**对比文件名称：** KR100946036B1_Description_20260304_2015
**目标专利名称：** 190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用模型名称：** DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板**<br>**《直接公开》** | 说明书中多次提及“반도체 기판 (半导体基板)”，例如：“드레인 셀렉트 트랜지스터(DST)들 사이의 층간 절연막(318) 내부에 드레인 셀렉트 트랜지스터(DST)의 드레인(312)과 접속되는 드레인 콘택 플러그(Drain Contact Plug, 332)가 형성된 반도체 기판(310)이 제공된다。” (参见说明书段落描述图3a的部分) | 对比文件公开了半导体器件制造方法，其基础结构就是半导体基板（如310）。基板是半导体器件中用于支撑和电隔离其他功能层的常见部件。本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B：以及布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，**<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及“螺旋电感器 (spiral inductor)”、“电感器 (inductor)”、“螺旋 (spiral/coil)”或“梯度层堆叠 (gradient layer stack)”。对比文件描述的是用于互连或栅电极的金属布线（“금속 배선”， 金属布线334），例如：“CVD 텅스텐막(332), PVD 텅스텐막(330), 비정질 금속 실리사이드층(328) 및 배리어 메탈막(324)을 순차적으로 식각하여 금속 배선(334)을 형성한다。” (参见说明书段落描述图3g的部分) | 目标专利的“螺旋电感器”是具有特定几何形状（螺旋）以存储磁能、提供电感的无源元件。对比文件中的“金属布线”是用于电连接的导电线路，其形状、功能和结构均与电感器不同。对比文件未公开任何形式的电感器，更未公开“梯度层堆叠电感器”这一特定类型。因此，该特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度**<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件讨论了不同材料层的厚度（例如，非晶WSix层80-150Å，PVD W膜50-100Å），但这些厚度是各材料层自身的垂直尺寸，并非针对“螺旋电感器的最内匝”的特定部分定义的。 | 该特征完全依赖于“螺旋电感器”及其“最内匝”的存在。由于对比文件未公开“螺旋电感器”，因此不可能公开其“最内匝”的任何部分及其厚度。该特征未被公开。 |
| **技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，**<br>**《未公开》** | 无相应内容。理由同特征C。 | 该特征同样依赖于“螺旋电感器”及其“最内匝”的存在。由于基础结构未公开，该特征也未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，**<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件中各材料层的厚度是独立设定的（如PVD W膜50-100Å，非晶WSix 80-150Å），但并未在同一个“匝”的不同“部分”之间建立厚度比较关系。 | 该特征定义了同一螺旋匝内不同部分之间的厚度关系。对比文件未公开具有“匝”和“部分”划分的结构，因此无法得出这样的厚度比较关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，**<br>**《未公开》** | 无相应内容。理由同特征C。 | 该特征同样依赖于“螺旋电感器”及其“最内匝”的存在。由于基础结构未公开，该特征也未被公开。 |
| **技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，**<br>**《未公开》** | 无相应内容。理由同特征E。 | 该特征定义了同一螺旋匝内不同部分之间更复杂的厚度关系。对比文件未公开相应的结构基础，因此无法得出这样的关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。**<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件未描述任何结构在平面延伸方向上的厚度梯度变化。其各层厚度在沉积后通常是均匀的。 | 该特征是目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心之一，要求厚度沿螺旋路径连续或梯度变化。对比文件完全没有公开任何关于结构厚度在平面内呈梯度变化的技术内容。该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。**<br>**《未公开》** | 对比文件公开了多层导电膜的堆叠，例如：배리어 메탈막(324)/비정질 금속 실리사이드층(328)/PVD 텅스텐막(330)/CVD 텅스텐막(332)。其中PVD 텅스텐막(330)和CVD 텅스텐막(332)可视为导电层。然而，这些层是图案化形成的金属布线，并非“螺旋”形状，也未构成一个覆盖另一个的“螺旋”结构。更未涉及“最内匝”、“最外匝”、“端部”等与螺旋几何相关的概念。 | 该特征详细限定了螺旋电感器中两个导电螺旋的复杂空间位置关系和覆盖关系，这是实现特定厚度梯度结构的具体手段。对比文件中的多层金属布线虽然也是堆叠结构，但其目的（降低互连电阻、增强粘附性）、形状（非螺旋）和部件间的几何关系（简单的垂直堆叠后整体图案化，而非在螺旋不同部分选择性存在）均与该特征不同。本领域技术人员无法从对比文件的金属布线中推理出这种复杂的螺旋电感器内部结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。**<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件未比较不同导电层的“长度”。 | 该特征限定了两个导电螺旋的长度关系。对比文件未公开“导电螺旋”，因此更无从比较其长度。该特征未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。**<br>**《未公开》** | 对比文件公开了在PVD 텅스텐막(330)和비정질 금속 실리사이드층(328)之间可能存在其他层（如배리어 메탈막 324），以及层间有绝缘层（층간 절연막 318）。但未公开在所述两个“导电螺旋”之间还有一个作为“导电层”的部件，且该部件在螺旋特定部分以特定方式存在。 | 该特征在技术特征I的基础上，进一步增加了位于两个螺旋之间的“导电层”，并定义了其在最内匝第二部分的存在形式。这是一个更加具体和复杂的多层螺旋结构。对比文件未公开任何类似结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。**<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件未提及任何“非连续螺旋”结构。 | 该特征限定了导电层的具体形态。对比文件完全没有公开相关内容。该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。**<br>**《未公开》** | 对比文件中的金属布线（334）可能起到电连接作用，类似于引线。但该特征明确限定的是“所述导电层”包括引线，而“所述导电层”是螺旋电感器内部的一个特定部件（见特征K）。对比文件未公开这样的部件及其属性。 | 该特征依附于特征K所定义的“导电层”。由于特征K未被公开，且对比文件中没有对应于该“导电层”的部件具有“输入/输出引线”的功能描述，该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。**<br>**《隐含公开》** | 对比文件公开了层间绝缘膜（“층간 절연막”， 层间绝缘膜318），例如：“반도체 기판(310)에는 ... 다수의 스트링 구조가 형성된다. 이어서, 소정의 공정을 통해 소오스 콘택 플러그(Source Contact Plug)를 형성하고 이들 상부에 층간 절연막(318)을 형성한다”。在半导体制造中，层间绝缘膜用于电隔离不同导电层，其作用与“钝化层”（起绝缘、保护作用）实质相同。 | 虽然对比文件未明确使用“钝化层（passivation layer）”一词，但其公开的“层间绝缘膜”是本领域公知的用于隔离和钝化作用的介电层。本领域技术人员在制造多层导电结构（即使不是螺旋电感器）时，能够毫无疑义地认识到需要在导电层之间设置绝缘层以防止短路，这是半导体工艺的常规技术手段。因此，对比文件隐含公开了在导电层之间设置具有钝化/绝缘功能的层这一技术特征。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。**<br>**《直接公开》** | 对比文件公开了接触插塞（“콘택 플러그”， 接触插塞322）用于连接下层（如드레인 312）和上层金属（배리어 메탈막 324），例如：“드레인 셀렉트 트랜지스터(DST)의 드레인(312)이 노출되도록 콘택홀(320)을 형성한다. 그런 다음, 콘택홀(320)을 포함하는 층간 절연막(318) 상에 폴리실리콘막(polysilicon layer)을 증착한 후 ... 평탄화하여 콘택홀(318)을 채우는 드레인 콘택 플러그(322)를 형성한다。” 通孔（Via）是连接不同金属层的垂直导电结构，接触插塞是其一种具体形式。 | 对比文件明确公开了在绝缘层（层间绝缘膜318）中形成孔（接触孔320）并填充导电材料（接触插塞322）以电连接上下导电层（드레인 312 和 배리어 메탈막 324）。虽然连接的具体对象不同，但“通过延伸穿过绝缘层/钝化层的通孔电连接两个导电层”这一技术手段被直接公开。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。**<br>**《未公开》** | 无相应内容。对比文件未描述任何结构在平面特定路径上的厚度单调变化。 | 该特征重申了厚度在螺旋最内匝上的变化趋势。如前述特征C、D、E、H所分析，对比文件未公开“螺旋电感器的最内匝”，也未公开其厚度在平面方向上的梯度变化。因此，该特征未被公开。 |
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