**对比文件名称**：2017-01-11_JP6057550B_发明专利_JP6057550B2 管理装置
**目标专利名称**：具有涂布的压电层的超声波接收器CN105264545B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：《未公开》<br>超声波接收器，用于检测在所述超声波接收器的第一表面处接收到的超声波能量。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件JP6057550B2涉及一种用于游戏厅的呼叫管理系统，其主题是管理游戏机、呼叫灯等设备并呼叫工作人员的装置、系统及方法。说明书中描述的全部内容，包括“管理装置”、“遊技機”、“呼出ランプ”、“携帯端末”等，均属于电子设备管理与通信技术领域，与**超声波能量检测**或**超声波接收器**完全无关。本领域技术人员阅读对比文件后，无法直接得出或通过任何合理推理得出其公开了用于检测超声波能量的接收器。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征B**：《未公开》<br>所述超声波接收器包含安置在衬底上的像素电路的阵列。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件描述的游戏厅管理系统中包含的装置有：管理装置200、岛单元202、台单元204、游戏机10、呼叫灯14、沙盒18、卡单元20、计数机30、奖品POS40、收发机50、便携终端100等。这些装置的功能涉及游戏状态管理、呼叫信号处理、无线通信等，没有任何一个装置被描述为包含“安置在衬底上的像素电路的阵列”。像素电路阵列是图像传感器（如目标专利中的超声波传感器）的核心结构，与对比文件中的任何设备在功能、结构和作用上均无任何关联或相似性。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：《未公开》<br>其中通过如下操作制造所述超声波接收器：将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件通篇描述的是游戏厅内各种设备的通信、控制和管理方法（例如接收通知信号、发送呼叫信号），没有任何内容涉及设备的**制造工艺**，特别是**将含有聚合物的溶液涂布到电路阵列上**这种具体的材料沉积和成型工艺。本领域技术人员无法从对比文件描述的通信协议和设备管理逻辑中，推导出与涂布聚合物溶液相关的任何技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：《未公开》<br>所述阵列中的每一个像素电路包含至少一个薄膜晶体管TFT元件和像素输入电极。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件中提及的电路元件主要出现在对“遊技機”、“呼出ランプ”、“携帯端末”等设备的控制部、存储器的描述中，例如CPU、メモリ、無線通信インターフェイス等。这些是通用计算、存储和通信模块。文件中完全没有提及 **“像素电路”**，更未提及像素电路的具体构成元件如**薄膜晶体管（TFT）** 和**像素输入电极**。TFT和像素输入电极是用于驱动和读取传感器像素的特定结构，与对比文件中的设备功能毫无关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：《未公开》<br>使所述聚合物结晶以形成结晶聚合物层。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件的技术主题是设备管理，其说明书中没有任何关于**聚合物材料**、**结晶工艺**或**形成结晶聚合物层**的描述。结晶是材料科学和半导体/压电器件制造领域的特定工艺步骤，旨在改变材料的物理性质（如压电性）。对比文件的内容完全不涉及任何材料的物理或化学处理过程。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：《未公开》<br>执行成极工艺，其包含跨越所述结晶聚合物层施加电场以形成压电层以使得所述压电层与所述像素输入电极电接触。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件中描述的“電場”或极化工艺仅出现在对呼叫灯照明部点灯/消灯等非常宽泛的上下文中，与在聚合物层上施加特定场强以形成压电特性的 **“成极工艺”** 有本质区别。目标专利的成极工艺是为了使聚合物层具备压电效应，从而能转换声能和电能。对比文件完全没有提及“压电层”、“像素输入电极电接触”或通过施加电场改变材料性能以用于传感的概念。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：《未公开》<br>以及沉积在所述压电层上的接收器偏置电极，其中所述接收器偏置电极经配置以控制相应信号被传递至所述TFT元件。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件中确实提到了各种“電極”或金属层，例如在描述呼叫灯时提到了“照明部”，但这与目标专利中**沉积在压电层上用于控制信号传递至TFT的接收器偏置电极**在技术作用上完全不同。对比文件的“電極”用于照明控制或作为通信接口的一部分，而非用于偏置一个压电传感层并控制信号流向TFT像素电路。此外，对比文件不存在“压电层”和“TFT元件”的组合，因此“接收器偏置电极”在此特定上下文中的作用无法被公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：《未公开》<br>其中所述像素输入电极是由导电薄膜形成的。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件没有描述任何“像素输入电极”，因此自然也谈不上其构成材料是否为“导电薄膜”。导电薄膜（如ITO）是显示器和传感器中用于制作透明电极的特定材料。对比文件中的设备可能包含导电部件，但并未将其公开为用于像素电路输入的、由导电薄膜形成的电极。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：《未公开》<br>其中将含有聚合物的溶液涂布到像素电路的所述阵列的第一侧上包含将助粘剂涂布到所述像素电路阵列上。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件完全没有涉及任何涂布工艺，无论是涂布聚合物溶液还是涂布**助粘剂**。助粘剂涂布是改善薄膜附着力的特定制造步骤，属于微细加工或涂层工艺领域。对比文件的技术领域（设备管理系统）和内容与这类材料涂布工艺毫无关联。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：《未公开》<br>其中通过旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射执行涂布含有所述聚合物的所述溶液。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件未描述任何涂布工艺，因此不可能公开涂布的具体方式，如**旋涂、槽缝式涂布、浸渍、施配或喷射**。这些是半导体、显示器和功能性涂层行业中具体的液体材料施加技术。本领域技术人员无法从对比文件的设备通信和管理方法中推理出这些具体的制造技术。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：《未公开》<br>其中所述聚合物包含铁电聚合物。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件未提及任何**聚合物**材料，更未提及具有特殊电学性质的**铁电聚合物**（如PVDF-TrFE）。铁电聚合物是用于制造压电和热电器件的特种功能材料。对比文件的技术方案不依赖于任何特定功能材料，其核心是逻辑控制和通信。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征L**：《未公开》<br>其中所述聚合物具有特性居里温度和熔点，并且使所述聚合物结晶包含在所述居里温度与所述熔点之间的温度下焙烤所述聚合物至少一小时。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件未提及任何聚合物，因此也不可能公开其**居里温度**、**熔点**等热学特性，以及通过**在特定温度区间焙烤**来实现结晶的工艺条件。这是材料科学和压电器件制造中非常具体的工艺参数。对比文件的内容与此类材料热处理工艺无任何关联。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：《未公开》<br>其中在执行所述成极工艺之前，施加导电材料以将所述像素电路的端子电短路到接地。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件虽然提到了使用导电橡胶或墨水（例如在呼出ランプ的护圈描述中，见说明书第[0082]段），但其作用是作为制造过程中的保护措施（例如在切割时），或者作为物理结构的一部分，而非在**极化工艺之前**为了**保护敏感的TFT像素电路而将其端子短路到接地**。目标专利中该步骤是为了防止高电场损坏晶体管，是特定制造工艺的一部分。对比文件中导电材料的作用和上下文完全不同，不能视为公开了该技术特征。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：《未公开》<br>其中所述导电材料是导电橡胶或导电墨水。 | 对比文件说明书第[0082]段：“例えば、導電材料８０１は、導電ゴム又は銀インク化合物であってもよい。” (例如，导电材料801可以是导电橡胶或银墨化合物。) | **论述**：对比文件确实公开了“导电橡胶或导电墨水（银墨）”作为一种导电材料。然而，该材料在对比文件中的作用是用于形成护圈或短路棒（「ガードバンド及び／又はショートバー」），以在制造或处理过程中提供电连接或保护，其上下文并非用于在极化工艺前保护超声波传感器像素电路。虽然材料本身相同，但**在目标专利中所起的具体作用（保护像素电路免受极化高压损伤）** 与对比文件中的作用不同。由于作用不同，且该材料并非应用于相同的技术问题（制造压电超声波接收器）中，因此该技术特征未被公开。本领域技术人员无法从对比文件中推理出将此材料用于保护TFT像素电路免受极化电场影响。 |
| **技术特征O**：《未公开》<br>其中所述接收器偏置电极包含第一铜子层和第二镍子层。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件未描述任何“接收器偏置电极”，因此也不可能公开其具体层状结构，例如包含**第一铜子层和第二镍子层**。金属子层的堆叠结构是特定电极制造工艺的细节。对比文件与此无关。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：《未公开》<br>其中所述第一铜子层是150埃厚，并且所述第二镍子层是850埃厚。 | 对比文件全文。 | **论述**：对比文件未公开如技术特征O所述的接收器偏置电极，因此自然也未曾公开其各子层的具体厚度（**150埃和850埃**）。这是非常具体的工艺参数。对比文件与此无关。因此，该技术特征未被公开。 |
## 总结
经逐一比对，对比文件JP6057550B2（管理装置）与目标专利CN105264545B（具有涂布的压电层的超声波接收器）属于完全不同的技术领域。对比文件涉及游戏厅的设备管理与人员呼叫系统，而目标专利涉及超声波传感器的材料与制造工艺。
对比文件**没有公开**目标专利权利要求中的任何技术特征（A至P）。具体而言：
1. 对比文件未涉及**超声波能量检测、超声波接收器**。
2. 对比文件未涉及**像素电路阵列、TFT、像素输入电极**等传感器结构。
3. 对比文件未涉及**涂布聚合物溶液、结晶、极化**等制造压电层的工艺步骤。
4. 对比文件未涉及**压电层、接收器偏置电极**及其具体材料构成（如铜/镍子层）和尺寸。
5. 虽然对比文件提到了“导电橡胶或银墨”，但其应用场景、所要解决的技术问题及所起的作用与目标专利中将其用于保护像素电路免受极化损伤完全不同，因此不构成公开。
所有技术特征均未被对比文件直接公开或隐含公开。因此，根据指令，不在回答中插入任何技术特征公开性判断的代码（如<<<A>>>或<<<a>>>）。