**对比文件名称**：US2012274436A1_Description_20260318_1957（THROUGH VIA INDUCTOR OR TRANSFORMER IN A HIGH RESISTANCE SUBSTRATE WITH PROGRAMMABILITY）
**目标专利名称**：349在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器CN105009280B
**本次调用模型名称**：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：基板** <br> **《直接公开》** | [0002] This disclosure relates generally to an electronic package, and in particular to a programmable through via inductor or transformer formed in a high-resistance substrate of an electronic package. <br> [0035] Referring to the exemplary embodiment shown in FIG. 1, an electronic package 100 is provided with a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire. | 对比文件[0002]和[0035]明确公开了电子封装包括高电阻基板（substrate），这与目标专利中的“基板”特征直接对应。在电子器件领域，基板是承载电路和元件的常见基础结构。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **B：至少部分地穿过所述基板延伸并形成多通孔电感器的一部分的通孔，** <br> **《直接公开》** | [0035] A three-dimensional inductor 104 is formed in the package 100 and includes a plurality of through-vias 114. <br> [0041] Returning to the embodiment of FIG. 1, the length of each through-via 114 can be the same or greater than the thickness of the substrate 102. | 对比文件[0035]和[0041]明确描述了三维电感器（three-dimensional inductor）包含多个透玻通孔（through-vias），这些通孔形成于基板中，并且其长度等于或大于基板的厚度，即“至少部分地穿过所述基板延伸”。这些通孔构成了电感器的一部分。因此，技术特征B被对比文件直接公开。 |
| **C：所述多通孔电感器包括耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构** <br> **《直接公开》** | [0035] Each of the plurality of through-vias 114 is coupled to a frontside conductive trace 116 on the frontside of the substrate 102 and a backside conductive trace 118 on the backside of the substrate 102. <br> [0043] ...the first through-via 306 is coupled to the second through-via 306 (labeled #2) by the frontside conductive trace 304... | 对比文件[0035]和[0043]明确公开了通孔（through-via）通过基板正面（frontside）和背面（backside）的导电迹线（conductive trace）相互连接。例如，[0043]描述了第一通孔通过正面导电迹线耦合至第二通孔，该导电迹线位于基板表面上，并置于这两个通孔之间。这完全对应于目标专利中“耦合至所述通孔和第二通孔且置于所述通孔与所述第二通孔之间的所述基板上的导电结构”。因此，技术特征C被对比文件直接公开。 |
| **D：耦合至所述通孔的电容器，其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间，** <br> **《未公开》** | 对比文件中未找到电容器直接形成于通孔之上、且电介质位于通孔与电容器极板之间的描述。对比文件主要聚焦于电感器和变压器结构。 | 目标专利的核心创新点在于电容器直接集成在通孔上，电介质位于通孔和电容器极板之间，以减少电阻和功耗（参见说明书[0007]-[0008]，[0037]）。对比文件US2012274436A1全文描述了多种三维电感器和变压器的结构，通孔用于形成电感路径。虽然在实际电路中，电感器常与电容器结合使用形成LC谐振电路（如目标专利[0036]所述），但对比文件并未描述或暗示将电容器以“电介质位于通孔与电容器极板之间”的特定结构直接制作在所述通孔上。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构。因此，技术特征D未被公开。 |
| **E：并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外。** <br> **《未公开》** | 由于技术特征D（电容器的特定结构）未被公开，因此其极板位置特征也无法被确定或推断。对比文件中未描述电容器的极板位置。 | 技术特征E限定了电容器极板位于基板之外，这是基于特征D中特定电容器结构的必然位置关系。由于对比文件未公开该电容器结构，因此无法确定或推断其极板位置。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。因此，技术特征E未被公开。 |
| **F：其特征在于，所述导电结构包括第一导电结构，并且其中所述电容器通过所述通孔耦合至所述第一导电结构。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述电容器通过通孔耦合至某个导电结构。 | 该特征进一步限定了电容器通过通孔耦合至第一导电结构。由于对比文件未公开耦合至通孔的电容器（特征D），因此这种耦合关系也无从谈起。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。因此，技术特征F未被公开。 |
| **G：其特征在于，所述多通孔电感器进一步包括：所述第二通孔，其中所述第二通孔至少部分地延伸穿过所述基板并形成所述多通孔电感器的第二部分** <br> **《直接公开》** | [0043] Since the first through-via 306 is coupled to the second through-via 306 (labeled #2) by the frontside conductive trace 304, a continuous conductive path is formed between the first and second through-vias. | 对比文件[0043]明确描述了第一通孔（#1）和第二通孔（#2）通过导电迹线连接形成连续导电路径，共同构成电感器。这直接公开了多通孔电感器包括至少部分延伸穿过基板的第二通孔，并形成电感器的一部分。因此，技术特征G被对比文件直接公开。 |
| **H：第二导电结构，其中所述第一导电结构通过所述第二通孔耦合至所述第一导电结构，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、所述第一导电结构、以及所述第二导电结构。** <br> **《隐含公开》** | [0043] Likewise, the third through the ninth through-vias 306 (labeled #3-#9) are coupled to one another by a plurality of backside conductive traces 302 and frontside conductive traces 304 to form a single, continuous conductive path. | 对比文件[0043]描述了多个通孔（例如#1至#9）通过正面和背面的导电迹线交替连接，形成连续的螺旋状导电路径。这必然意味着存在多个导电结构（如前/背面导电迹线）和多个通孔。例如，第一导电结构（如正面迹线304）连接通孔#1和#2，第二导电结构（如背面迹线302）连接通孔#2和#3，而通孔#2则连接了这两个导电结构。这种由通孔和交替的正面、背面导电结构组成的连续路径，即构成了目标专利中所述的多通孔电感器。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的内容中合理推断出该特征。技术特征H被对比文件隐含公开。 |
| **I：其特征在于，所述极板在层间电介质(ILD)层中，并且其中谐振电路包括所述多通孔电感器和所述电容器。** <br> **《隐含公开》** | [0035] The frontside conductive trace 116 and other metal layers 120, 122 are surrounded by a frontside dielectric material 106 such as silicon dioxide. Likewise, the backside conductive trace 118 and backside metal layers 124, 126 are surrounded by a backside dielectric material 108. <br> [0066] The variable inductors described above with reference to FIGS. 5-9 include several advantages. ... In addition, a wide tunable LC-VCO using a variable or programmable inductor can be one of the key circuits for a reconfigurable RF circuit. | 1. **极板在ILD层中**：对比文件[0035]明确描述了正面和背面的导电迹线及金属层被介电材料（如二氧化硅）包围。这公开了导电结构位于介电层（相当于ILD层）中的技术手段。虽然未明确描述电容器极板，但本领域技术人员知晓，在集成电路中，电容器极板通常也制作在类似的介电层中。结合电容器可能存在的上下文，可以合理推断电容器的极板也可能位于类似的介电材料层中。<br>2. **谐振电路包括多通孔电感器和电容器**：对比文件[0066]明确提到了“LC-VCO”（电感电容压控振荡器），这必然包含电感器（L）和电容器（C）形成的谐振电路。结合对比文件全文详细描述的多通孔电感器，本领域技术人员可以直接且毫无疑义地得出，所述多通孔电感器可以与电容器组合形成谐振电路。这是本领域的公知常识和应用。因此，技术特征I被对比文件隐含公开。 |
| **J：其特征在于，所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。** <br> **《直接公开》** | [0002] ...formed in a high-resistance substrate of an electronic package. <br> [0035] ...an electronic package 100 is provided with a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire. <br> [0071] The three-dimensional transformer is advantageous over a two-dimensional transformer because the former requires less area in the substrate and has a higher efficiency. In particular, the vertical array of through-vias allows the circuits or loops of the transformer to be spaced in closer proximity to one another. A through-glass via, for example, can be easily fabricated in the glass substrate... | 对比文件[0035]明确公开基板可以是玻璃（glass），[0071]明确使用了“through-glass via”（透玻通孔）这一术语。因此，技术特征J被对比文件直接公开。 |
| **K：其特征在于，所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率硅(HRS)基板、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板** <br> **《隐含公开》** | [0035] ...an electronic package 100 is provided with a high-resistance substrate 102 such as glass or sapphire. <br> [0002] ...formed in a high-resistance substrate... | 对比文件[0035]明确例举了玻璃（glass）和蓝宝石（sapphire）作为高电阻基板的例子。[0002]和全文反复强调“高电阻基板”（high-resistance substrate）。本领域技术人员知晓，为了获得高电阻特性以减少损耗（如涡流损耗），除了玻璃和蓝宝石，说明书中列举的其他材料（如石英、SOI、SOS、HRS、GaAs、InP、SiC、AlN以及某些层叠材料或塑料）也是常用的高电阻或绝缘基板材料。因此，对比文件公开了“高电阻基板”这一上位概念，本领域技术人员能够合理推断其包含这些具体材料。技术特征K被对比文件隐含公开。 |
| **L：所述通孔是金属填充型通孔，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)、或金(Au)中的至少一者** <br> **《直接公开》** | [0035] The plurality of through-vias 114 is formed of conductive material such as copper... <br> [0037] In block 204, conductive material such as copper is deposited in the via... | 对比文件[0035]和[0037]明确公开通孔由导电材料如铜（copper）形成，即金属填充型通孔。铜（Cu）是目标专利列举的金属之一。因此，技术特征L被对比文件直接公开。 |
| **M：所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。** <br> **《隐含公开》** | [0035] The frontside conductive trace 116 and other metal layers 120, 122 are surrounded by a frontside dielectric material 106 such as silicon dioxide. <br> [0037] In block 208, a dielectric film can be deposited along the surface of the substrate. The dielectric film can be silicon dioxide (SiO2 ), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiN), or other known dielectric material. | 对比文件[0035]和[0037]明确提到了介电材料可以是二氧化硅（SiO2）、氮氧化硅（SiON，可视为SiOxNy的一种）、氮化硅（SiN，可视为Si3N4）。虽然未提及Ta2O5、Al2O3或AlN，但这些都是本领域常用的电容器电介质材料。由于对比文件已经公开了使用介电材料（包括SiO2、SiON、SiN）的技术手段，且目标专利列举的材料属于公知的介电材料范畴，本领域技术人员在需要形成电容器电介质时，有能力从这些公知材料中选择。因此，可以认为技术特征M被对比文件隐含公开。 |
| **N：其特征在于，进一步包括所述通孔内的金属结构，所述金属结构包括聚合物核。** <br> **《隐含公开》** | [0040] There are several ways a through-glass via can be formed... For instance, alumina metal can be deposited to fill the via. The alumina metal process can be desirable due to lower costs. | 对比文件[0040]提到有多种形成通孔的方式，并举例了氧化铝金属填充工艺。虽然未明确描述“金属结构包括聚合物核”，但本领域技术人员知晓，为了节省成本、降低应力或与特定工艺兼容，通孔可以采用金属（如铜）包覆聚合物核（如光刻胶、聚酰亚胺等）的结构来填充。对比文件公开了通孔填充的多样性，暗示了除全金属填充外的其他可能性。结合本领域的公知常识，可以合理推断出通孔内可能包含聚合物核的金属结构。因此，技术特征N被对比文件隐含公开。 |
| **O：其特征在于，所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的面向电介质的表面的至少一部分上。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述电容器及其电介质和极板以垂直堆叠的方式位于通孔表面之上。 | 该特征描述了电容器组件（极板和电介质）在垂直方向上与通孔表面重叠的特定空间位置关系，这是实现电容器与通孔直接集成以减少串联电阻的关键（参见目标专利[0007], [0037]）。对比文件未公开任何电容器具有这种与通孔垂直对准的布局。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特征。因此，技术特征O未被公开。 |
| **P：其特征在于，所述电容器毗邻所述基板的第一表面，其中所述第一导电结构毗邻所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，并且其中穿过所述通孔延伸且与所述基板的第二表面正交的轴与所述电容器的所述极板、所述电容器的所述电介质、以及所述第一导电结构相交。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述电容器毗邻基板表面，且与通孔及背面导电结构具有所述正交轴相交关系。 | 该特征限定了电容器、通孔和背面导电结构之间精确的三维空间对齐关系，这是目标专利中集成结构的具体体现。对比文件未公开任何电容器具有这种特定的空间布局。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该特征。因此，技术特征P未被公开。 |
| **Q：其特征在于，所述通孔沿垂直于所述极板的表面的方向至少部分地延伸穿过所述基板，并且其中所述通孔的垂直于所述基板的所述表面的轴与所述极板的区域相交。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述通孔轴与电容器极板区域相交。 | 该特征进一步限定了通孔延伸方向与极板表面的垂直关系以及两者的区域相交，这是特征O所述垂直堆叠关系的另一种表述。由于对比文件未公开电容器极板与通孔的这种位置关系，因此本特征也无法得出。因此，技术特征Q未被公开。 |
| **R：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系。 | 该特征涉及通孔与电容器极板的相对尺寸设计，用于优化性能（如目标专利[0042]所述）。对比文件完全未涉及电容器极板，因此更无从比较其与通孔表面的尺寸。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。因此，技术特征R未被公开。 |
| **S：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系。 | 同特征R，对比文件未涉及电容器极板，无法得出尺寸相同的关系。因此，技术特征S未被公开。 |
| **T：其特征在于，所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述通孔表面与电容器极板表面的尺寸比较关系。 | 同特征R和S，对比文件未涉及电容器极板，无法得出尺寸大小的关系。因此，技术特征T未被公开。 |
| **U：其特征在于，所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述电容器具有两层电介质的结构。 | 该特征限定了电容器包含两层电介质的具体结构（参见目标专利图4和[0048]）。对比文件未公开任何电容器的具体分层结构，更未提及在通孔与主电介质之间还有第二电介质。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。因此，技术特征U未被公开。 |
| **V：其特征在于，所述第二通孔部分地延伸穿过所述基板，其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合，并且其中所述多通孔电感器包括所述通孔、所述第二通孔、以及至少部分地穿过所述基板延伸的第三通孔。** <br> **《隐含公开》** | [0043] ...the first through-via 306 is coupled to the second through-via 306... the third through the ninth through-vias 306... are coupled to one another... to form a single, continuous conductive path. | 对比文件[0043]描述的多通孔电感器（如图3的300）包含多个通孔（#1至#9）通过导电迹线连接。虽然未明确说明这些通孔是“部分地延伸”还是“完全延伸”，也未明确描述通孔在基板“内”直接“结合”（而非通过表面迹线连接），但本领域技术人员可以理解，为了形成连续的螺旋路径，这些通孔必然以某种方式在三维空间内连接构成一个整体电感器。权利要求V中“在基板内结合”可能被广义解释为在基板构成的整体空间内通过电路连接相结合。此外，包含三个或更多通孔是多通孔电感器的题中应有之义。因此，可以认为对比文件隐含公开了由多个通孔（包括可能被视为第二、第三通孔）构成多通孔电感器的特征。技术特征V被对比文件隐含公开。 |
| **W：其特征在于，所述通孔延伸穿过所述基板，并且其中所述电容器的所述极板的至少一部分和所述电容器的所述电介质的至少一部分垂直位于所述通孔的至少一部分上。** <br> **《未公开》** | 对比文件中未描述电容器及其组件垂直位于通孔之上。 | 该特征综合了通孔完全延伸以及电容器组件垂直位于通孔上（特征O的另一种表述）。对比文件虽然公开了通孔延伸穿过基板（如[0041]），但未公开电容器垂直位于其上的结构。因此，技术特征W未被公开。 |
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