**对比文件名称**：US9001031B2_Description_20260219_0556
**目标专利名称**：190具有变化厚度的电感器CN105493208B
**本次调用模型名称**：深度专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括基板。《直接公开》 | [0044] “The substrate 120 can include a semiconductor or insulating material. For example, the substrate 120 can include silicon (Si), silicon-on-insulator (SOI), germanium (Ge), silicon germanium (SiGe), gallium arsenide (GaAs), gallium arsenide phosphide (GaAsP), indium phosphide (InP), gallium aluminum arsenic (GaAlAs), indium gallium phosphide (InGaP), silicon carbide (SiC), SiO2, glass, and quartz substrate.” | 对比文件明确描述了基板（substrate）的存在及其材料构成（如硅、玻璃等），这是无源器件（包括电感器）的承载基础。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：布置在所述基板上的螺旋电感器，所述螺旋电感器是梯度层堆叠电感器。《未公开》 | [0040] “FIG. 1A shows an example of a top view of a simple geometric passive device with a via according to some implementations. As illustrated in the example in FIG. 1A, the simple geometric passive device 100 can be a spiral inductor.” | 对比文件公开了“螺旋电感器”（spiral inductor）布置在基板上（如[0044]所述）。然而，目标专利权利要求明确限定该螺旋电感器是“梯度层堆叠电感器”。根据目标专利说明书[0025]-[0036]段，梯度层堆叠电感器的核心特征是其厚度在垂直于基板的方向上，沿最内匝从一点到另一点按梯度（斜坡）方式增大（例如图2及对应描述）。对比文件全文未提及电感器的厚度具有“梯度变化”或“梯度层堆叠”结构。其描述的螺旋电感器（如图1A，图2A）是简单几何形状，未公开其厚度沿螺旋路径变化，更没有公开按梯度方式增厚的具体结构。因此，该特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中所述螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于所述基板的方向上的第一厚度。《未公开》 | 无对应内容。 | 目标专利中“最内匝的第一部分具有第一厚度”是该梯度层堆叠电感器的具体结构特征，用于实现厚度变化。对比文件虽然公开了导电迹线（trace）具有一定的厚度（例如[0042]提到厚度≤1μm，[0047]提到厚度>1μm），但并未将导电迹线的厚度特征与螺旋电感器的“最内匝”及其“第一部分”相关联，也未描述最内匝的不同部分具有不同厚度。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该具体技术特征。 |
| **技术特征D**：所述最内匝的第二部分具有在垂直于所述基板的方向上的第二厚度。《未公开》 | 无对应内容。 | 同理，对比文件未描述螺旋电感器最内匝被划分为不同部分并各自具有厚度特征。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第二厚度大于所述第一厚度。《未公开》 | 无对应内容。 | 由于对比文件未公开最内匝的第一部分和第二部分及其各自的厚度，因此更未公开这两个厚度之间的大小关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征F**：所述螺旋电感器的所述最内匝的第三部分具有在垂直于所述基板的方向上的第三厚度。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未划分最内匝的“第三部分”并赋予其厚度特征。该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度。《未公开》 | 无对应内容。 | 由于对比文件未公开最内匝的第一、第二、第三部分及其各自的厚度，因此无法得出这些厚度之间的大小关系。该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：并且所述螺旋电感器在垂直于所述基板的方向上的厚度根据所述最内匝中从所述第一厚度到所述第三厚度的梯度而增大。《未公开》 | 无对应内容。 | 这是目标专利“梯度层堆叠电感器”的核心定义性特征，即厚度沿最内匝按梯度（连续或渐进）方式增大。对比文件完全没有提及任何关于电感器厚度沿其螺旋路径“梯度增大”的技术内容。其关注点在于通孔设计、厚金属层以提高Q值，而非通过厚度梯度变化来优化性能。因此，该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于：所述螺旋电感器包括第一导电螺旋和第二导电螺旋，其中所述第一导电螺旋覆盖所述第二导电螺旋，所述最内匝的所述第一部分包括所述第二导电螺旋的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋，所述最内匝的所述第三部分包括所述第一导电螺旋的第一端部和所述第二导电螺旋的一部分，并且所述导电螺旋的最外匝的一部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述第一导电螺旋的一部分。《未公开》 | [0032] “The integrated passive device can include a substrate, a first conductive trace over the substrate, and a second conductive trace over the first conductive trace.” <br> [0040] “...the simple geometric passive device 100 can be a spiral inductor.” <br> [0052] “...the top conductive trace 440 can be over the bottom conductive trace 430.” | 对比文件公开了无源器件（可以是螺旋电感器）包括在基板上的第一导电迹线（first conductive trace）和在其上的第二导电迹线（second conductive trace），即第二导电迹线位于第一导电迹线之上，这可以理解为“覆盖”关系。然而，目标专利的特征I是高度具体化的结构限定，它精确规定了第一、第二导电螺旋在最内匝的特定部分（第一部分、第三部分）以及最外匝的一部分中的包含关系。对比文件仅一般性地描述了存在上下堆叠的导电迹线，并未公开这些迹线在螺旋电感器“最内匝”的“第一部分”、“第三部分”以及“最外匝的一部分”中的具体分布和构成关系，特别是“第一部分仅包括第二导电螺旋”、“第三部分包括两者”等具体组合方式。本领域技术人员无法从对比文件的一般性堆叠描述中，合理且毫无疑义地推导出目标专利权利要求中如此具体限定的层叠结构。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述第二导电螺旋的第一长度大于所述第一导电螺旋的第二长度。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件虽然描述了第一和第二导电迹线，但并未比较或公开它们的具体长度，也未将长度差异与螺旋电感器的特定部分（如最内匝、最外匝）相关联。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述螺旋电感器进一步包括在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的导电层，其中所述最内匝的所述第二部分包括所述第二导电螺旋的一部分和所述导电层的第一端部且不覆盖所述第一导电螺旋。《未公开》 | [0043] “An interlayer dielectric 150 can be formed over and between the conductive traces 130 and 140. The interlayer dielectric 150 can electrically insulate the conductive traces 130 and 140.” | 对比文件公开了在导电迹线之间设置有“层间电介质”（interlayer dielectric），其作用是电绝缘（electrically insulate）。而目标专利的特征K明确限定的是“导电层”（conductive layer），其是导电的，并构成螺旋电感器的一部分。两者在材料和功能上存在本质区别：一个是绝缘体，一个是导体。因此，对比文件未公开“导电层”，更未公开该导电层与最内匝第二部分的具体构成关系。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述导电层包括非连续螺旋。《未公开》 | 无对应内容。 | 由于对比文件未公开“导电层”，因此自然也未公开该导电层是否为“非连续螺旋”。该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其特征在于，所述导电层包括输入引线、输出引线、或其组合。《未公开》 | 无对应内容。 | 同理，对比文件未公开“导电层”，因此未公开导电层是否包含引线。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其特征在于，进一步包括形成在所述第二导电螺旋与所述第一导电螺旋之间的钝化层。《隐含公开》 | [0043] “An interlayer dielectric 150 can be formed over and between the conductive traces 130 and 140. The interlayer dielectric 150 can electrically insulate the conductive traces 130 and 140.” <br> [0050] “An interlayer dielectric 350 can be formed over and between the conductive traces 330 and 340. The interlayer dielectric 350 can electrically insulate the conductive traces 330 and 340.” <br> [0057] “An interlayer dielectric 450 can be over the top conductive trace 440 and the bottom conductive trace 430. ... the interlayer dielectric 450 can be a polymeric insulator, including but not limited to polyimide, BCB...” | 对比文件多次描述了在上下导电迹线（对应目标专利的导电螺旋）之间形成“层间电介质”（interlayer dielectric），其功能是电绝缘。在半导体和无源器件制造领域，“层间电介质”通常由绝缘材料（如聚酰亚胺、SiO2等）构成，其作用包括物理隔离和电学绝缘，这与目标专利中“钝化层”（passivation layer）在位置（位于导电层之间）和功能（提供绝缘和/或保护）上实质相同。虽然术语不同，但本领域技术人员阅读对比文件后，能够理解其中设置在导电迹线之间的绝缘层，其作用就是实现电学隔离和钝化保护，从而可以合理推断出该层即为“钝化层”或至少起到了钝化层的作用。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征O**：其特征在于，所述第二导电螺旋通过延伸穿过所述钝化层的一部分的通孔电连接至所述第一导电螺旋。《直接公开》 | [0032] “One or more vias can be formed in the interlayer dielectric to provide electrical connection between the first and the second conductive trace.” <br> [0040] “The passive device 100 can have a via 110 at a terminal end of the spiral inductor. The via 110 provides electrical connection between a top conductive trace 140 and a bottom conductive trace 130.” <br> [0065] “Hence, the top conductive trace 440 can be fully connected and in direct electrical contact with the bottom conductive trace 430...” | 对比文件明确且反复公开了通过“通孔”（via）形成在层间电介质（即隐含公开的钝化层）中，以提供第一（底部）导电迹线与第二（顶部）导电迹线之间的电连接。例如，[0032]概述了通孔在层间电介质中提供电连接；[0040]结合图1A描述了螺旋电感器中通孔连接顶部和底部导电迹线；[0065]进一步说明了顶部导电迹线通过通孔与底部导电迹线直接电接触。这直接公开了“第二导电螺旋通过延伸穿过钝化层的一部分的通孔电连接至第一导电螺旋”这一技术特征。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述最内匝在垂直于所述基板的方向上的厚度从所述最内匝的所述第一部分到所述最内匝的所述第二部分单调递增。《未公开》 | 无对应内容。 | 该特征是对“梯度层堆叠”效果的具体描述，即最内匝厚度从第一部分到第二部分单调递增。如前所述，对比文件未公开最内匝的划分，也未公开其厚度沿螺旋路径的变化，更未公开“单调递增”的厚度变化方式。因此，该特征未被公开。 |
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