**对比文件名称**：2013-12-16_TW201351062A_发明专利_TW201351062A 透過捲到捲光刻法製造用於透明電極與偏光片之微米級與納米級導體柵之方法
**目标专利名称**：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
**模型名称**：未指定
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### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：1)在基板上形成第一光敏材料层 **《直接公开》** | 第[第1a图]及说明：“基板310具有主表面，主表面上放置有導電材料層312。導電材料層312上方放置光阻材料314。” | 对比文件明确公开了在基板上形成光敏材料层（光阻），该光阻即为目标专利中的第一光敏材料层，作用相同，均为后续光刻提供感光层。 |
| **技术特征I**：其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。 **《直接公开》** | 第[第1a图]及说明：“基板310具有主表面，主表面上放置有導電材料層312”；第[第1c图]及说明：“移除包含已硬化光阻材料314之區域以外區域中基板310表面上的導電材料312”。 | 对比文件公开了基板具有导电层，并通过对未硬化光阻区域外的导电层进行蚀刻以形成导电线栅图案。该步骤与目标专利中通过蚀刻导电层制造导电网格图案的工艺实质相同，作用均为形成导电图样。 |
| **技术特征J**：还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分 **（未公开）** | 无 | 对比文件未记载在去除光阻图案层后进一步蚀刻基板以形成凸出图案的步骤，仅涉及直接形成导电网格，未公开该附加的基板蚀刻步骤。 |
| **技术特征L**：还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层 **（未公开）** | 无 | 对比文件仅采用一次或两次光阻层（单次曝光的网格设计），未公开在两次图案化后再涂布第三光敏材料层的工艺，也无相关暗示。 |
| **技术特征N**：所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。 **《隐含公开》** | 第[第10f图][第10g图]及说明：“PUA相位遮罩，具有网格图案”，“單線寬度約170奈米”“連接部寬度約360奈米”；第[第3b图]光阻线宽250nm（底部）等。 | 对比文件公开的凹入网格图案（PUA相位掩模）线宽在170nm-360nm之间，落入100nm-900nm范围。虽未明确记叙该数值范围，但本领域技术人员可由其具体实例合理推导出该特征，且该尺寸范围是实现亚微米网格的常见选择。 |
| **技术特征O**：其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下。 **《隐含公开》** | 第[第3a图]及说明：“相位遮罩的高度係透過圖案化材料的折射率與使用的紫外線的波長被判定。表示為h=λ/(2△n)”，具体例“PUA相位遮罩為375奈米”。 | 对比文件公开的图案深度为375nm，在50nm-10μm范围内。虽然未明确该范围，但基于其公开的深度计算方法和具体数值，本领域技术人员能直接获知该特征属于常规尺寸。 |
| **技术特征P**：其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下。 **《隐含公开》** | 第[第11a图][第11b图]及说明：“10微米週期與30微米週期的鋁網格圖案”；第[第4a-4d图]也示出10-70μm周期。 | 对比文件公开了10μm和30μm的网格间距，均在2-500μm范围内。虽然未明确记载该范围，但其提供的具体周期值落在此区间，使本领域技术人员能直接推断该特征的可用性。 |
| **技术特征Q**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。 **《直接公开》** | 第[第3a图]及说明：“彈性材料如聚二甲基矽氧烷(PDMS)的低彈性係數層可纏繞為緩衝層”，“更堅硬的層，例如包含聚氨酯丙烯酸酯(PUA)的聚合模具層”。 | 对比文件明确公开了透明光掩模（相位掩模）的材料包括PDMS和PUA，两者均属于特征Q列举的材料范围，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征R**：还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上。 **《隐含公开》** | 第[第14a图]及说明：“滾筒光遮罩320...包含圖案化表面322。圖案化表面322包含複數個區域，這些區域包含類似鉻的材料，對於一定波長的輻射的傳輸不透明。” | 对比文件公开了在光掩模（滚筒光掩模）上配置不透明铬图案层，该掩模本身为透明掩模。虽然未直接描述在凹入网格掩模上配置，但本领域技术人员可以合理联想到将不透明图案层施加到具有凹入网格的透明掩模表面以实现选择性图案化。 |
| **技术特征S**：其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案。 **（未公开）** | 无 | 对比文件未提及路由器图案（用于触控面板连接），未公开该特定图案形式。 |
| **技术特征T**：其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料。 **《直接公开》** | 第[第14a图]及说明：“包含類似鉻的材料”。 | 铬属于金属，因此对比文件公开了不透明图案层采用金属材料，与特征T中的金属对应。 |
| **技术特征U**：包括：中空圆柱形基板。 **《直接公开》** | 第[第3a图]及说明：“90奈米直徑的中空石英圓柱體512用作滾筒裝置的核心”。 | 对比文件直接公开了作为滚筒核心的中空圆柱形基板（石英圆柱体），结构相同。 |
| **技术特征B**：2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层。 **《直接公开》** | 第[第1a图]及说明：“滾筒光遮罩320...包含圖案化表面322...建立光遮罩圖案化表面322與基板310之輕微接觸，同時紫外線輻射被發射通過光遮罩320的傳輸部以硬化光阻材料314。” | 对比文件公开了通过具有线形图案的透明光掩模（滚筒光掩模）与光敏材料层接触曝光，硬化光阻形成图案层，该步骤与目标专利的步骤2实质相同。 |
| **技术特征K**：去除所述导电网格图案。 **（未公开）** | 无 | 对比文件未公开在制造母模的方法中去除导电网格的步骤，其直接保留导电网格作为最终结构。 |
| **技术特征M**：在所述基板上形成第三光敏材料图案层。 **（未公开）** | 无 | 对比文件仅涉及两次图案化（或单次网格图案化），未公开形成第三光敏材料图案层。 |
| **技术特征V**：配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。 **《直接公开》** | 第[第3a图]及说明：“更堅硬的層，例如包含聚氨酯丙烯酸酯(PUA)的聚合模具層用於在滾筒裝置500的外周表面上制定相位遮罩圖案化表面524”；线宽实例约170nm、300nm等。 | 对比文件公开了在滚筒外周面配置PUA包覆层，该包覆层具有凹入网格图案（由硅主体复制而来），且线宽落入100-900nm范围，特征直接对应。 |
| **技术特征C**：3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层。 **（未公开）** | 无 | 对比文件未公开在已有图案层上再涂布第二光敏材料层的工艺，其通常为一次涂布一次曝光（或通过掩模设计一次形成网格），因此未公开该步骤。 |
| **技术特征W**：配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯。 **《直接公开》** | 第[第1a图]及说明：“紫外線輻射燈324”位于滚筒内部；第[第2a图]“紫外線輻射燈424”。 | 对比文件明确公开了将紫外灯配置在中空圆柱形基板内部，与特征W一致。 |
| **技术特征D**：4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层。 **（未公开）** | 无 | 对比文件的方法是通过一次曝光形成网格图案（如棋盘格掩模），或者通过线形掩模形成单一线栅，未采用两次正交线形曝光交叉形成第二图案层，且未在第二光敏材料层上重叠曝光，故未公开此特征。 |
| **技术特征E**：5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分。 **《直接公开》** | 第[第1c图]及说明：“移除包含已硬化光阻材料314之區域以外區域中基板310表面上的導電材料312”。 | 对比文件公开了蚀刻未硬化光阻区域外的导电材料（即未形成图案层的区域），该步骤与特征E的蚀刻操作一致。 |
| **技术特征F**：6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模。 **（未公开）** | 无 | 对比文件去除光阻后得到的是导电网格图案（或光栅），并非用作后续复制透明掩模的凸出网格母模。其制造相位掩模所用的硅主体并非通过本步骤关系制造，因此未公开该特征。 |
| **技术特征G**：7)在所述母模上形成透明树脂层。 **《直接公开》** | 第[第3a图]及说明：“少量(大約0.1到大約0.5毫升)的紫外線可硬化聚氨酯丙烯酸酯預聚物被滴散於矽主體(silicon master)上，支撐的聚對酞酸乙二酯(PET)膜被仔細地放置於表面頂部以形成保角接觸。為了硬化...從主體上剝離聚氨酯丙烯酸酯模具。” | 对比文件公开了在凸出图案的硅主体（相当于母模）上形成透明树脂层（PUA），固化后剥离得到透明掩模。该步骤与特征G的工艺和作用相同。 |
| **技术特征H**：8)从所述母模上去除所述透明树脂层。 **《直接公开》** | 同上：“從主體上剝離聚氨酯丙烯酸酯模具”。 | 对比文件公开了从母模（硅主体）上剥离透明树脂层（PUA模具）的操作，与特征H完全一致。 |
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