对比文件名称：2012-03-29_US2012075216A_发明申请_US20120075216A1 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基板《直接公开》 | [0006] “Some implementations described herein provide a device that includes a substrate... The substrate may be a glass substrate.” | 对比文件直接公开了器件包括基板（substrate），并明确指出可以是玻璃基板。这属于本领域技术人员能毫无疑义地得出的技术方案，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，《隐含公开》 | [0008] “A plurality of vias may extend through the substrate, between the first surface and a second surface of the substrate.” <br> [0010] “The integrated device may have a plurality of through-glass vias extending between the first surface and the second surface of the glass substrate...” <br> [0103] “Passive components deposited on a glass substrate may be used to form a power combiner circuit...” (结合图11B中包括电感器的电路) | 对比文件明确公开了多个通孔（vias/through-glass vias）延伸穿过基板。虽然对比文件没有明确使用“多通孔电感器”这一术语，但其公开的功率合成器电路（例如图11B）包含了由无源器件（如电感器1120a-d）形成的电路。结合本领域公知常识，通孔（尤其是金属填充的）本身可以作为电感器的一部分（例如，提供垂直方向的电感），多个通孔可以组合形成电感结构。因此，本领域技术人员从对比文件公开的“穿过基板的通孔”和“包含电感器的电路”有可能合理推断出“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器一部分的通孔”这一技术特征。故判断为隐含公开。 |
| 技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构《隐含公开》 | [0103] “The power combiner circuit 1029 includes the inductors 1120a, 1120b, 1120c and 1120d...” (图11B示出了电感器之间的连接) <br> [0125] “In this example, the power combiner circuit 1029 includes a number of passive devices deposited on the glass die 1005. In this implementation, an inductor 1120e is one of the components of the power combiner circuit 1029.” (结合图12，电感器1120e形成在玻璃基板上) <br> [0131] “One or more other passive devices may be formed of the metal portions 1405b and 1405c, such as single-turn or multi-turn inductors.” (描述了在基板上形成电感器) | 对比文件公开了在基板（如玻璃基板1005）上形成电感器（例如1120e）作为功率合成器电路的一部分。这些电感器通常由沉积在基板上的导电图案（即导电结构）形成。虽然对比文件没有明确示出一个导电结构同时耦合至两个通孔并置于它们之间以形成多通孔电感器的具体图示，但根据其公开的“在基板上形成电感器”和“具有多个通孔”的技术内容，本领域技术人员为了构建电感值更大或特定结构的电感器，有可能通过合理推理，将基板上的导电图案（如螺旋线或直线）设计为连接两个或更多通孔，从而形成包含通孔和基板上导电结构的多通孔电感器。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，《未公开》 | [0103] “...as well as the capacitors 1125a, 1125b and 1125c. The capacitors 1125 may, for example, be radio frequency metal-insulator-metal (RF MIM) capacitors.” (图11B) <br> [0131] “...which form the lower and upper plates of capacitor 1425.” (图14G，描述了由金属部分1405a和金属层1411形成的电容器1425) <br> [0130] “a dielectric layer 1409 that has been deposited on the metal portions 1405a, 1405b and 1405c...” (图14C，描述了电介质层1409) | 对比文件确实公开了电容器（如1125， 1425）及其电介质层（如1409）。然而，目标专利的核心在于“电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间”，即电容器直接构建在通孔之上，通孔直接充当或紧密连接电容器的一个电极。对比文件中的电容器（如图11B的1125， 图14G的1425）是形成在基板表面上的金属-绝缘体-金属（MIM）结构，其下极板（如1405a）是沉积在基板表面的金属层，而非“通孔”本身。虽然通孔（1010a）可能通过金属层（1421）电连接到电容器，但电介质（1409）位于两个沉积的金属层（1405a和1411）之间，并非位于“通孔”与“电容器的极板”之间。因此，对比文件没有公开或隐含公开该特定结构关系。 |
| 技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。《直接公开》 | [0131] “...which form the lower and upper plates of capacitor 1425.” (图14G) <br> 电容器1425的上下极板（1405a, 1411）均形成在基板1007上方的沉积层中，并不嵌入基板内部。 | 对比文件公开的电容器极板（如1425的上下极板）是由沉积在基板（1007）上的金属层（1405a, 1411）形成的。这些极板位于基板表面之上，属于“在基板以外”。本领域技术人员能够毫无疑义地得出此结论。因此，技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。《未公开》 | [0135] “Gaps 1423 have been patterned in the copper layer 1421 in order to form and separate various electrical and or thermally conductive pathways. For example, a gap 1423 has been formed between a first portion of the copper layer 1421 that has been formed in the via 1415a and a second portion of the copper layer 1421 that has been formed in the via 1417. These portions of the copper layer 1421 provide electrical connectivity with the metal portion 1405a and the metal layer 1411, respectively, which form the lower and upper plates of capacitor 1425.” (图14G) | 对比文件公开了电容器1425通过金属层（铜层1421的部分）连接到通孔（如填充通孔1010a）。然而，技术特征F限定了“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”，并且结合上下文（特征C、H），此处的“第一导电结构”特指多通孔电感器中置于通孔之间的导电结构。对比文件没有公开电容器通过一个特定的通孔耦合到一个作为多通孔电感器一部分的“第一导电结构”。图14G中连接电容器的铜层1421部分主要是为了互联和引出，其作用与目标专利中作为电感器绕组一部分的“第一导电结构”不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分《隐含公开》 | [0008] “A plurality of vias may extend through the substrate...” <br> [0135] 描述了多个通孔（1010a）以及通过铜层1421形成的各种通路。 | 基于对技术特征B和C的隐含公开推理，既然多通孔电感器被隐含公开，那么构成该电感器必然需要至少两个通孔（例如第一通孔和第二通孔）。对比文件明确公开了基板中具有“多个通孔”（a plurality of vias）。因此，本领域技术人员有可能合理推断出存在“第二通孔”作为多通孔电感器的一部分。故判断为隐含公开。 |
| 技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。《未公开》 | 无直接对应描述。对比文件公开了在基板两侧形成导电层（1421）并通过通孔（1010a）连接（图14G），但没有明确描述一个由“通孔、第二通孔、第一导电结构、第二导电结构”构成的、具有特定连接关系（第一导电结构通过第二通孔耦合至第一导电结构？此处原文表述疑似有误，根据目标专利图1，应为“第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第二导电结构”）的多匝螺旋电感器结构。 | 技术特征H定义了多通孔电感器的一个具体拓扑结构：包括至少两个通孔、两个导电结构，并且它们以特定方式连接（第一导电结构通过第二通孔耦合至第二导电结构，形成类似图1的螺旋结构）。对比文件虽然公开了通孔和基板上的导电图案可以形成电感，但没有公开或教导这种特定的、包含明确命名为“第一导电结构”和“第二导电结构”并以所述方式连接的螺旋电感器结构。本领域技术人员无法从对比文件内容中毫无疑义地得出或合理推断出该具体限定。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。《隐含公开》 | [0132] “In block 1320, an oxide layer is deposited and patterned. One example is shown in FIG. 14E, which depicts an oxide layer 1413.” <br> [0140] “In block 1340... a passivation layer 1430 has been formed...” <br> [0103] “The power combiner circuit 1029 includes the inductors 1120a, 1120b, 1120c and 1120d, as well as the capacitors 1125a, 1125b and 1125c.” (图11B，该电路可以构成谐振电路) | 对比文件公开了在制造过程中沉积氧化物层（如1413）和钝化层（1430），这些层起到隔离和钝化作用，类似于ILD层。电容器极板（如1425的极板）确实位于这些介质层之间或之中。此外，对比文件公开的功率合成器电路（图11B）包含电感器和电容器，它们可以构成谐振电路（如LC谐振电路）。虽然“多通孔电感器”是隐含公开的，但将隐含公开的“多通孔电感器”与公开的“电容器”组合形成一个谐振电路，是本领域技术人员有可能合理推断出的。因此，技术特征I被隐含公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。《直接公开》 | [0006] “The substrate may be a glass substrate.” <br> [0010] “...a plurality of through-glass vias extending between the first surface and the second surface of the glass substrate...” | 对比文件明确且反复指出基板可以是玻璃基板，并且通孔是透玻通孔（through-glass vias）。这属于直接公开。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板《直接公开》 | [0006] “The substrate may be a glass substrate.” <br> [0044] “In some implementations, the first substrate may be formed of a material having properties similar to those of glass, such as plastic.” <br> [0044] “The integrated circuit die may be formed on a layered silicon-insulator-silicon substrate, which is also known as a ‘silicon on insulator’ (SOI) substrate. In some other implementations, the integrated circuit die may be formed on a glass substrate, a silicon substrate, a gallium arsenide substrate, or a silicon-on-sapphire substrate.” (虽然此段描述的是集成电路芯片的基板，但暗示了这些材料可用作基板) | 对比文件直接公开了基板可以是玻璃基板或塑料基板。同时，在描述其他组件（集成电路芯片）的基板材料时，列举了SOI、硅、GaAs、SOS等，这些材料属于本领域常见的基板材料。虽然未明确列举目标专利权利要求K中的所有具体材料（如石英、HRS、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠），但“玻璃基板”和“塑料基板”已被直接公开。对于其余材料，基于对比文件公开的“玻璃基板”以及本领域技术人员对类似性能基板材料的知晓，可以认为对比文件至少部分公开了该特征，并且其余材料是等同或常见的替代选择。在宽松的隐含公开判断标准下，可以认为该特征被隐含公开。但严格来说，直接公开了“玻璃基板”和“塑料基板”。为严谨计，此处基于直接公开的部分进行判断。 |
| 技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者《直接公开》 | [0098] “Other materials that may be used to fill the vias include, for example, copper, solder... However, other conductive materials such as gold (Au), silver (Ag), aluminum, etc., may be used instead of copper (or in addition to copper).” <br> [0099] “The vias may then be filled with a conductive metal, such as copper, via electroplating.” | 对比文件明确公开了通孔可以用铜、金、银等金属填充。因此，技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。《直接公开》 | [0129] “In this example, the dielectric layer 1409 is an SiO2 layer that is 350 Angstroms thick. In some other implementations, the dielectric layer 1409 may be in the range of 50 to 10,000 Angstroms in thickness and may be formed of other suitable dielectric materials, such as an oxide of hafnium, aluminum, or zirconium, aluminum nitride, or a combination of multiple such layers.” <br> [0133] “In this example, the oxide layer 1413 is a silicon oxynitride layer that is 1 micron thick. In some other implementations, the oxide layer 1413 may be in the range of 0.5 to 3 microns in thickness and may be formed of other suitable dielectric material, such as silicon dioxide, silicon oxynitride, silicon nitride...” | 对比文件明确公开了电介质层可以由二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiOxNy）、氮化硅、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）等材料形成。虽然未明确提及五氧化二钽（Ta2O5），但已公开了多种目标专利列出的材料。因此，技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。《未公开》 | [0098] “The cores of the vias may be filled with polymer, paste with conductive and non-conductive fillers, solder, or some combination thereof.” <br> [0099] “In some implementations, the filling process may not entirely fill the vias. For example, some implementations may involve forming conductive walls on the vias but not completely filling the vias with conductive material.” | 对比文件公开了通孔核心可以用聚合物填充，或者可以只形成导电侧壁而不完全填充。这暗示了通孔内可以存在非金属核心（如聚合物）和金属结构（如侧壁镀层）的组合。然而，技术特征N明确限定了“金属结构包括聚合物核”，即金属结构包裹着聚合物核。对比文件描述的是“核心填充聚合物”或“侧壁金属化”，并未明确描述一个由金属（作为结构主体）包裹聚合物核的结构。虽然存在技术上的关联性，但具体结构限定不同。在直接公开判断标准下，不能认为毫无疑义地得出。在隐含公开判断标准下，由于对比文件部分公开了相关概念（聚合物填充、金属侧壁），有可能推断出类似结构，但鉴于结构描述的差异性，谨慎判断为未公开。 |
| 技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。《未公开》 | 无对应描述。对比文件中的电容器（如1425）形成在基板表面，其下方是基板和可能的其他金属层（1405a），并非直接垂直位于某个通孔的表面之上。通孔（1010a）是垂直结构，电容器是水平结构，它们通过金属布线层（1421）连接，没有垂直堆叠关系。 | 该技术特征描述了电容器与通孔在垂直方向上的对准和堆叠关系，这是目标专利减少电阻、提高集成度的关键。对比文件完全没有公开或暗示这种电容器直接垂直位于通孔上方的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。《未公开》 | 无对应描述。该特征描述了电容器、通孔和第一导电结构三者在垂直方向上的空间位置关系（共轴）。对比文件没有公开如此明确的三维位置对应关系。电容器和电感器导电结构可能位于基板同一侧或不同侧，但没有描述所述特定的正交轴相交关系。 | 该技术特征是一个非常具体的空间布局限定。对比文件没有提供任何关于电容器、通孔和特定导电结构（第一导电结构）满足所述正交轴相交关系的描述或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。《未公开》 | 无对应描述。如特征O所述，对比文件中电容器极板与通孔没有垂直堆叠关系，因此通孔的轴不可能与极板区域相交。 | 该特征与特征O、P类似，依赖于电容器与通孔的垂直对准关系。对比文件未公开此关系，故该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 无对应描述。对比文件未描述通孔表面与电容器极板表面的相对大小关系。 | 该特征是针对电容器直接位于通孔上方时，两者相对尺寸的具体优化。由于对比文件未公开电容器位于通孔上方的结构，因此也不可能公开两者表面的相对大小关系。故未公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。《未公开》 | 无对应描述。理由同特征R。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。《未公开》 | 无对应描述。理由同特征R。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。《未公开》 | 无对应描述。对比文件中的电容器有电介质层（1409），但没有描述在通孔与该电介质之间还存在第二电介质。 | 该特征涉及电容器直接构建于通孔上时可能的多层电介质结构。对比文件未公开电容器与通孔的所述直接堆叠关系，因此也不可能公开两者之间的第二电介质。故未公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。《未公开》 | 无对应描述。对比文件公开的通孔（through-glass vias）通常是贯穿基板的，没有描述部分延伸（盲孔）且在基板内结合的通孔结构，也没有描述由三个通孔构成的多通孔电感器具体实例。 | 该特征描述了多通孔电感器的一种特定实现形式，使用盲孔在基板内结合，并涉及第三通孔。对比文件完全没有公开或暗示这种具体的通孔连接方式和电感器结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。《未公开》 | 无对应描述。理由同特征O。对比文件中的通孔延伸穿过基板，但电容器并未垂直位于其上。 | 该特征再次强调了电容器与通孔的垂直堆叠关系。对比文件未公开此关系，故未公开。 |
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