对比文件名称：2013-05-02_KR1020130044058A_发明公开_KR1020130044058A 나노 메쉬 투명 전극과 이의 제조방법, 나노 메쉬 투명 전극을 포함하는 터치 스크린 및 디스플레이 장치（纳米网状透明电极及其制造方法、包含该纳米网状透明电极的触摸屏和显示装置）
目标专利名称：透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：1)在基板上形成第一光敏材料层《直接公开》 | [0057]“在透明导电膜110上涂布光刻胶”；[0054]“在基板10上形成透明导电膜110”<br>（译文来自提供的中间文本） | 对比文件公开了在基板（或基板上形成的透明导电膜）上形成光刻胶（即光敏材料层）的步骤。该步骤与本特征直接对应，均涉及在基板上涂覆光敏材料以用于后续图案化。本领域技术人员可毫无疑义地确定对比文件公开了该技术特征。 |
| 技术特征I：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤《未公开》 | [0054]-[0056]“在基板10上形成透明导电膜110”；[0057]-[0059]形成光刻胶图案和金属膜；[0064]-[0067]通过裂纹和电镀形成金属网格，而非通过蚀刻导电层形成网格 | 对比文件虽公开了基板上设置有透明导电膜（导电层），但未公开特征I中的步骤5)内容。对比文件通过裂纹和电镀法在导电层上形成金属网格，未涉及以光刻胶图案为掩模蚀刻导电层来制造导电网格图案。因此，特征I未被公开。 |
| 技术特征J：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分《未公开》 | 对比文件未记载在步骤6之后蚀刻基板的步骤 | 对比文件的制造方法中无任何步骤涉及在形成导电网格图案后蚀刻基板（如石英等）。其在基板上的操作仅包括形成透明导电膜、光刻胶和金属网格，最终保留网格图案，不包含对基板本身的蚀刻。特征J未被公开。 |
| 技术特征L：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层《未公开》 | 对比文件仅涉及单层光刻胶图案，无第二或第三光敏材料层的形成 | 对比文件仅形成一次光刻胶图案（单层），未有步骤4)中两次交叉形成第一和第二光敏材料图案层的工艺，更不存在在此之后再次形成第三光敏材料层。特征L未被公开。 |
| 技术特征N：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案《未公开》 | 对比文件未公开任何透明光掩模产品，更无凹入网格图案及其线宽限定 | 对比文件涉及的是直接在基板上形成金属网格电极，不涉及制造具有凹入网格图案的透明光掩模。无任何关于透明光掩模结构或线宽的记载。特征N未被公开。 |
| 技术特征O：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下《未公开》 | 对比文件未提及凹入网格图案的深度 | 对比文件中金属网格是凸出于基板或导电层的，不存在凹入网格图案，也没有深度参数。特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下《未公开》 | 对比文件记载金属网格的线宽为0.1~10μm，但未涉及凹入网格图案及其间距 | 对比文件虽涉及网格间距（未明确数值），但所公开的是凸出的金属网格，非凹入网格图案；且网格间距参数与本特征不直接对应。特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种《未公开》 | 对比文件未提及上述任何聚合物材料 | 对比文件使用的材料包括透明导电膜（如ITO）和金属（Al、Mo、Cu）以及光刻胶，未涉及用于透明光掩模的聚合物材料。特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上《未公开》 | 对比文件未公开透明光掩模及其表面配置不透明图案层 | 对比文件没有透明光掩模结构，也无任何不透明图案层附着于掩模表面的描述。特征R未被公开。 |
| 技术特征S：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案《未公开》 | 对比文件未提及路由器图案 | 对比文件未涉及任何路由器图案的概念。特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料《未公开》 | 对比文件未公开不透明图案层 | 对比文件无此特征，无相关材料记载。特征T未被公开。 |
| 技术特征U：包括：中空圆柱形基板《未公开》 | 对比文件未涉及圆柱形基板结构 | 对比文件全部实施例在平板基板上实施，无中空圆柱形基板及其用于卷对卷工艺的描述。特征U未被公开。 |
| 技术特征B：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层《未公开》 | [0057]-[0058]“通过光刻工艺和显影工艺形成光刻胶图案”，但未指定掩模类型，更无“刻有线形图案的透明光掩模” | 对比文件使用常规光刻（可能使用标准铬掩模），未公开目标专利中利用具有线形图案的透明相位差掩模进行接触曝光的步骤。该步骤是目标专利的核心特征之一，对比文件未公开。特征B未被公开。 |
| 技术特征K：去除所述导电网格图案《未公开》 | 对比文件最终保留导电网格图案，无去除步骤 | 对比文件在形成金属网格后即作为最终电极产品，不涉及去除导电网格图案。仅在中间步骤去除光刻胶和金属膜，但网格图案本身保留。特征K未被公开。 |
| 技术特征M：在所述基板上形成第三光敏材料图案层《未公开》 | 同特征L，对比文件无第三光敏材料层 | 对比文件仅形成单层光刻胶图案，无多次形成光敏材料图案层的工艺。特征M未被公开。 |
| 技术特征V：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案《未公开》 | 对比文件未公开包覆层或圆柱形外周的凹入网格图案 | 对比文件无任何关于圆柱形基体外周包覆层及其图案的记载。特征V未被公开。 |
| 技术特征C：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层《未公开》 | 对比文件仅形成一次光刻胶层，无第二光敏材料层 | 对比文件在形成第一光刻胶图案后，在其上沉积金属膜，而非形成第二光敏材料层。特征C未被公开。 |
| 技术特征W：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯《未公开》 | 对比文件未涉及圆柱形基板或内部紫外灯 | 对比文件使用曝光光源，但无圆柱形基板内设紫外灯的结构。特征W未被公开。 |
| 技术特征D：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层《未公开》 | 对比文件无第二次接触曝光步骤，更无交叉图案形成 | 对比文件未采用两次线形图案交叉的工艺，其通过裂纹自然形成网格，无需交叉曝光。特征D未被公开。 |
| 技术特征E：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分《未公开》 | 对比文件无基于第一、第二光敏材料图案层蚀刻基板的步骤 | 对比文件通过裂纹法形成金属网格，未蚀刻基板；仅在第二实施例中蚀刻透明导电膜，但非基板本身。特征E未被公开。 |
| 技术特征F：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模《未公开》 | 对比文件无母模制造概念 | 对比文件直接形成电极，不去除光刻胶以制造母模；其去除光刻胶是为了露出最终网格，而非制造模具。特征F未被公开。 |
| 技术特征G：7)在所述母模上形成透明树脂层《未公开》 | 对比文件未涉及母模和透明树脂层 | 对比文件无母模，也无在模具上形成透明树脂层的步骤。特征G未被公开。 |
| 技术特征H：8)从所述母模上去除所述透明树脂层《未公开》 | 对比文件未涉及透明树脂层去除步骤 | 对比文件无此步骤。特征H未被公开。 |
### 公开性代码总结
根据上述分析，仅技术特征A被对比文件直接公开，其他技术特征均未被直接公开或隐含公开。因此，在回答结尾插入对应的大写代码。
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