对比文件名称：US2010194498A1_Description_20260318_1958
目标专利名称：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | [0031] “The laminate 12 is preferably formed by laminating a plurality of insulating layers...” <br> [0056] “First, ceramic green sheets used for the insulating layers... are created.” | 对比文件明确公开了构成多层电子组件的层叠体（laminate 12）由多个绝缘层（insulating layers）构成，这些绝缘层在多层器件中起到基板（承载和支撑内部电路元件）的作用。本领域技术人员能够毫无疑义地确定“绝缘层”即是“基板”的一种具体形式，作用均为提供结构支撑和电绝缘。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔** <br>《直接公开》 | [0042] “...via-hole conductors 51 and 53 are provided in the insulating layer 28.” <br> [0042] “By laminating the insulating layers 28 and 30a to 30g, the via-hole conductors 51 and 54a to 54g are formed as a first interlayer connection conductor extending in the lamination direction in the laminate 12, and function as an inductor L1A...” | 对比文件详细描述了通孔导体（via-hole conductors）穿过绝缘层（即基板）延伸，并且通过层叠多个通孔导体形成了在层叠方向延伸的层间连接导体（interlayer connection conductor），其功能是作为电感器（inductor L1A）的一部分。这公开了“至少部分地穿过基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔”。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br>《直接公开》 | [0044] “Internal electrodes 58 and 60 are provided on the main surface of the insulating layer 32.” <br> [0044] “The internal electrode 58 ... is connected to the via-hole conductor 54.” <br> [0044] “The internal electrode ... is connected to the via-hole conductor 56.” <br> [0046] “...the via-hole conductors 59 and 62a to 62f ... function as the inductor L1C.” | 对比文件公开了在绝缘层32（基板）上的内部电极58和60，它们分别连接至通孔导体54和56（对应于“通孔”）。同时，通孔导体59、62a-62f等形成了另一个电感部分（L1C，可对应于“第二通孔”）。内部电极58、60位于连接通孔导体54/56和通孔导体59/62a-62f的路径上，起到电连接和作为电感一部分的作用。这公开了耦合至通孔和第二通孔、且置于它们之间的基板上的导电结构。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间** <br>《未公开》 | [0035] “An internal electrode 42 is formed on the main surface of the insulating layer 22. The internal electrode 42 includes a capacitor electrode 42a...” <br> [0036] “The internal electrode 44 includes a capacitor electrode 44a... and defines the other electrode of the capacitor C1...” | 对比文件公开了由内部电极（如42a和44a）及其之间的绝缘层（如22、24）构成的电容器。然而，电容器的电极（极板）是这些平面内部电极，电介质是它们之间的整个绝缘层。没有任何一个电容器的结构是“电介质位于通孔与电容器的极板之间”。在对比文件中，通孔导体（如54、56）是作为电感器的一部分，它们可能连接到电容器的电极，但通孔本身并非电容器的构成极板，也没有在通孔与某一极板之间专门设置电介质。这与目标专利中通孔直接作为电容器的一个电极或与电极紧密相邻、其间专门设置电介质的核心结构不同。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br>《未公开》 | [0035], [0036] （同上） | 对比文件中的电容器极板（如内部电极42a, 44a）是形成在绝缘层（基板）的表面的平面电极，并被后续层叠的绝缘层覆盖，即嵌入在层叠体（基板堆叠）内部。这与目标专利说明书（如[0033]“电容器114的第二极板108在基板102以外（例如，在基板102之上并且并不嵌入其中）”）所描述的“极板在基板以外”明显不同。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br>《未公开》 | [0042] “The via-hole conductors 51 and 53 are directly connected to the capacitor electrodes 50a and 52a, respectively.” <br> [0044] “The internal electrode 58 ... is connected to the via-hole conductor 54.” | 对比文件中，通孔导体（如51、53）直接连接到电容器电极（如50a、52a）。然而，技术特征F限定了“电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构”，这意味着通孔作为连接电容器和第一导电结构的中间媒介。在对比文件中，连接电容器的通孔（如51、53）与作为“第一导电结构”的内部电极58所连接的通孔（如54）是不同的、分离的通孔导体，它们属于不同电感路径（L1A和L1C）。电容器并非通过“所述通孔”（即形成电感器一部分的那个通孔）耦合至内部电极58。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br>《直接公开》 | [0046] “By laminating the insulating layers 32 and 34a to 34f, the via-hole conductors and 62a to 62f define a second interlayer connection conductor extending in the lamination direction in the laminate and function as the inductor L1C.” | 对比文件明确公开了由通孔导体59、62a-62f等构成的第二层间连接导体，其延伸穿过绝缘层（基板）并作为电感器L1C（即多通孔电感器的第二部分）。这完全符合技术特征G的描述。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br>《未公开》 | [0044] “The internal electrode 58 ... is connected to the via-hole conductor 54.” <br> [0046] “...the via-hole conductors 59 and 62a to 62f ... function as the inductor L1C.” <br> [0048] “...the inductor electrodes 66a and 66b ... An end of each of the inductor electrodes 66a and 66b is connected to the via-hole conductors 62 and 64, respectively.” | 技术特征H限定了“第一导电结构通过第二通孔耦合至第二导电结构”的特定连接关系。在对比文件中，内部电极58（可对应于第一导电结构）连接至通孔54，而通孔62（可对应于第二通孔）连接至内部电极66a/66b（可对应于第二导电结构）。然而，内部电极58和通孔62之间没有直接的连接关系，它们是通过不同的路径（内部电极58连接通孔54形成L1A，通孔62连接内部电极66a形成L1C）最终在内部电极66处汇合。不存在“第一导电结构通过第二通孔耦合至第二导电结构”的直连路径。因此，技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br>《直接公开》 | [0035], [0036] （电容器电极在绝缘层中）<br> [0052] “The equivalent circuit of the multilayer electronic component 10 includes the capacitors C1, C2, and C3, the inductors L1A, L1B, L1C, L2A, L2B, L2C, and L3...” <br> [0053] “The capacitor C1 and the inductors L1A, L1B, and L1C are connected in parallel with each other, so that a resonance circuit LC1 is provided.” | 对比文件中的电容器极板（内部电极）确实位于绝缘层（即层间电介质层）中。同时，对比文件的等效电路图（图3）和描述明确公开了由电容器（C1、C2）和电感器（L1A、L1B、L1C等，即多通孔电感器）构成的谐振电路（LC1、LC2）。因此，技术特征I被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br>《未公开》 | [0056] “...materials such as aluminum oxide (Al2 O3 ), silicon oxide (SiO2 ), barium oxide (BaO2 ), zirconium oxide (ZrO2 ), and boron oxide (B2 O3 )...” <br> [0058] “...conductive paste preferably including Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof...” | 对比文件明确记载其基板（绝缘层）材料为陶瓷材料（如氧化铝、氧化硅等），而非玻璃型基板。其通孔由金属糊剂填充，但并未提及“透玻通孔”（TGV）。因此，技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br>《未公开》 | [0056] （同上，陶瓷材料） | 对比文件公开的基板材料是陶瓷材料，虽然陶瓷与所列材料中的一些（如AlN）在成分上有重叠，但列表整体上代表的是与陶瓷层叠体不同的基板类型（如单质半导体基板、玻璃、塑料等）。对比文件未公开目标专利权利要求中列举的这些特定基板类型。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br>《直接公开》 | [0058] “...conductive paste preferably including Ag, Pd, Cu, Au, or an alloy thereof, for example, is then filled in the through-hole...” | 对比文件明确记载了通孔由包含Ag、Cu、Au等金属的导电糊剂填充。这公开了“金属填充型通孔”，且金属种类涵盖了目标专利权利要求中的Ag、Cu、Au。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br>《隐含公开》 | [0056] “...materials such as aluminum oxide (Al2 O3 ), silicon oxide (SiO2 )...” | 对比文件公开了制造绝缘层（其作为电容器的电介质）的材料包括氧化铝（Al2O3）和氧化硅（SiO2）。这两种材料均包含在技术特征M的列表中。虽然对比文件未明确列举列表中的其他材料，但根据隐含公开的宽松判断标准，本领域技术人员能够从对比文件已公开的Al2O3和SiO2中，合理地推断出使用这些材料作为电介质的技术方案。因此，技术特征M被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br>《未公开》 | [0058] （金属糊剂填充通孔） | 对比文件仅公开了通孔由金属糊剂填充，并未提及通孔内存在“聚合物核”的结构。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 这是目标专利的核心结构之一，即电容器垂直堆叠在通孔之上。对比文件中的电容器由层叠的平面内部电极构成，与作为电感器的通孔导体是平面并列或通过内部电极间接连接的关系，不存在电容器的极板和电介质垂直位于通孔表面之上的结构。因此，技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该技术特征描述了电容器、通孔和第一导电结构在垂直方向上的特定空间位置关系。对比文件的结构布局完全不同。其电容器和电感器（通孔及导电结构）分布在多层绝缘层的不同层级，并非如目标专利所述的“电容器在基板一侧，第一导电结构在另一侧，通孔垂直贯穿连接”的紧凑垂直集成关系。因此，技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该技术特征同样描述了通孔与电容器极板在垂直方向上的对准关系。如之前所述，对比文件中的通孔导体和电容器极板是平面分离的，通孔的延伸方向（层叠方向）与电容器极板所在的平面平行，但通孔并未位于电容器极板的正下方或正上方，其垂直投影与极板区域没有相交关系。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该技术特征（及S、T）的前提是电容器直接位于通孔之上，两者具有“面向”关系。对比文件中不存在这种结构，因此无法比较其表面大小。因此，技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 同上。技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 同上。技术特征T未被公开。 |
| **技术特征U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该技术特征涉及通孔与电容器之间的多层电介质结构。对比文件中不存在电容器直接位于通孔之上的结构，更不存在两者之间的多层电介质。因此，技术特征U未被公开。 |
| **技术特征V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br>《未公开》 | [0042], [0046] （通孔完全延伸穿过其所在的绝缘层） | 对比文件中的通孔导体是形成在各绝缘层中的，通过层叠实现垂直方向的连接，但每个通孔导体通常是完全穿过其所在绝缘层的，没有公开“部分地延伸穿过基板”且“在基板内结合”的盲孔结构。其多通孔电感器由多个贯穿不同绝缘层的通孔串联而成，结构不同。因此，技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该技术特征再次强调了电容器垂直集成于通孔之上的核心结构。如前述分析，对比文件未公开此结构。因此，技术特征W未被公开。 |
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