对比文件名称：2011-06-07_US7955641B_发明授权_US07955641B2 Method of making a piezoelectric device
目标专利名称：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
本次调用模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。《隐含公开》 | [0024] “In the case where the longitudinal wave pulses are ultra-sonic, the device may be used in a fingerprint scanner.” | 对比文件公开了其制造的压电器件可用于超声波指纹扫描仪（参见[0024]），这意味着该器件能够接收/检测超声波能量（即作为超声波接收器功能的一部分）。虽然对比文件未明确描述一个集成了像素阵列的完整“超声波接收器”结构，但其披露的压电器件（由电极和压电层构成）是本领域技术人员公知的、能够实现超声波能量检测的核心传感元件。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的“用于超声波指纹扫描的器件”这一用途，毫无疑义地推知该器件必然具备检测在其表面接收的超声波能量的功能。特征A被隐含公开。 |
| B：所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件通篇未提及“像素电路阵列”或任何类似结构。其描述的器件是简单的双层电极夹压电层的结构（参见图1及[0013]），并未涉及任何由TFT等有源元件构成的像素化、可寻址的传感器阵列。该特征是目标专利超声波接收器实现图像传感的关键结构，对比文件完全没有公开。 |
| C：其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。《未公开》 | [0013] “To the first electrode 16 may be applied 103 a layer of coating material, which may be formed 100 from a carrier material, such as a liquid, and a piezoelectric-precursor material.” | 对比文件公开了将含有压电前体（如聚合物）的涂层材料施加（例如通过喷墨打印、笔、丝网印刷）到第一电极上（参见[0013]）。然而，对比文件中的涂布对象是简单的“第一电极16”，而目标专利的涂布对象是“像素电路的阵列的第一侧”。由于对比文件未公开“像素电路的阵列”（特征B），因此其不可能公开将聚合物溶液涂布到该特定结构上的制造步骤。特征C未被公开。 |
| D：所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件完全没有提及“薄膜晶体管(TFT)元件”或“像素输入电极”。其器件结构仅包含基底、第一电极、压电材料和第二电极（参见图1及[0013]），不包含任何有源像素电路。特征D未被公开。 |
| E：使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。《直接公开》 | [0021] “Once the electrodes 16, 22 and precursor material are in place, they may be heated to a temperature above the Curie temperature of the precursor material, but below the melting point of the precursor material, to allow for crystal growth. For example, ... given approximately three hours at 135 C., PVDF-TrFE will form crystals having a single electrostatic domain...” | 对比文件明确公开了将前体材料（例如聚合物PVDF-TrFE）加热到其居里温度以上、熔点以下的温度（如135°C），并保持一段时间（如3小时），以形成晶体（参见[0021]）。该过程即“使聚合物结晶以形成结晶聚合物层”。特征E被直接公开。 |
| F：执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。《未公开》 | [0021] “... the crystals may be similarly oriented by applying 115 a voltage across the precursor material. Such ‘polling’ of the crystals may be accomplished at a temperature that is above the Curie temperature...” [0022] “Applying 115 the voltage in order to orient the crystals... can also be done by applying a corona field.” | 对比文件明确公开了通过施加电压或建立电晕场对形成的晶体进行“极化(poling)”，以使其取向，从而形成压电材料（参见[0021], [0022]），这对应于“执行成极工艺，其包含跨越结晶聚合物层施加电场以形成压电层”。然而，目标专利的成极工艺旨在使最终形成的压电层“与所述像素输入电极电接触”。由于对比文件未公开“像素输入电极”（特征D），因此其不可能公开压电层与像素输入电极之间的这种特定电接触关系。特征F未被完整公开。 |
| G：以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。《未公开》 | [0013] “A second electrode 22 may be applied.” [0023] “... the second electrode may be formed on the piezoelectric material.” | 对比文件公开了在压电材料上形成第二电极22（参见[0013], [0023]）。然而，目标专利的“接收器偏置电极”在超声波接收器中具有特定功能：“经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件”（参见目标专利[0037]）。对比文件的第二电极仅作为压电器件的一个普通电极，用于施加极化电压或收集电荷，其说明书及附图均未揭示该电极具有“控制信号传递至TFT”这一特定功能，因为对比文件中根本不存在TFT元件。因此，尽管结构上都是电极，但功能和作用不同。特征G未被公开。 |
| H：其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。《未公开》 | 无相应内容。 | 由于对比文件未公开“像素输入电极”（特征D），因此自然未公开其由导电薄膜形成这一具体构成。特征H未被公开。 |
| I：其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。《隐含公开》 | [0018] “For example, an adhesion promoting agent, such as acrylic resin, phenolic resin or other agents, may be added to the coating material in order to promote adhesion to one or both of the electrodes 16, 22.” | 对比文件公开了在涂层材料中添加“粘合促进剂(adhesion promoting agent)”，例如丙烯酸树脂、酚醛树脂等，以促进涂层与电极的粘附（参见[0018]）。虽然对比文件是将助粘剂作为添加剂混合在涂层材料中，而目标专利可能是先单独涂布助粘剂层，但两者的根本目的都是为了改善聚合物层与下方基底的粘附性。本领域技术人员知晓，为了增强粘附，既可以将助粘剂作为添加剂加入溶液，也可以预先在基底上涂布一层助粘剂层。因此，从对比文件公开的“在涂层材料中加入助粘剂”这一教导，可以合理推知在涂布聚合物溶液之前或之中使用助粘剂的技术手段。特征I被隐含公开。 |
| J：其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。《未公开》 | [0013] “The coating material may be applied 103 using an ink-jet printer, pen, or silk-screening devices.” | 对比文件公开了使用喷墨打印机(ink-jet printer)、笔(pen)或丝网印刷(silk-screening)设备来施加涂层材料（参见[0013]）。喷墨打印可对应于“喷射”，丝网印刷在原理上类似于“槽缝式涂布”。然而，目标专利明确列举的“旋涂”和“浸渍”这两种具体涂布方式并未在对比文件中提及。虽然本领域技术人员知道这些是常见涂布方法，但对比文件文本本身并未提供足以毫无疑义地得出或合理推断出使用“旋涂”或“浸渍”方式的明确教导或启示。特征J未被公开。 |
| K：其中所述聚合物包含铁电聚合物。《直接公开》 | [0013] “The piezoelectric-precursor material, may be a polymer material such as PVDF (polyvinylidene fluoride), a co-polymer material such as PVDF-TrFE (polyvinylidene fluoride trifluoroethylene)...” | 对比文件明确列举了压电前体材料可以是聚合物材料，例如PVDF或其共聚物PVDF-TrFE（参见[0013]）。PVDF及其共聚物是公知的铁电聚合物。特征K被直接公开。 |
| L：其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。《直接公开》 | [0021] “...they may be heated to a temperature above the Curie temperature of the precursor material, but below the melting point of the precursor material, to allow for crystal growth. For example, ... given approximately three hours at 135 C., PVDF-TrFE will form crystals...” | 对比文件明确教导了将前体材料（如PVDF-TrFE）加热到其居里温度以上、熔点以下的温度（例如135°C）进行结晶，并给出了具体的保持时间（例如3小时）（参见[0021]）。这完全公开了目标专利的特征L。特征L被直接公开。 |
| M：其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件在描述极化工艺时，未提及任何在极化前施加导电材料以将电路端子短路到接地的步骤。其极化过程是直接对电极施加电压或使用电晕场（参见[0021], [0022]）。特征M未被公开。 |
| N：其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。《未公开》 | 无相应内容。 | 由于对比文件未公开特征M（施加导电材料短路端子），因此自然也未公开该导电材料的具体类型（导电橡胶或导电墨水）。特征N未被公开。 |
| O：其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件在描述第二电极22时，仅提及导电材料如银、镍、石墨、碳或金（参见[0013], [0016]），并未公开该电极由特定的铜和镍子层构成。特征O未被公开。 |
| P：其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件完全没有提及电极的任何具体厚度数值。特征P未被公开。 |
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