对比文件的名称：2010-03-25_JP2010066492A_发明专利_JP2010066492A Positive radiation-sensitive resin composition and resist pattern forming method using the same
目标专利的名称：1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法CN106462087B
本次调用的模型名称：大型语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 在基板上形成第一光敏材料层（包括：1)在基板上形成第一光敏材料层） – **直接公开** | 对比文件“（（１）工程）”记载：“在硅片或SiN或有机防反射膜等覆盖的晶片等基板上，通过旋转涂布、流延涂布、辊涂等适当的涂布手段涂布第一抗蚀剂。由此，可以形成由第一抗蚀剂构成的第一抗蚀层。” | 对比文件明确公开了在基板上涂布第一抗蚀剂（即第一光敏材料）形成第一抗蚀层的步骤，其作用与目标专利步骤1)完全相同，均用于后续光刻图案化。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征已被公开。 |
| **技术特征B：** 2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层 – **未公开** | 对比文件“（（１）工程）”记载：“形成的第一抗蚀层的所需区域，通过经由规定图案的掩模照射放射线等进行曝光，形成图案潜影部。” | 对比文件公开了使用掩模进行曝光，但掩模是常规的不透明掩模（如铬掩模），并非“刻有线形图案的透明光掩模”；曝光方式为投影或接近式，而非“接触”式。对比文件未公开线形图案透明光掩模及其与光敏材料层接触的方案，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| **技术特征C：** 3)在具有第一光敏材料图案层的基板上形成第二光敏材料层 – **未公开** | 对比文件“（（３）工程）”记载：“在基板上形成的不溶化抗蚀图案上，通过旋转涂布、流延涂布、辊涂等适当的涂布手段涂布第二抗蚀剂，形成由第二抗蚀剂构成的第二抗蚀层。” | 对比文件公开了在第一抗蚀图案（经不溶化处理）上形成第二抗蚀层。但目标专利步骤3)是在第一光敏材料图案层上直接形成第二光敏材料层，未经过不溶化处理。对比文件强调不溶化处理的必要性（否则第一图案会被第二抗蚀剂溶解），因此不能合理推断出省略不溶化步骤的该特征。 |
| **技术特征D：** 4)使刻有线形图案的透明光掩模与第二光敏材料层的上表面接触，使得第一光敏材料图案层的线形图案与透明光掩模的线形图案交叉而在基板上形成第二光敏材料图案层 – **未公开** | 对比文件“（（３）工程”及图7记载：“第二抗蚀层及根据需要第一抗蚀图案的间隙部经由掩模选择性曝光。”“第二线状部与第一线状部交叉形成。”（参见图7描述） | 对比文件公开了第二图案与第一图案交叉，但所用的掩模是常规掩模，并非“刻有线形图案的透明光掩模”；曝光方式非接触式。对比文件未公开线形图案透明光掩模及其接触曝光实现交叉的特定手段，该特征与目标专利的核心区别在于掩模类型和曝光方式，故未公开。 |
| **技术特征E：** 5)蚀刻基板上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分 – **未公开** | 对比文件无相关内容。对比文件方法仅进行曝光、显影形成抗蚀图案，不包含蚀刻基板的步骤。 | 对比文件只公开了抗蚀图案的形成，没有蚀刻基板以转移图案的步骤。目标专利的蚀刻步骤用于将图案转移到基板或导电层，对比文件未提及，本领域技术人员无法从对比文件推知此特征。 |
| **技术特征F：** 6)通过去除第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模 – **未公开** | 对比文件无相关内容。对比文件保留抗蚀图案用于后续工艺，未涉及去除两层抗蚀剂后形成凸出网格图案的母模。 | 对比文件没有公开去除两层抗蚀剂以获得凸出网格图案母模的步骤。目标专利的母模用于后续转印透明光掩模，对比文件未涉及母模概念。 |
| **技术特征G：** 7)在母模上形成透明树脂层 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件不涉及母模及透明树脂层的形成步骤。 |
| **技术特征H：** 8)从母模上去除透明树脂层 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件不涉及从母模剥离透明树脂层的步骤。 |
| **技术特征I：** 其中，步骤1)中的基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻导电层上未形成第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案 – **未公开** | 对比文件基板为“硅片或SiN或有机防反射膜等覆盖的晶片”，未特别说明含有导电层；对比文件也没有蚀刻导电层形成导电网格的步骤。 | 对比文件未涉及导电层或导电网格图案的制造。基板类型中未明确包含导电层，且步骤5)蚀刻对象是基板或导电层均未体现。 |
| **技术特征J：** 还包括：在步骤6)之后，蚀刻基板上未形成导电网格图案的部分 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件无导电网格图案步骤，故无后续蚀刻。 |
| **技术特征K：** 去除导电网格图案 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件无导电网格图案去除步骤。 |
| **技术特征L：** 还包括：在步骤4)之后，在具有第一光敏材料图案层和第二光敏材料图案层的基板上形成第三光敏材料层 – **未公开** | 对比文件只进行两次抗蚀剂涂布（第一、第二），无第三次涂布。 | 对比文件仅涉及两层抗蚀剂，没有第三光敏材料层的形成。 |
| **技术特征M：** 在基板上形成第三光敏材料图案层 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件没有第三次图案化步骤。 |
| **技术特征N：** 透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案 – **未公开** | 对比文件不涉及透明光掩模，更无凹入网格图案及其线宽参数。 | 对比文件仅涉及抗蚀剂组合物和抗蚀图案，未公开任何透明光掩模结构。 |
| **技术特征O：** 其中，凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征P：** 其中，凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征Q：** 其中，透明光掩模包括PDMS、PMMA、PUA、PS、PC、PVA、COP、PET、PVB或它们的共聚物中的至少一种 – **未公开** | 对比文件抗蚀剂组合物涉及树脂成分，但不涉及掩模材料。 | 对比文件未公开透明光掩模的具体柔性材料。 |
| **技术特征R：** 还包括：不透明图案层，配置在刻有凹入网格图案的透明光掩模的表面上 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开不透明图案层及其配置。 |
| **技术特征S：** 其中，不透明图案层的图案是路由器图案 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征T：** 其中，不透明图案层包括金属或碳类材料 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| **技术特征U：** 包括：中空圆柱形基板 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开任何圆柱形基板结构。 |
| **技术特征V：** 配置在基板的外周面上的包覆层，包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开包覆层及其凹入网格图案。 |
| **技术特征W：** 配置在圆柱形基板内部的紫外灯 – **未公开** | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开紫外灯配置。 |
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