好的，作为一名资深专利代理师，我将基于目标专利说明书和权利要求，对对比文件进行深度分析和特征比对。
**对比文件名称**：2011-03-03_None_发明专利_JPWO2009054203A1 積層型電子部品及びその製造方法
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用模型名称**：DeepSeek
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译为中文) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：<br>**基板**<br>《直接公开》 | 说明书第[0017]段：“積層体１２は、複数の絶縁体層が積層されて形成されており、直方体状を有する。” (积层体12由多个绝缘体层堆叠形成，呈长方体状。)<br>说明书第[0040]段描述了绝缘体层（例如陶瓷生片）的制备。 | 对比文件中的“积层体”由多个绝缘体层堆叠而成，这些绝缘体层共同构成了器件的结构主体，其作用是为内部电路（如电容器、电感器）提供支撑和绝缘。这与目标专利中“基板”的作用（支撑器件结构，通孔和电容器形成于其上或其中）相同。因此，对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，<br>《直接公开》 | 说明书第[0025]段：“ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇは、絶縁体層２８，３０ａ〜３０ｇが積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第１の層間接続導体として形成され、…インダクタＬ１Ａとして機能する。”<br>说明书第[0041]段：“セラミックグリーンシートにレーザビームなどを用いて貫通孔を形成し、この貫通孔に…導電ペーストを…充填することによって、ビアホール導体…を形成する。” | 对比文件中的“ビアホール導体”（层间连接导体/通孔导体）是通过在绝缘体层（即基板材料）上形成贯通孔并填充导电材料而形成的，其在积层方向（即穿过绝缘体层的方向）延伸。这些通孔导体（如51, 54a-54g）串联连接后共同构成了电感器（如L1A）的一部分。这与目标专利中“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”的技术方案完全相同。 |
| **技术特征C**：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构<br>《直接公开》 | 说明书第[0027]段：“絶縁体層３２の主面上には、内部電極５８，６０が形成されている。内部電極５８は、…ビアホール導体５４が接続されている。内部電極６０は、…ビアホール導体５６が接続されている。”<br>说明书第[0028]段：“更に、絶縁体層３２には、ビアホール導体５９，６１が形成されている。ビアホール導体５９，６１はそれぞれ、内部電極５８，６０に接続されている。”<br>图2、图4清楚显示了该结构。 | 对比文件中，内部电极58连接了通孔导体54和通孔导体59，内部电极60连接了通孔导体56和通孔导体61。这些内部电极（58, 60）形成于绝缘体层32的表面上，位于上下两组通孔导体之间，其作用是将不同层的通孔导体电连接起来以形成更长的电感路径。这完全公开了“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”这一特征。 |
| **技术特征D**：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，<br>《隐含公开》 | 说明书第[0018]-[0024]段、[0035]段描述了电容器C1, C2, C3的结构。例如，电容器C1由绝缘体层22上的电极42a和绝缘体层24上的电极44a相对构成，它们之间的绝缘体层22/24间的材料即为电介质。<br>说明书第[0025]段指出：“ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇは…インダクタＬ１Ａとして機能する。” 并且图4显示电感L1A（由通孔导体构成）与电容器C1连接。 | 对比文件明确公开了包含电容器（如C1）和由通孔导体构成的电感器（如L1A）的谐振电路，且电容器与电感器（通孔）电连接。虽然对比文件没有像目标专利那样明确、重点描述“电容器的电介质位于通孔与电容器极板之间”这种特定的叠层空间关系，但本领域技术人员知晓，在多层器件中，任何两个导电层之间只要存在电位差且被绝缘材料隔开，就形成电容，该绝缘材料即为电介质。当通孔导体作为电感的一部分与电容器的某个电极连接时，该连接点处的通孔导体末端与电容器的另一个电极之间必然隔着绝缘材料（电介质）。因此，结合对比文件公开的电容器结构（两个电极层夹着绝缘层）以及通孔与其中一个电极的连接关系，可以合理推断出“电容器的电介质位于通孔与电容器的（另一个）极板之间”这一结构关系。这是一种隐含公开。 |
| **技术特征E**：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。<br>《直接公开》 | 说明书第[0018]段：“絶縁体層２２の主面上には、内部電極４２が形成されている。内部電極４２は、コンデンサ電極４２ａ…を含む。”<br>说明书第[0019]段：“絶縁体層２４の主面上には、内部電極４４，４６が形成されている。内部電極４４は、コンデンサ電極４４ａ…” | 对比文件中的电容器电极（如42a, 44a）是形成在绝缘体层（即基板材料层）的“主面上”的导电膜，它们并不是嵌入在绝缘体材料的内部，而是位于绝缘体层的表面。这完全符合目标专利中“极板在基板以外”的含义，即极板不埋入基板内部，而是在基板的外部表面（上方）。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。<br>《直接公开》 | 说明书第[0025]段：“ビアホール導体５１，５４ａ〜５４ｇは…インダクタＬ１Ａとして機能する。”<br>说明书第[0024]段：“更に、絶縁体層２８には、ビアホール導体５１，５３が形成されている。ビアホール導体５１，５３はそれぞれ、コンデンサ電極５０ａ，５２ａに対して直接に接続されている。”<br>结合图2、图4，通孔导体51连接至电容器电极50a，而通孔导体51是电感L1A的一部分。 | 对比文件明确公开了“第一导电结构”即内部电极58（参见特征C），以及通孔导体（如51，属于电感L1A）直接连接到电容器的电极（如50a）。因此，电容器通过该通孔导体耦合至了由该通孔导体和内部电极58等共同构成的多通孔电感器结构。这直接公开了该特征。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分<br>《直接公开》 | 说明书第[0029]段：“ビアホール導体５９，６２ａ〜６２ｆは、絶縁体層３２，３４ａ〜３４ｆが積層されることにより、積層体１２内において積層方向に延びる第２の層間接続導体として形成され、インダクタＬ１Ｃとして機能する。”<br>图4清晰显示了通孔导体59, 62a-62f构成电感器L1C，并与L1A串联。 | 对比文件中的“第二通孔”（即通孔导体59, 62a-62f）同样是在绝缘体层（基板）中形成的垂直导体，它们串联后构成了多通孔电感器的第二部分（如L1C），并与第一部分（L1A）通过内部电极58连接。这直接公开了该特征。 |
| **技术特征H**：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。<br>《直接公开》 | 说明书第[0027]-[0029]段：内部电极58（第一导电结构）连接通孔54（通孔）和通孔59（第二通孔）。内部电极66（第二导电结构，共通电极）连接通孔62和64。<br>说明书第[0031]段：“インダクタＬ１ＣとインダクタＬ２Ｃとは、内部電極６６を介して電気的に接続されている。”<br>图3、图4显示多通孔电感器由通孔54、59、62，内部电极58、66等构成。 | 对比文件公开的结构中，第一导电结构（内部电极58）通过第二通孔（59,62）连接到第二导电结构（内部电极66）。整个电感器路径明确包括：通孔导体（54等）、第二通孔导体（59,62等）、第一导电结构（58）、以及第二导电结构（66）。这直接公开了该特征。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。<br>《直接公开》 | 说明书第[0035]段：“コンデンサＣ１とインダクタＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃとは、並列接続されており、共振回路ＬＣ１を形成している。”<br>关于极板位置：电容器电极（极板）形成于绝缘体层（如22,24层）的主面上，这些绝缘体层由陶瓷等介电材料制成，其作用即为层间电介质(ILD)，将导电层隔离。 | 对比文件明确公开了由电容器（C1）和多通孔电感器（L1A, L1B, L1C）并联形成的谐振电路（LC1）。同时，电容器极板位于由绝缘材料（陶瓷等）构成的绝缘体层之间，这些绝缘体层即为层间电介质(ILD)层。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。<br>《未公开》 | 说明书第[0040]段提到绝缘体层材料为陶瓷（例如氧化铝、氧化硅等）。未提及玻璃型基板或透玻通孔(TGV)。 | 对比文件明确使用陶瓷材料作为绝缘体层（基板），并采用在陶瓷生片上打孔填充导电膏形成通孔导体的工艺。这与目标专利特别强调的“玻璃型基板”和“透玻通孔”这一特定技术方案不同。本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或必然推理出使用玻璃基板和透玻通孔。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板<br>《未公开》 | 同上，说明书第[0040]段仅公开了陶瓷材料体系。 | 对比文件仅公开了陶瓷基板，并未公开目标专利权利要求中列举的玻璃、石英、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠或塑料基板等任何特定材料。该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者<br>《直接公开》 | 说明书第[0041]段：“この貫通孔にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電ペーストを印刷塗布などの方法により充填することによって、ビアホール導体…を形成する。” | 对比文件明确公开了通孔（ビアホール導体）是使用包含Ag（银）、Cu（铜）、Au（金）的导电膏填充形成的，即金属填充型通孔。这直接公开了该特征，且公开的金属种类落在目标专利限定的范围内。 |
| **技术特征M**：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。<br>《未公开》 | 说明书第[0040]段提及绝缘体层材料可含氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)等，但这是作为陶瓷基板的整体材料成分，并非特指电容器两极板之间专用的电介质材料。对比文件未明确电容器电介质的具体材质。 | 虽然对比文件基板材料可能含有Al2O3、SiO2，但目标专利该特征限定了电容器电介质的具体材质列表。对比文件未明确公开电容器所使用的电介质是列表中特定的材料。本领域技术人员不能毫无疑义地确定其电介质材质即为列表中的某一种。因此，该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及在通孔内使用聚合物核结构。其通孔是完全由导电膏（金属）填充的（参见第[0041]段）。 | 目标专利该特征涉及通孔具有“金属结构包裹聚合物核”的特定结构以降低成本和提高工艺兼容性。对比文件完全没有公开或暗示这种结构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。<br>《未公开》 | 对比文件的附图（如4）和文字描述显示，电容器电极（如50a）与连接它的通孔导体（如51）是平面接触连接，电容器极板在水平方向延伸。并未描述电容器极板和电介质在垂直方向上投影位于通孔端面之上的“叠层”或“位于…上”的特定三维空间关系。 | 目标专利此特征强调了电容器与通孔在垂直方向上的集成关系（即电容器“位于通孔顶部”），这是其降低串联电阻的关键结构。对比文件中的电容器和通孔导体虽然电连接，但属于多层平面电路布局，未公开这种垂直重叠的特定位置关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。<br>《未公开》 | 对比文件中的结构是三维堆叠的，电容器和电感器（包含通孔和内部电极）分布在不同的绝缘体层中，并非如目标专利图1所示，电容器在一侧表面，而第一导电结构在相对的另一侧表面。对比文件图4显示内部电极58在积层体内部，并非在基板的某一外表面。 | 该特征限定了电容器、通孔和第一导电结构之间非常具体的空间位置关系（分居基板两侧且轴线对齐）。对比文件的层压结构内部电极（如58）位于内部层，并非在基板外表面，且未描述所述轴线相交关系。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。<br>《未公开》 | 理由同特征O和P。对比文件未描述通孔轴线与电容器极板区域在垂直方向上的相交关系。其连接是侧向的平面连接。 | 该特征同样是描述通孔与电容器极板垂直对准的几何关系。对比文件没有公开这种关系。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 对比文件未描述通孔端面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 该特征涉及通孔与电容器相对尺寸的优化。对比文件完全没有涉及这一信息。 |
| **技术特征S**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。<br>《未公开》 | 同上。 | 对比文件未描述通孔端面与电容器极板表面的相对大小关系。 |
| **技术特征T**：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。<br>《未公开》 | 同上。 | 对比文件未描述通孔端面与电容器极板表面的相对大小关系。 |
| **技术特征U**：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。<br>《未公开》 | 对比文件未描述电容器具有多层电介质，更未描述在通孔与主电介质之间存在第二电介质的结构。 | 该特征涉及电容器的具体分层结构。对比文件未公开。 |
| **技术特征V**：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。<br>《未公开》 | 对比文件中的通孔导体都是贯穿其所在绝缘体层的（参见第[0041]段“貫通孔”），未公开“部分延伸穿过基板”的盲孔或“在基板内结合”的结构。其通孔之间的连接是通过层表面的内部电极实现的。 | 该特征描述了通孔在基板内部直接连接的特定结构（如图6所示）。对比文件采用完全不同的、通过表面电极连接各段通孔的方式形成电感。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征W**：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。<br>《未公开》 | 理由同特征O。对比文件中的通孔延伸穿过多个绝缘体层，但电容器极板并未被描述为垂直位于通孔上方。 | 该特征再次强调了电容器在垂直方向上位于通孔顶部的核心结构。对比文件未公开此结构。 |
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