**对比文件名称**：US2013057343A1_Description_20260219_0617
**目标专利名称**：具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | [0055]段：“Circuit elements constructing each of function blocks of the embodiments are, although not limited, formed on a semiconductor substrate made of single crystal silicon or the like by the known integrated circuit technology...” | 对比文件明确记载了电路元件（包括变压器/电感器）形成在半导体衬底（semiconductor substrate）上。基板是支撑电子器件的载体，在对比文件中起到承载和形成变压器/电感器等电路元件的作用，与目标专利中基板作为螺旋电感器支撑结构的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：以及 布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，<br>《未公开》 | [0074]段：“FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a high-frequency power amplifying device... has two differential amplifiers AD 101 and AD 102 and a transformer TR 101 having two primary coils and one secondary coil.” 以及图11、21、29等布局图显示了螺旋形状的线圈。 | 对比文件公开了布置在基板（半导体芯片）上的变压器，其初级和次级线圈在布局图中呈现为平面螺旋形状（例如图11的LD111, LD112, LD121等）。然而，对比文件始终将线圈作为变压器的组成部分进行描述，其作用是实现磁耦合和阻抗变换。对比文件完全没有提及“梯度层堆叠电感器”这一概念，也未描述螺旋电感器的厚度在垂直方向上沿径向（从最内匝到最外匝）呈梯度变化的结构。因此，该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件仅描述了线圈的平面布局（如匝数、形状、尺寸），并未提及线圈在垂直于基板方向上的厚度，更未区分最内匝的不同部分并赋予其特定的垂直厚度。该特征未被公开。 |
| **技术特征D**：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 同上，对比文件未描述最内匝不同部分具有不同的垂直厚度。该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 由于技术特征C和D未被公开，它们之间的厚度大小关系自然也未被公开。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件未描述最内匝存在具有特定垂直厚度的第三部分。该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 由于技术特征C、D、F未被公开，它们之间的厚度比较关系也未被公开。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 这是目标专利的核心发明点之一，即螺旋电感器的垂直厚度沿最内匝呈梯度（连续或阶梯式）增大。对比文件完全未涉及线圈厚度梯度变化的概念、结构或效果。该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 这是实现梯度厚度的一种具体层堆叠结构。对比文件虽然可能通过多层金属互连工艺制造螺旋线圈，但从未描述这种一个导电螺旋覆盖另一个导电螺旋，并且通过在不同径向位置选择性地暴露不同层数来构成最内匝不同部分的特定三维堆叠构型。其线圈结构是常规的平面螺旋电感，未公开此特征。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件未描述构成螺旋电感器的两个导电螺旋具有不同的长度。该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件未描述在导电螺旋之间还存在作为螺旋电感器一部分的导电层，且该导电层以特定方式参与构成最内匝的第二部分。该特征未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件未提及任何导电层具有非连续螺旋的形状。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件未提及导电层包含输入或输出引线。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。<br>《隐含公开》 | [0055]段：“Circuit elements constructing each of function blocks of the embodiments are, although not limited, formed on a semiconductor substrate made of single crystal silicon or the like by the known integrated circuit technology of the CMOS...” | 对比文件明确指出其实施例中的电路元件采用CMOS等已知集成电路技术制造。在本领域技术人员的普遍知识中，采用集成电路技术制造多层金属结构（如螺旋电感器）时，为了电学隔离，在不同金属层之间必然需要设置绝缘层（即钝化层或介电层）。虽然对比文件未明确文字记载螺旋电感器层间的钝化层，但根据其公开的制造技术（CMOS工艺）和形成在半导体衬底上的线圈这一事实，本领域技术人员能够毫无疑义地、必然地推断出各导电层之间存在绝缘/钝化层。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 对比文件未描述螺旋电感器内部的不同导电螺旋之间需要通过通孔进行电连接。其变压器线圈的连接通常通过平面布线实现，或者线圈自身是单层结构。该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。<br>《未公开》 | 无相应记载。 | 该特征是对厚度梯度变化的另一种表述。同技术特征H，对比文件未涉及螺旋电感器厚度单调递增的任何内容。该特征未被公开。 |
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