对比文件的名称：2012-04-19_JP2012079435A_发明专利_JP2012079435A Formation method of film pattern and manufacturing method of light-emitting device
目标专利的名称：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
本次调用的模型名称：gpt-4o
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：1)在基板上形成第一光敏材料层《直接公开》 | 对比文件[0043]：“在基材600的表面形成感光层601”。 | 对比文件明确公开了在基材上形成感光层（第一光敏材料层），该步骤是后续图案化的基础，与目标专利步骤1)作用相同，都是为后续光刻图案做准备。因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征I：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤《未公开》 | 对比文件第三实施方式中基板10上存在导电层（电极、配线），但格子状バンク13形成于导电层之上，并非通过蚀刻导电层形成，且无对应步骤5的蚀刻。 | 对比文件未公开基板设有导电层且通过蚀刻导电层形成导电网格图案的技术方案。其图案（バンク）是绝缘结构，不是导电网格，步骤5的蚀刻特征未出现。因此未公开。 |
| 技术特征J：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分《未公开》 | 对比文件无任何与步骤6之后蚀刻基板相关的内容。 | 对比文件中不存在步骤6（去除图案层制造母模）的对应步骤，更不存在后续蚀刻基板。因此未公开。 |
| 技术特征L：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层《未公开》 | 对比文件第二实施方式仅涉及两层感光层（601和603），未提及第三光敏材料层。 | 对比文件无形成第三光敏材料层的教导或暗示。因此未公开。 |
| 技术特征N：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案《未公开》 | 对比文件未描述透明光掩模产品，也未提及凹入网格图案及其线宽范围。 | 对比文件涉及的是用于OLED的バンク结构，不涉及透明光掩模的制造，更无线宽100nm～900nm的凹入网格图案。因此未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下《未公开》 | 对比文件无网格图案深度参数。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下《未公开》 | 对比文件无网格图案间距参数。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种《未公开》 | 对比文件所用光掩模为通常的铬掩模或类似硬质掩模，未提及PDMS等柔性透明材料。 | 对比文件不涉及此类材料的光掩模。未公开。 |
| 技术特征R：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上《未公开》 | 对比文件无透明光掩模，无不透明图案层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案《未公开》 | 对比文件无路由器图案相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 未公开。 |
| 技术特征U：包括：中空圆柱形基板《未公开》 | 对比文件未涉及卷对卷工艺或圆柱形基板。 | 未公开。 |
| 技术特征B：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层《未公开》 | 对比文件[0043]：“使用方形格子状的光掩模对感光层601进行曝光、显影，形成方形格子状图案膜602”。 | 对比文件中形成第一光敏材料图案层使用的是方形格子状掩模，而非线形图案的透明光掩模；且掩模未明确为透明柔性材料。因此未直接公开。本领域技术人员不能从对比文件合理推断出使用线形图案掩模。故未隐含公开。 |
| 技术特征K：去除所述导电网格图案《未公开》 | 对比文件无导电网格图案，亦无去除步骤。 | 未公开。 |
| 技术特征M：在所述基板上形成第三光敏材料图案层《未公开》 | 对比文件无第三光敏材料层或第三图案层。 | 未公开。 |
| 技术特征V：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案《未公开》 | 对比文件未描述包覆层结构。 | 未公开。 |
| 技术特征C：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层《直接公开》 | 对比文件[0044]：“在方形格子状图案膜602上从基材600的表面形成感光层603”。 | 对比文件明确公开了在第一光敏材料图案层（方形格子状图案膜602）上形成第二光敏材料层（感光层603）。该步骤与目标专利步骤3)完全一致，作用都是为形成第二图案做准备。因此直接公开。 |
| 技术特征W：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯《未公开》 | 对比文件无圆柱形基板及内部紫外灯的内容。 | 未公开。 |
| 技术特征D：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层《未公开》 | 对比文件[0044]-[0045]：“使用相同的方形格子状光掩模对感光层603进行第一次曝光，然后沿列方向移位掩模进行第二次曝光，显影形成条纹状图案膜604”。 | 对比文件中使用的是方形格子状掩模，不是线形图案掩模；形成的条纹状图案膜604是通过移位格子掩模得到，并非线形图案交叉；第一图案层为格子状，第二图案为条纹，二者未构成线形交叉。因此未公开。 |
| 技术特征E：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分《未公开》 | 对比文件全文无蚀刻步骤；第三实施方式中格子状バンク13和縞状バンク14作为永久结构保留。 | 对比文件中的图案直接作为功能结构（银行），不涉及蚀刻基板或导电层。因此未公开。 |
| 技术特征F：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模《未公开》 | 对比文件无去除图案层制造母模的公开。 | 对比文件中的图案层被保留，不去除，也不制造母模。因此未公开。 |
| 技术特征G：7)在所述母模上形成透明树脂层《未公开》 | 对比文件无母模相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征H：8)从所述母模上去除所述透明树脂层《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 未公开。 |
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