对比文件名称：US2011140825A1_Description_20260318_1957
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板**<br>《直接公开》 | [0018] “The substrate 110 directly contacts the first to fourth vertical conductive units 140A to 140D, the upper horizontal conductive unit 130, and the first and second lower horizontal conductive units 150A and 150B.” (段落[0018])<br>[0020] “In the embodiment of the present invention, the substrate 110 may be formed with high resistant silicon.” (段落[0020]) | 对比文件明确公开了器件包括基板（substrate），例如图1-6所示的基板110、210、310。基板是构成器件的基础结构，用于承载通孔和导电线路。这与目标专利中基板的作用（作为承载通孔和电容器的载体）相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔**<br>《直接公开》 | [0018] “The first vertical conductive unit 140A is connected to the upper horizontal conductive unit 130 and the first lower horizontal conductive unit 150A through a via hole of a substrate 110.” (段落[0018])<br>[0020] “The substrate 110 includes a plurality of via holes, and each via hole vertically penetrates a body of the substrate 110.” (段落[0020])<br>[0033] “The first to fourth vertical conductive units 140A to 140D are formed within the via hole of the substrate 110.” (段落[0033]) | 对比文件公开了多个垂直导电单元（140A-140D等）形成在基板的通孔（via hole）内，并且这些通孔垂直穿透基板主体。这些通孔是形成电感器（如附图1-6所示的螺旋结构）所必需的一部分。对比文件中通孔的作用是形成电感器的垂直导电部分，这与目标专利中通孔作为“多通孔电感器的一部分”的作用相同。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构**<br>《直接公开》 | [0018] “The inductor 100 includes ... an upper horizontal conductive unit 130 ... first and second lower horizontal conductive units 150A and 150B...” (段落[0018])<br>[0023] “The upper horizontal conductive unit 130 is formed on the upper surface of the substrate 110. The first and second lower horizontal conductive units 150A and 150B are formed on the lower surface of the substrate 110.” (段落[0023])<br>[0024] “The upper horizontal conductive unit 130 ... are connected to the first to fourth vertical conductive units 140A to 140D to form a conductive path.” (段落[0024]) | 对比文件公开的电感器包括位于基板上表面的上水平导电单元（130， 230， 330A/B）和位于基板下表面的下水平导电单元（150A/B， 250A/B， 350A-D）。这些导电结构通过通孔（垂直导电单元）相互连接，形成螺旋形导电路径，从而构成电感器。例如，上水平导电单元130连接通孔140A和140C，下水平导电单元150A连接通孔140A和140D。这些导电结构在基板上，并耦合至至少两个通孔，位于这些通孔之间。其作用是形成电感器的水平绕组部分，这与目标专利中“导电结构”作为电感器组成部分的作用相同。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件US2011140825A1的发明主题是“电感器”（INDUCTOR），其说明书全文仅描述了由通孔和水平导电结构组成的电感器结构（如附图1-8所示）。说明书中未提及任何电容器结构，更没有公开在通孔上形成电容器，尤其没有公开“电容器的电介质位于通孔与电容器的极板之间”这一核心结构。目标专利的核心发明点在于将电容器直接集成在通孔之上，其间设置电介质，以降低电阻和功耗。对比文件完全没有涉及这一技术构思。因此，技术特征D既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外**<br>《未公开》 | 无 | 由于对比文件根本没有公开电容器（特征D），因此自然不存在电容器的极板，更无法判断该极板是否位于基板以外。目标专利中“极板在基板以外”是指极板不嵌入基板内部，通常形成于基板表面的层间介质中。对比文件未公开任何类似结构。因此，技术特征E未被公开。 |
| **F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件虽然公开了导电结构（如特征C所述），但未公开任何电容器，因此不可能公开电容器通过通孔耦合至某个导电结构的技术特征。该特征依赖于电容器结构的存在。因此，技术特征F未被公开。 |
| **G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分**<br>《直接公开》 | [0018] “The inductor 100 includes ... first to fourth vertical conductive units 140A to 140D...” (段落[0018])<br>[0020] “The substrate 110 includes a plurality of via holes...” (段落[0020]) | 对比文件公开的电感器明确包含多个通孔（第二、第三、第四通孔等），例如图1中的140B, 140C, 140D。这些通孔均至少部分地延伸穿过基板（如[0020]段所述垂直穿透基板主体），并且与水平导电结构共同构成电感器的导电路径，即形成电感器的各个部分。例如，通孔140B和140C与上、下水平导电单元一起构成电感器线圈的一部分。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构**<br>《直接公开》 | [0018] “The upper horizontal conductive unit 130 is connected to ... the first lower horizontal conductive unit 150A through [the] via hole ... The third vertical conductive unit 140C ... connects the upper horizontal conductive unit 130 and the second lower horizontal conductive unit 150B...” (段落[0018])<br>[0024] “... the other end of the upper horizontal conductive unit 130 is connected to one end of the second lower horizontal conductive unit 150B through the third vertical conductive unit 140C.” (段落[0024]) | 对比文件明确公开了由通孔、第一导电结构和第二导电结构构成的多通孔电感器。例如，上水平导电单元（第一导电结构，130）通过第三垂直导电单元（第二通孔，140C）连接到第二下水平导电单元（第二导电结构，150B）。整个电感器包括通孔（140A）、第二通孔（140C）、第一导电结构（130）和第二导电结构（150B）等。这些元件共同作用，形成螺旋电感。因此，技术特征H被对比文件直接公开。 |
| **I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何电容器，因此不存在电容器的极板，更不可能公开极板位于ILD层中。此外，对比文件仅公开了独立电感器，未提及该电感器与电容器共同构成谐振电路。目标专利说明书[0036]段明确指出电感器和电容器形成谐振电路。对比文件未公开此技术特征。因此，技术特征I未被公开。 |
| **J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔**<br>《未公开》 | [0020] “... the substrate 110 may be formed with high resistant silicon. For another instance, the substrate 110 may have the insulative characteristics by performing an insulation process on its surface.” (段落[0020]) | 对比文件仅公开基板可以是高电阻硅（high resistant silicon）或经过绝缘处理的表面，未提及任何玻璃型基板（如玻璃、石英等），也未提及透玻通孔（TGV）。目标专利说明书[0031]段明确将玻璃型基板和透玻通孔作为具体实施例。对比文件未公开该特定基板材料和通孔类型。因此，技术特征J未被公开。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板**<br>《未公开》 | [0020] “... the substrate 110 may be formed with high resistant silicon.” (段落[0020]) | 对比文件仅公开基板可以是“高电阻硅”（high resistant silicon）。虽然“高电阻硅”可能被宽泛地解释为涵盖了“高电阻率硅(HRS)基板”的一种具体类型，但对比文件并未明确公开目标专利权利要求中列举的玻璃基板、石英基板、SOI、SOS、GaAs、InP、SiC、AlN、罗杰斯层叠或塑料基板等其他众多具体基板材料。这些材料列表代表了特定且广泛的基板类型选择，而对比文件仅提及一种可能性。因此，技术特征K作为一个整体，包括所有列举的材料，并未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者**<br>《直接公开》 | [0022] “For instance, in the case of the plating, the upper horizontal conductive unit 130, the first and second lower horizontal conductive units 150A and 150B may be formed with copper (Cu) or gold (Au).” (段落[0022])<br>[0028] “In the case of the method of plating, the first to fourth vertical conductive units 140A to 140D may be formed with the copper (Cu) or the gold (Au).” (段落[0028]) | 对比文件公开了垂直导电单元（即填充通孔的导电体）可以通过电镀（plating）方法形成，材料可以是铜（Cu）或金（Au）。这表明通孔是金属填充型的，且金属材料包括Cu或Au，这落入了目标专利权利要求中“铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者”的范围。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件的主题是电感器，其说明书中未提及任何电容器结构，因此也完全没有公开用于电容器的任何电介质材料。电介质是目标专利中电容器的必要组成部分，但在对比文件中不存在。因此，技术特征M未被公开。 |
| **N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核**<br>《未公开》 | 无 | 对比文件公开的通孔是金属填充的（如特征L所述），但未提及通孔内存在包含聚合物核的金属结构。目标专利说明书[0044]段（对应图3）描述了通孔可包括具有聚合物核的金属结构。对比文件未公开此特征。因此，技术特征N未被公开。 |
| **O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上**<br>《未公开》 | 无 | 该特征描述了电容器与通孔在垂直方向上的空间位置关系，即电容器堆叠在通孔上方。由于对比文件根本没有公开电容器（特征D），因此完全不存在这种垂直堆叠关系。该特征依赖于电容器结构的存在。因此，技术特征O未被公开。 |
| **P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交**<br>《未公开》 | 无 | 该特征进一步限定了电容器、通孔和第一导电结构三者的三维空间位置关系。由于对比文件未公开电容器，因此无法构成这种包含电容器极板、电介质、通孔和导电结构的特定空间布局。该特征完全依赖于电容器结构的存在。因此，技术特征P未被公开。 |
| **Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔延伸方向与电容器极板表面的垂直关系以及轴线相交关系。由于对比文件未公开电容器，因此不存在电容器的极板，无法判断通孔轴线是否与极板区域相交。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面**<br>《未公开》 | 无 | 该特征限定了通孔表面与电容器极板表面的相对尺寸关系。由于对比文件未公开电容器，因此不存在“通孔的面向电介质的表面”与“电容器的极板的表面”之间的尺寸比较基础。因此，技术特征R未被公开。 |
| **S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同**<br>《未公开》 | 无 | 同上，该特征涉及电容器极板与通孔表面的尺寸比较。由于对比文件未公开电容器，因此该特征未被公开。 |
| **T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面**<br>《未公开》 | 无 | 同上，该特征涉及电容器极板与通孔表面的尺寸比较。由于对比文件未公开电容器，因此该特征未被公开。 |
| **U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间**<br>《未公开》 | 无 | 该特征涉及电容器的多层电介质结构。由于对比文件未公开任何电容器，因此不可能公开电容器的单层或多层电介质结构。因此，技术特征U未被公开。 |
| **V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔**<br>《未公开》 | [0020] “each via hole vertically penetrates a body of the substrate 110.” (段落[0020]) | 对比文件描述的通孔（via hole）是“垂直穿透”（vertically penetrates）基板主体的，即完全贯穿基板。并未公开“部分地延伸穿过所述基板”的盲通孔，也未公开通孔在基板内部结合的结构。目标专利说明书[0055]-[0056]段（对应图6）描述了盲通孔在基板内结合的结构。对比文件未公开此特征。因此，技术特征V未被公开。 |
| **W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上**<br>《未公开》 | [0020] “each via hole vertically penetrates a body of the substrate 110.” (段落[0020]) | 对比文件公开了通孔延伸穿过基板（特征B）。然而，该特征后半部分要求电容器的极板和电介质垂直位于通孔上。由于对比文件未公开任何电容器（特征D），因此无法满足“垂直位于通孔上”这一位置关系。该特征是目标专利的核心结构，对比文件未公开。因此，技术特征W未被公开。 |
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