对比文件名称：US2014266494A1_Description_20260219_0635
目标专利名称：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
模型名称：DeepSeek-R1
作为资深专利代理师，我将严格遵循评估要求，基于目标专利说明书和对比文件内容进行特征比对和公开性判断。
**特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括：基板** <br>《直接公开》 | 第[0035]段：“FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a structure 100 that includes a replica circuit 101 fabricated side-by-side with a transformer 102 above a **dielectric substrate 103** (e.g., a glass-type material, such as a passive-on-glass (POG) substrate).” <br> 第[0044]段：“The structure 400 may include a dielectric material as a **substrate 403**.” | 对比文件明确公开了“介电基板103”和“基板403”，其作用是为电路（复制电路和变压器）提供支撑。这与目标专利中作为螺旋电感器载体的“基板”（例如图1的基板102）所起的作用相同，均是作为其上电子元器件的支撑结构。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”。 |
| **技术特征B：以及 布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器，** <br>《未公开》 | 第[0035]段：“…transformer 102 is a vertical-coupling hybrid transformer (VHT). When the transformer 102 is a VHT, the transformer 102 may include a **first inductor structure (e.g., a first inductor 109)** disposed above the surface of a dielectric substrate …, a **second inductor structure (e.g., a second inductor 110)** disposed above the dielectric structure and the first inductor structure, and a **dielectric layer (e.g., dielectric layer 111)** disposed between the first inductor structure and the second inductor structure.” <br> 第[0064]段：“In a particular embodiment, an **array of spiral inductors** is formed.” | 1. **关于“螺旋电感器”**：对比文件第[0064]段公开了可以形成“螺旋电感器阵列”，图9-11等也公开了电感器（905, 1102），可以合理推断这些电感器可以是螺旋形状。因此，对比文件隐含公开了“螺旋电感器”布置在基板上。<br>2. **关于“梯度层堆叠电感器”**：这是目标专利的核心。根据说明书[0025]-[0037]段，特别是图2和[0036]段，“梯度层堆叠电感器”特指电感器在垂直于基板方向上的厚度从最内匝的一个点到另一个点**连续、成比例地变化（梯度）**，例如图2的导电层208沿部分222的厚度从点214到点212梯度增大。对比文件公开的变压器（如VHT）由上下堆叠的第一电感结构（109/905）和第二电感结构（110/1102）构成，中间有介电层（111/1002）或空气隙（1601）。然而，对比文件完全没有提及这些电感结构**自身的厚度**会沿着其螺旋路径（如最内匝）发生**梯度变化**。其公开的是一种“垂直耦合”的层叠结构，而非目标专利所定义的、厚度呈梯度变化的“梯度层堆叠”结构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“螺旋电感器是梯度层堆叠电感器”这一整体技术特征。 |
| **技术特征C：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了梯度层堆叠电感器最内匝上存在一个具有特定厚度（第一厚度）的部分。如上述对特征B的论述，对比文件未公开电感器厚度沿其路径变化，因此也未公开其最内匝上存在具有特定“第一厚度”的“第一部分”。该特征未被公开。 |
| **技术特征D：，所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度，** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了同一最内匝上还存在一个具有不同厚度（第二厚度）的第二部分。对比文件未公开电感器厚度沿其路径变化，因此也未公开其最内匝上存在具有特定“第二厚度”的“第二部分”。该特征未被公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二厚度大于所述第一厚度，** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了最内匝上第二部分厚度大于第一部分厚度，这是梯度变化的具体表现。对比文件未公开电感器厚度变化，因此也未公开这种厚度大小关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征F：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度，** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征进一步限定了最内匝上存在第三部分及其厚度。对比文件未公开电感器厚度变化，因此也未公开该特征。该特征未被公开。 |
| **技术特征G：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度，** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了最内匝上第三部分厚度最大，进一步定义了梯度。对比文件未公开电感器厚度变化及比较关系，因此也未公开该特征。该特征未被公开。 |
| **技术特征H：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对“梯度层堆叠电感器”核心定义的进一步明确，即厚度沿着最内匝从第一部分到第三部分按照梯度（连续、成比例地）增大。这是目标专利图2实施例的关键。对比文件完全没有公开电感器厚度具有此类梯度变化。该特征未被公开。 |
| **技术特征I：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。** <br>《未公开》 | 第[0035]段：“… a **first inductor structure (e.g., a first inductor 109)** disposed above the surface … a **second inductor structure (e.g., a second inductor 110)** disposed above the dielectric structure and **the first inductor structure** …” <br> 第[009]，[011]段：描述了形成第一电感器（905）和第二电感器（1102）。 | 1. **关于“包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中第一导电螺旋覆盖第二导电螺旋”**：对比文件公开了第二电感结构（110/1102）布置在第一电感结构（109/905）之上，即第二电感结构覆盖第一电感结构。若将电感结构视为由导电螺旋构成，则可以认为对比文件隐含公开了“第一导电螺旋和第二导电螺旋，且第二覆盖第一”（注意覆盖关系与目标专利“第一覆盖第二”相反，但属于上下层叠的布置）。<br>2. **关于技术特征I的其余限定（涉及最内匝各部分具体包含哪些导电螺旋的端部或部分）**：这些限定极度具体且紧密依赖于“梯度层堆叠”结构。它们描述了在梯度层堆叠中，由于各导电螺旋长度不同，导致在最内匝的不同厚度部分（第一、三部分）以及最外匝部分，所包含的导电螺旋成分不同。对比文件完全没有公开这种因厚度梯度变化而导致的不同导电螺旋在不同位置的出现与否的具体配置。因此，技术特征I作为一个整体，其具体结构限定未被对比文件公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了两个导电螺旋的长度关系。对比文件虽然公开了两个电感结构上下堆叠，但并未描述或暗示这两个电感结构（或构成它们的螺旋）具有不同的长度。图9和图11显示的电感器（905, 1102）在俯视投影上形状和尺寸可能相似。因此，该具体长度关系未被公开。 |
| **技术特征K：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。** <br>《未公开》 | 第[0035]段：“… a **dielectric layer (e.g., dielectric layer 111)** disposed between the first inductor structure and the second inductor structure.” <br> 第[0100]段：“A **dielectric layer 1002** may be formed between lower inductors in a vertical-coupling hybrid transformer (VHT) and subsequently formed upper inductors in a VHT.” | 1. **关于“在第二与第一导电螺旋之间的导电层”**：对比文件公开了在第一和第二电感结构之间的“介电层”（111/1002），其作用是绝缘和提供耦合间距。目标专利中的“导电层”（如图1的108）是导电的，用于构成电感器导电通路的一部分并改变厚度。两者材料（绝缘vs导电）和作用（绝缘/间距vs导电/增厚）完全不同。因此，对比文件未公开“导电层”。<br>2. 由于“导电层”未被公开，且该特征其余部分（关于第二部分的具体构成）同样紧密依赖于梯度层堆叠结构，因此技术特征K作为一个整体未被公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对导电层形状的进一步限定。如特征K所述，对比文件未公开“导电层”，因此自然也未公开其形状为“非连续螺旋”。该特征未被公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对导电层可能包含引线的限定。如特征K所述，对比文件未公开“导电层”，因此自然也未公开其包含引线。该特征未被公开。 |
| **技术特征N：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。** <br>《隐含公开》 | 第[0100]段：“A **dielectric layer 1002** may be formed between lower inductors … and … upper inductors …” <br> 第[0058]段：“… a **dielectric layer 801** is formed … to electrically insulate the TFT … and metal connectors from other circuitry or devices.” | 对比文件多次提及在第一电感器（下层）和第二电感器（上层）之间形成“介电层”（1002）。在半导体制造领域，“介电层”通常包含具有钝化、绝缘功能的材料层（如SiO2、Si3N4、聚合物等），其作用包括电气绝缘和物理保护。目标专利中的“钝化层”（如图1的112, 114）也起绝缘作用。虽然“钝化层”一词更强调保护功能，但本领域技术人员能够理解，对比文件中设置于两层电感结构之间的“介电层”必然包含绝缘功能，其与“钝化层”在所处位置和所起的绝缘作用上是相同的。因此，可以认为对比文件隐含公开了“形成在第二导电螺旋与第一导电螺旋之间的（介电/钝化）层”。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。** <br>《隐含公开》 | 第[0052]段：“An anisotropic etch process may be used to create **vias (or recesses) 802** in the dielectric layer 801. The vias … may be used to form … gate electrodes, source electrodes, or drain electrodes.” <br> 第[009]段：描述了通过沉积导电层901形成第一电感器905等，该导电层填充了之前形成的通孔802。 | 对比文件公开了在介电层（801）中形成通孔（802），随后沉积导电材料（901）以形成包括第一电感器（905）在内的结构，这意味着导电材料填充通孔以实现上下层之间的电连接。虽然图示未明确显示第二电感器（1102）通过通孔连接至第一电感器（905），但在变压器（尤其是VHT）的制造中，为了形成完整的线圈和实现所需的电性能（如抽头、连接），使用通孔连接不同金属层（包括电感层）是本领域的常规技术手段。结合对比文件公开了通孔工艺和上下层电感结构，本领域技术人员完全有可能通过推理，认为为了电连接上下层电感结构（对应于第二和第一导电螺旋），需要利用延伸穿过其间介电层（对应于钝化层）的通孔。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。** <br>《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征是对最内匝厚度变化趋势的进一步限定（单调递增）。这是“梯度增大”的必然结果和另一种表述。如对特征B、H的论述，对比文件未公开电感器厚度沿其路径（如最内匝）发生变化，因此也未公开这种单调递增关系。该特征未被公开。 |
**结论**
根据上述比对分析，对比文件US2014266494A1仅直接公开了技术特征A（基板），隐含公开了技术特征N（钝化层）和技术特征O（通孔电连接）。目标专利的核心发明点——具有特定厚度梯度变化的“梯度层堆叠螺旋电感器”及其相关的具体结构特征（B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, P），均未被对比文件公开或隐含公开。
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