对比文件名称：发明授权_US09171752B1 Product comprised of FinFET devices with single diffusion break isolation structures, and methods of making such a product
目标专利名称：采用邻近非对称有源栅极/伪栅极宽度布局的场效应晶体管(FET)器件
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本
## 特征比对表格 ##
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：衬底，包括具有顶表面的本体<br>**《直接公开》** | 第0030段：“...the product 100 is formed in and above a semiconductor substrate 102. ... In this illustrative embodiment, the substrate 102 has a bulk semiconducting material configuration. The substrate 102 may be made of silicon or it may be made of materials other than silicon.”<br>（译文：...产品100形成于半导体衬底102之中和之上。...在这个示例性实施例中，衬底102具有体半导体材料配置。衬底102可以由硅制成，或者可以由硅以外的材料制成。） | 对比文件明确公开了半导体衬底（substrate 102），并且描述了其材料配置。本领域技术人员能够毫无疑义地理解，衬底必然具有一个本体和顶表面，这是任何半导体器件的基础结构。该特征在对比文件中是FinFET器件制造的基本平台，与在目标专利中作为器件载体的作用相同。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| **技术特征B**：FET器件，包括：源极，设置在所述衬底中<br>**《隐含公开》** | 第0004段：“The portions of the fins 16 covered by the gate structure 18 are the channel regions of the FinFET device 10”。<br>第0031段：“...the view “X-X” is a cross-sectional view that is taken through the long axis of the fin 108C of the product 100 in a direction that corresponds to the current transport direction of the devices 100 when they are completed...”。<br>（译文：被栅极结构18覆盖的鳍16的部分是FinFET器件10的沟道区域。...视图“X-X”是沿着产品100的鳍108C的长轴截取的截面图，其方向对应于器件100完成时的电流传输方向...） | 对比文件明确公开了FinFET器件（例如器件10、产品100）。本领域技术人员公知，一个完整的、可操作的FET器件必然包括源极和漏极，电流在源极和漏极之间、通过栅极控制下的沟道区域传输。对比文件提及了“沟道区域”和“电流传输方向”，这必然隐含了作为电流端点的源极和漏极的存在。虽然对比文件没有明确描述源极的形成步骤，但根据FinFET器件的公知结构和制造常识，可以合理推断出源极是设置在衬底中的（例如通过外延生长和注入形成）。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：漏极，设置在所述衬底中<br>**《隐含公开》** | 同上。 | 基于与技术特征B相同的理由。对比文件公开了FinFET器件及其沟道和电流方向，必然隐含了漏极作为另一个电流端点的存在。本领域技术人员可以毫无疑义地推断出漏极也是设置在衬底中的。因此，技术特征C被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征D**：以及有源栅极，具有有源栅极宽度并且形成在所述源极与所述漏极之间<br>**《隐含公开》** | 第0004段：“...a gate structure 18... The portions of the fins 16 covered by the gate structure 18 are the channel regions of the FinFET device 10”。<br>第0039段：“...an illustrative and schematically depicted gate structure 140 is formed across the fins 108...”。<br>（译文：...栅极结构18...被栅极结构18覆盖的鳍16的部分是FinFET器件10的沟道区域。...示意性描绘的栅极结构140形成在鳍108之上...） | 对比文件多次提及并描绘了栅极结构（gate structure 18, 140）。该栅极结构覆盖鳍的部分被定义为沟道区域。本领域技术人员知道，在FinFET中，栅极结构用于控制源极和漏极之间沟道区域的导电性，因此它必然形成在源极和漏极之间。此外，任何物理结构的栅极必然具有一个宽度（即栅长）。因此，可以合理推断出对比文件中的栅极结构相当于目标专利中的“有源栅极”，并且具有宽度且位于源漏之间。因此，技术特征D被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E**：以及隔离结构，邻近所述FET器件设置在所述衬底中，所述隔离结构包括：扩散中断，邻近所述FET器件的所述源极和所述漏极中的一个设置在所述衬底中，其中所述源极和所述漏极中的邻近所述扩散中断的一个的深度大于所述源极和所述漏极中的不邻近所述扩散中断的一个的深度<br>**《未公开》** | 第0006段：“Such a configuration is sometimes referred to as a Single Diffusion Break (SDB), since the isolation material that will be formed where the portion of the middle fin is removed is the only means of preventing undesirable current flow between the two active fins that abut the SDB isolation structure.”<br>第0037段：“FIG. 2F depicts the product 100 after a thermal oxidation process is performed to grow an SDB isolation structure 130, e.g., silicon dioxide, in the cavities 108Y, 108Z.”<br>（译文：这种配置有时被称为单扩散中断（SDB），因为将在中间鳍被移除部分形成的隔离材料是防止与SDB隔离结构相邻的两个有源鳍之间发生不期望电流的唯一手段。...图2F描绘了产品100在进行热氧化工艺后在空腔108Y，108Z中生长SDB隔离结构130（例如二氧化硅）之后的状态。） | 对比文件确实公开了邻近FinFET器件（由鳍108C1和108C2构成）设置的隔离结构，即SDB隔离结构130，其包含隔离材料（如二氧化硅），这对应于“扩散中断”。然而，**对比文件完全没有公开或暗示“源极和漏极中的邻近所述扩散中断的一个的深度大于所述源极和漏极中的不邻近所述扩散中断的一个的深度”这一特征**。目标专利说明书[0027],[0046]明确指出，该深度差异是由于邻近扩散中断的漏极外延区域生长不均匀（顶表面不平坦）导致的，这是本专利要解决的一个关键问题及其技术方案的有机组成部分。对比文件全文未提及源极/漏极的深度，也未提及因邻近SDB而导致的外延生长不均匀问题及其对注入深度的影响。因此，技术特征E未被对比文件公开。 |
| **技术特征F**：以及伪栅极，具有伪栅极宽度并且邻近所述有源栅极形成在所述扩散中断上方，所述伪栅极宽度比所述有源栅极宽度小栅极宽度余裕。<br>**《未公开》** | 第0039段：“The gate structure 140 positioned above the SDB isolation structure 130 is a “dummy” gate structure relative to the portions of the fins 108C1, 108C2 (see view X-X) on opposite sides of the SDB isolation structure 130.”<br>（译文：位于SDB隔离结构130上方的栅极结构140是相对于SDB隔离结构130两侧的鳍108C1，108C2部分的“伪”栅极结构。） | 对比文件确实公开了在SDB隔离结构（扩散中断）上方形成了栅极结构，并且明确将其称为“dummy gate structure”（伪栅极结构）。然而，**对比文件完全没有公开或暗示该伪栅极的宽度（伪栅极宽度）与有源栅极的宽度（有源栅极宽度）存在差异，更未公开“伪栅极宽度比有源栅极宽度小栅极宽度余裕”这一非对称宽度布局关系**。目标专利说明书[0036],[0038]强调，伪栅极宽度W6小于有源栅极宽度W7是本发明的核心创新点，旨在增加栅极控制同时保持单元节距。对比文件的图2H（视图X-X和Z-Z）显示，所有栅极结构（包括在SDB上方的“dummy”栅极和在其他鳍上方的栅极）在宽度方向上看起来是一致的，没有显示宽度差异。因此，技术特征F未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：进一步包括：源极接触件，邻近所述有源栅极设置在所述源极上方<br>**《隐含公开》** | 第0039段：“At the point of fabrication depicted in FIG. 2H, the product may be completed by performing traditional manufacturing operations, e.g., formation of source/drain contacts, formation of metallization layers, etc.”<br>（译文：在图2H描绘的制造阶段，可以通过执行传统的制造操作来完成产品，例如，形成源极/漏极接触件，形成金属化层等。） | 对比文件明确提到在制造后期会形成“source/drain contacts”（源极/漏极接触件）。虽然对比文件没有描绘接触件的具体位置，但本领域技术人员根据公知常识可以毫无疑义地推断，源极接触件必然形成在源极区域上方以提供电连接，并且通常会邻近控制该源极的栅极（即有源栅极）设置。因此，技术特征G被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H**：以及漏极接触件，邻近所述有源栅极设置在所述漏极上方，其中与所述源极和所述漏极中的邻近所述扩散中断的一个相对应的所述源极接触件和所述漏极接触件中的一个设置在所述有源栅极与所述伪栅极之间，并且与所述有源栅极隔开第一距离并且与所述伪栅极隔开第二距离，所述第二距离与所述第一距离相差隔离余裕，其中所述隔离余裕为所述栅极宽度余裕的一半。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件完全没有描述源极/漏极接触件相对于有源栅极和伪栅极的具体位置、间隔距离以及这些距离之间的数学关系（隔离余裕为栅极宽度余裕的一半）。这一特征在目标专利说明书[0037]中用于详细定义非对称布局带来的间距变化，是对技术特征F（非对称宽度）的具体空间关系的进一步限定。由于技术特征F本身未被公开，且这一具体的距离关系在对比文件中没有任何依据，因此技术特征H未被对比文件公开。 |
| **技术特征I**：其中所述有源栅极宽度为十五(15)纳米(nm)<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何具体的栅极宽度数值。 |
| **技术特征J**：其中所述伪栅极宽度为十三(13)nm<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何具体的栅极宽度数值。 |
| **技术特征K**：以及其中所述隔离余裕为一(1)nm。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何与隔离余裕相关的数值。 |
| **技术特征L**：其中所述有源栅极宽度为十八(18)纳米(nm)<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何具体的栅极宽度数值。 |
| **技术特征M**：其中所述伪栅极宽度为十四(14)nm<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何具体的栅极宽度数值。 |
| **技术特征N**：以及其中所述隔离余裕为两(2)nm。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何与隔离余裕相关的数值。 |
| **技术特征O**：其中所述栅极宽度余裕为至少两(2)纳米(nm)。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 由于技术特征F（伪栅极宽度小于有源栅极宽度）未被公开，因此作为其量化限定的“栅极宽度余裕”自然也未被公开。对比文件未提及任何关于栅极宽度之间差值的概念或数值。 |
| **技术特征P**：其中所述有源栅极宽度为十五(15)nm<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征I。 |
| **技术特征Q**：以及其中所述伪栅极宽度为十三(13)nm。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征J。 |
| **技术特征R**：其中所述有源栅极宽度为十七(17)nm<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 对比文件未提及任何具体的栅极宽度数值。 |
| **技术特征S**：以及其中所述伪栅极宽度为十四(14)nm。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征M。 |
| **技术特征T**：其中所述栅极宽度余裕至少为四(4)纳米(nm)<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征O。 |
| **技术特征U**：以及其中所述有源栅极宽度为十八(18)nm。<br>**《未公开》** | 无相关描述。 | 同技术特征L。 |
| **技术特征V**：被集成到集成电路(IC)中。<br>**《直接公开》** | 标题：“Product comprised of FinFET devices with single diffusion break isolation structures, and methods of making such a product”。<br>第0030段：“FIGS. 2A-2H depict one illustrative example of an integrated circuit product 100 comprised of FinFET devices...”。<br>（译文：标题：“包含具有单扩散中断隔离结构的FinFET器件的产品及其制造方法”。图2A-2H描绘了包含FinFET器件的集成电路产品100的一个示例性例子...） | 对比文件的标题和正文明确将其描述的产品称为“integrated circuit product”（集成电路产品）。因此，技术特征V被对比文件直接公开。 |
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