员根据“複數次”可合理推断可进行第三次形成光敏层并曝光，故该特征隐含公开。 |
| **技术特征M**：在所述基板上形成第三光敏材料图案层 **[隐含公开]** | 同上 | 基于同样的推理，第三次曝光必然形成第三图案层，故隐含公开。 |
| **技术特征N**：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案 **[未公开]** | 对比文件未给出透明光掩模的凹入网格及其线宽参数。 | 对比文件使用的光罩是传统的直线图案，未提及透明光掩模的凹入结构，且光罩图案的线宽通常远大于1μm，不是亚微米级。故未公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开凹入网格图案的深度参数，亦未公开凹入网格图案的概念，因此未公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开凹入网格图案的间距参数，未公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种 **[未公开]** | 对比文件未提及这些聚合物材料。 | 对比文件的光罩材质通常为玻璃，并未公开本特征限定的柔性高分子材料，故未公开。 |
| **技术特征R**：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开在光掩模上设置不透明图案层，也未公开光掩模具有凹入网格，故未公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开路由器图案，未公开。 |
| **技术特征T**：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开不透明图案层的材料，未公开。 |
| **技术特征U**：包括：中空圆柱形基板 **[未公开]** | 对比文件未公开中空圆柱形基板。 | 对比文件的曝光装置采用平板式结构，未涉及圆柱形卷对卷部件，故未公开。 |
| **技术特征V**：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开包覆层，也未公开该结构中的凹入网格参数，故未公开。 |
| **技术特征W**：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯 **[未公开]** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开该卷对卷装置构造，故未公开。 |
根据以上比对，对比文件直接公开了技术特征A和C；隐含公开了技术特征B、D、E、L、M。其他技术特征未被公开。
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