对比文件名称：**US20100156840A1 TOUCH SCREEN SENSOR HAVING VARYING SHEET RESISTANCE**
目标专利名称：**CN106462087B 透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法**
本次调用的模型名称：**大语言模型**
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：1)在基板上形成第一光敏材料层。 **《隐含公开》** | [0076] “根据本发明的导体图案可以通过任何适当的图案化方法产生，例如包括光刻与蚀刻或光刻与镀覆的方法。” | 对比文件提及光刻方法，光刻方法必然包括在基板上涂覆光敏材料（光刻胶）的步骤，因此本领域技术人员可以合理推断出该步骤。但对比文件无明确记载，故隐含公开。 |
| 技术特征B：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层。 **《隐含公开》** | [0076] 同A；[0110] 描述了PDMS印章具有凸起线形图案，但该印章用于微接触印刷而非作为光掩模。 | 对比文件公开了光刻方法，光刻中通常使用透明掩模（如铬掩模）与光刻胶接触曝光，且掩模上可刻有线形图案。尽管对比文件未明确描述该具体步骤，但本领域技术人员可联想到采用透明掩模接触曝光形成图案层，故隐含公开。 |
| 技术特征C：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层。 | 无相关公开内容 | 对比文件没有公开在已形成第一光敏材料图案层的基板上再涂覆第二光敏材料层的步骤。所有实施例仅涉及单层图案化（单次涂胶或单次印刷），未教导两层工艺，因此未公开。 |
| 技术特征D：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层。 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开第二次曝光以及使第一、第二图案交叉叠合的步骤。对比文件的导电网格图案虽为交叉结构，但通过单次图案化直接形成，而非两次线形图案正交叠合获得，因此未公开。 |
| 技术特征E：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分。 | 无相关公开内容 | 对比文件公开了蚀刻步骤（如蚀刻金属层），但蚀刻掩模为单层印刷墨层或单层光刻胶，并非基于第一和第二光敏材料图案层。该特征明确要求两层光敏材料作为掩模，对比文件未公开，因此未公开。 |
| 技术特征F：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模。 | [0110] 提及硅晶圆母模通过标准光刻技术图案化，未具体说明去除光敏材料层的步骤。 | 对比文件公开了母模（硅晶圆）的制造，但未涉及通过去除第一和第二光敏材料图案层的特定方式，其常用工艺为单层光刻胶。因此未公开。 |
| 技术特征G：7)在所述母模上形成透明树脂层。 **《直接公开》** | [0110] “第一聚二甲基硅氧烷(PDMS)印章...在10cm直径的硅晶圆（母模）上模制...在硅晶圆上于65°C固化PDMS 2小时。” | 对比文件明确公开了在母模（硅晶圆）上形成透明树脂层（PDMS）的步骤（浇铸、固化），因此直接公开。 |
| 技术特征H：8)从所述母模上去除所述透明树脂层。 **《直接公开》** | [0110] “此后，将PDMS从晶圆上剥离以得到第一印章。” | 对比文件明确公开了从母模上剥离（去除）透明树脂层的步骤，因此直接公开。 |
| 技术特征I：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。 | [0048] 公开基板可为玻璃或聚合物（如PET）；[0074] 公开金属导电层；实施例中在基板上形成银膜并通过蚀刻形成导电网格。 | 对比文件公开了基板具有导电层并蚀刻该层形成网格，但蚀刻掩模并非第一、第二光敏材料图案层。特征I明确限定未形成第一、第二光敏材料图案层的部分，对比文件未满足，因此未公开。 |
| 技术特征J：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分。 | 无相关公开内容 | 对比文件未在形成导电网格后蚀刻基板，因此未公开。 |
| 技术特征K：去除所述导电网格图案。 | 无相关公开内容 | 对比文件保留导电网格图案作为最终传感器元件，未将其去除，因此未公开。 |
| 技术特征L：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层。 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开形成第三光敏材料层的步骤，因此未公开。 |
| 技术特征M：在所述基板上形成第三光敏材料图案层。 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开形成第三光敏材料图案层，因此未公开。 |
| 技术特征N：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。 | [0067] 公开导电微图案的线宽应≤约50微米，优选0.5-5微米（即500nm-5μm）。 | 对比文件未公开透明光掩模的凹入网格线宽。虽公开了导电图案线宽0.5-5μm，但目标专利的凹入网格线宽为100-900nm，其中100-500nm部分未涵盖；且对比文件未揭示透明光掩模产品本身，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下。 | 无明确记载；[0111] 提及PDMS印章的凸起高度为2μm。 | 对比文件未公开凹入网格图案的深度范围；印章凸起高度并非凹入深度，且未涉及透明光掩模的深度，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下。 **《隐含公开》** | [0098] “方形网格的迹线间距为500微米”；其他实施例中也出现不同间距（如200μm等），均在2-500μm内。 | 对比文件公开了导电网格的间距（如500μm）。透明光掩模的凹入网格图案通常复制自导电网格图案，其间距与导电网格一致。本领域技术人员可合理推断透明光掩模的凹入网格间距与导电网格间距相同，且落入2-500μm范围，故隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。 **《直接公开》** | [0110] 明确使用了PDMS；[0048] 使用PET作为透明基板材料。 | 对比文件直接公开了PDMS和PET，两者均在特征Q列举的材料列表中。尽管对比文件中的PDMS用于制造印章而非直接称为透明光掩模，但其材料相同，可以用于透明光掩模。因此直接公开。 |
| 技术特征R：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上。 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开在透明光掩模表面设置不透明图案层，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案。 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开路由器图案配置在透明光掩模上，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料。 | [0074] 公开金属（金、银、铝等）可用于导电图案。 | 对比文件虽然公开了金属材料，但未公开该材料用于透明光掩模上的不透明图案层。该特征以存在不透明图案层为前提，而该前提未公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征U：包括：中空圆柱形基板 | 无相关公开内容 | 对比文件未涉及卷对卷工艺或中空圆柱形基板，因此未公开。 |
| 技术特征V：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开包覆层结构及凹入网格线宽的具体数值，因此未公开。 |
| 技术特征W：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯。 | 无相关公开内容 | 对比文件未公开紫外灯在圆柱形基板内的配置，因此未公开。 |
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